N-tipo 3inch do metod de VFG, 4inch, bolachas do arsenieto de gálio de 6inch dia150mm GaAs queisolam o tipo para a microeletrônica,
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Bolachas do arsenieto de gálio do GaAs)
O arsenieto de gálio (GaAs) é um composto dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto do bandgap de III-V com uma estrutura de cristal de blenda de zinco.
O arsenieto de gálio é usado na fabricação de dispositivos tais como circuitos integrados da frequência de micro-ondas, circuitos integrados monolíticos da micro-ondas, os diodos luminescentes infravermelhos, os diodos láser, as células solares e janelas óticas. [2]
O GaAs é usado frequentemente como um material da carcaça para o crescimento epitaxial de outros semicondutores de III-V que incluem o arsenieto de gálio do índio, o arsenieto de gálio de alumínio e o outro.
Característica e aplicação da bolacha do GaAs
| Característica |
Campo da aplicação |
| Mobilidade de elétron alta |
Diodos luminescentes |
| Alta frequência |
Diodos láser |
| Eficiência de conversão alta |
Dispositivos fotovoltaicos |
| Consumo da baixa potência |
Transistor de mobilidade de elétron alto |
| Diferença de faixa direta |
Transistor bipolar da heterojunção |
Especificação
GaAs Undoped
Especificações deisolamento do GaAs
| Método do crescimento |
VGF |
| Entorpecente |
Carbono |
| Bolacha Shape* |
Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", e 6") |
| Orientação de superfície ** |
(100) ±0.5° |
” Bolachas *5 disponíveis mediante solicitação
** Outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação
| Resistividade (Ω.cm) |
≥1 × 107 |
≥1 × 108 |
| Mobilidade (cm2/V.S) |
≥ 5.000 |
≥ 4.000 |
| Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2) |
1,500-5,000 |
1,500-5,000 |
| Diâmetro da bolacha (milímetros) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
150±0.3 |
| Espessura (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
675±25 |
| TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
| URDIDURA (µm) |
≤10 |
≤10 |
≤10 |
≤5 |
| DE (milímetros) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
ENTALHE |
| DE/SE (milímetros) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
N/A |
| Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
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