Propriedades físicas & eletrônicas do comparado sic a GaAa e a si
Energia larga Bandgap (eV)
4H-SiC: 3,26 6H-SiC: 3,03 GaAs: Si 1,43: 1,12
Os dispositivos eletrónicos formaram em sic podem operar-se extremamente em altas temperaturas sem sofrimento dos efeitos intrínsecos da condução devido ao bandgap largo da energia. Também, esta propriedade reserva sic emitir-se e detectar a luz curto do comprimento de onda que faz a fabricação de diodos luminescentes azuis e dos fotodetector UV cegos quase solares possíveis.
Campo elétrico da divisão alta [V/cm (para uma operação de 1000 V)]
4H-SiC: 2,2 x 106* 6H-SiC: 2,4 x 106* GaAs: si 3 x 105: 2,5 x 105
Sic pode suportar um inclinação da tensão (ou o campo elétrico) sobre oito vezes maior do que do que o si ou o GaAs sem submeter-se à divisão de avalancha. Este campo elétrico da divisão alta permite a fabricação de dispositivos muito de alta tensão, de alta potência tais como diodos, de transitors do poder, de tiristores e de proteções contra sobrecarga do poder, assim como de dispositivos da micro-ondas do poder superior. Adicionalmente, permite que os dispositivos sejam colocados muito perto junto, fornecendo a densidade de embalagem alta do dispositivo para circuitos integrados.
Condutibilidade térmica alta (W/cm · K @ RT)
4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0,5 si: 1,5
É sic um condutor térmico excelente. O calor fluirá mais prontamente completamente sic do que outros materiais do semicondutor. De fato, na temperatura ambiente, tem sic uma condutibilidade térmica mais alta do que todo o metal. Esta propriedade permite sic dispositivos de operar-se extremamente a níveis do poder superior e de dissipar ainda as grandes quantidades de calor adicional geradas.
Velocidade de tração saturada alta do elétron [cm/sec (@ V/cm do ≥ 2 x 105 de E)]
4H-SiC: 2,0 x 107 6H-SiC: 2,0 x 107 GaAs: si 1,0 x 107: 1,0 x 107
Sic os dispositivos podem operar-se em altas frequências (RF e micro-ondas) devido à velocidade de tração saturada alta do elétron de sic.
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