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óxido de zinco Crystal Substrate da bolacha do arsenieto de gálio da espessura de 0.5mm
  • óxido de zinco Crystal Substrate da bolacha do arsenieto de gálio da espessura de 0.5mm
  • óxido de zinco Crystal Substrate da bolacha do arsenieto de gálio da espessura de 0.5mm

óxido de zinco Crystal Substrate da bolacha do arsenieto de gálio da espessura de 0.5mm

Lugar de origem China
Marca zmsh
Certificação no
Número do modelo ZNO
Detalhes do produto
Material:
Únicas carcaças de cristal de ZnO
Indústria:
bolacha do semicondutor
Aplicação:
a carcaça do semicondutor, conduziu a microplaqueta, janela de vidro ótica, carcaças do dispositivo
Método:
vFG
Tamanho:
5x5mm
Espessura:
0.5mm
Realçar: 

ZnO único Crystal Substrate

,

bolacha do arsenieto de gálio de 0.5mm

,

Bolacha Crystal Substrate do arsenieto de gálio

Descrição do produto

Carcaças de ZnO, bolacha quadrada pequena do óxido de zinco de 5X5mm, carcaças em orientações diferentes, único cristal de 5x5mm ZnO de ZnO.

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O óxido de zinco (ZnO) pode ser crescido como um único semicondutor de cristal com propriedades muito interessantes.

O bandgap está na escala de 3,4 eV que faz atrativo para muitas das aplicações azuis e violetas

na ótica eletrónica assim como em dispositivos UV. Está disponível nos volumes, nas bolachas de até 2 polegadas,

qual lhe dá uma vantagem principal sobre o nitreto do gálio e os outros nitretos do grupo III.
ZnO igualmente tem o potencial transformar-se o material da carcaça da escolha para GaN. Como GaN tem uma estrutura de wurtzite, com as constantes da estrutura combinadas proximamente a GaN (a=3.249, c=5.205). ZnO é exatamente

a estrutura combinou a InGaN com um 22% no índice. Talvez mais importante ainda é um material complacente macio

isso é acreditado a provavelmente e pode pegar o esforço da estrutura de preferência à camada crescente de GaN.

Sofre do inconveniente que separa na amônia em temperaturas acima de 600°C. Com seu bandgap largo, o óxido de zinco podia provar muito útil em aplicações óticas assim como muito eletrônica de alta velocidade.

ZnO pode igualmente ser usado como uma carcaça para o crescimento epitaxial.

 

Aplicação:

Descrição de cristal do substrateProduct do óxido de zinco (ZnO): A carcaça de cristal do óxido de zinco (ZnO) é amplamente utilizada dentro

Carcaça epitaxial de GaN (diodo emissor de luz azul), dispositivos de conexão da faixa larga e outros campos. Parâmetros técnicos

óxido de zinco Crystal Substrate da bolacha do arsenieto de gálio da espessura de 0.5mm 0

Propriedades gerais

Pureza WT % > 99,99
Impureza: WT % Magnésio: <>
  Fe: < 0="">
Crystal Structure Sextavado: å do a= 3,252, c = å 5,207
Método do crescimento Hidrotermal
Dureza escala de 4 moh
Densidade 5,7 g/cm3
Ponto do derretimento OC 1975
Calor específico 0,125 cal/gm
Constante termoelétrico 1200 milivolt /oK @ 300 OC
Condutibilidade térmica 0,006 aprovações de cal/cm/
Expansão térmica 2,90 x 10-6/oK
Escala de transmissão 0.4 - 0,6 m > 50% em 2 milímetros
Densidade de deslocação <0001> plano <100>2
 

Especificações para a bolacha

 
Orientação  <11-20>± 0,5o ou orientação feita sob encomenda
Superfície lustrada EPI lustrou em um lado, Ra < 5="">
Tamanho padrão 5 x 5 milímetros
Espessura 0,5 milímetros

 

óxido de zinco Crystal Substrate da bolacha do arsenieto de gálio da espessura de 0.5mm 1óxido de zinco Crystal Substrate da bolacha do arsenieto de gálio da espessura de 0.5mm 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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óxido de zinco Crystal Substrate da bolacha do arsenieto de gálio da espessura de 0.5mm 3

 

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