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Bolacha do arsenieto de gálio de 4 polegadas, carcaça do Gaas para ligas de baixa temperatura

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Bolacha do arsenieto de gálio de 4 polegadas, carcaça do Gaas para ligas de baixa temperatura

4 Inch Gallium Arsenide Wafer , Gaas Substrate For Low Temperature Alloys
4 Inch Gallium Arsenide Wafer , Gaas Substrate For Low Temperature Alloys 4 Inch Gallium Arsenide Wafer , Gaas Substrate For Low Temperature Alloys

Imagem Grande :  Bolacha do arsenieto de gálio de 4 polegadas, carcaça do Gaas para ligas de baixa temperatura

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Certificação: no
Número do modelo: GaAs-4inch
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 5pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: casstle 25pcs no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 1-4weeks
Habilidade da fonte: 1000pcs/month
Descrição de produto detalhada
Materiais: Carcaças do único cristal do GaAs indústria: bolacha do semicondutor
Aplicação: carcaça do semicondutor, microplaqueta conduzida, janela de vidro ótica, carcaças do dispositivo Método: VFG
Tamanho: terra comum 2-6inch
Destacar:

bolacha do arsenieto do índio

,

carcaça laalo3

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(Composto de A dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto do bandgap de III-V com uma estrutura de cristal de blenda de zinco)

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Sobre o cristal do GaAs

Nome do produto: Carcaça do cristal de (GaAs) do arsenieto de gálio
Parâmetros técnicos:
Monocrystalline Arsenieto de gálio (GaAs)
Lubrificação Nenhum; Si; Cr; Te; Zn
Tipo da condutibilidade SI; N; Si; N; P
Concentração de portador do Cm -3 /> 5x10 17/~ 2x10 18> 5x10 18
Densidade de deslocação do Cm -2 <5x10 5="">
Método do crescimento e o tamanho máximo LEC & HB Ø3 “
Especificações:

Orientação geral: <100>: <110>: <111>:

Tamanho padrão: Ø3 “x 0.5mm; Ø2” x 0.5mm; Ø4 “x 0.5mm;

Nota: de acordo com as exigências e o tamanho de clientes do sentido correspondente.

Aplicação:

1. Usado principalmente na eletrônica, ligas de baixa temperatura, arsenieto de gálio.

2. O composto químico preliminar do gálio na eletrônica, é usado em circuitos da micro-ondas, em circuitos de alta velocidade do interruptor, e nos circuitos infravermelhos.

3. O nitreto do gálio e o nitreto do gálio do índio, porque os usos do semicondutor, produzem diodos luminescentes azuis e violetas (LEDs) e lasers do diodo.

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Especificação

Bolachas do GaAs para aplicações do diodo emissor de luz

Artigo Especificações Observações
Tipo da condução SC/n-type SC/p-type com o narcótico do Zn disponível
Método do crescimento VGF  
Entorpecente Silicone Zn disponível
Bolacha Diamter 2, 3 & 4 polegadas Lingote ou como-corte disponível
Orientação de cristal (100) 20/60/150 fora de (110) O outro misorientation disponível
DE EJ ou E.U.  
Concentração de portador (0.4~2.5) E18/cm3
Resistividade no RT (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
Mobilidade 1500~3000cm2/V.sec
Densidade do poço gravura em àgua forte <5000>2  
Marcação do laser mediante solicitação
Revestimento de superfície P/E ou P/P
Espessura 220~450um
Epitaxia pronta Sim  
Pacote Única recipiente ou gaveta da bolacha

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do LD

Artigo Especificações Observações
Tipo da condução SC/n-type
Método do crescimento VGF  
Entorpecente Silicone
Bolacha Diamter 2, 3 & 4 polegadas Lingote ou como-corte disponível
Orientação de cristal (100) 20/60/150 fora de (110) O outro misorientation disponível
DE EJ ou E.U.  
Concentração de portador (0.4~2.5) E18/cm3
Resistividade no RT (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
Mobilidade 1500~3000 cm2/V.sec
Densidade do poço gravura em àgua forte <500>2  
Marcação do laser mediante solicitação
Revestimento de superfície P/E ou P/P  
Espessura 220~350um
Epitaxia pronta Sim  
Pacote Única recipiente ou gaveta da bolacha

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica

Artigo Especificações Observações
Tipo da condução Isolamento
Método do crescimento VGF  
Entorpecente Undoped
Bolacha Diamter 2, 3 & 4 polegadas Lingote disponível
Orientação de cristal (100) +/- 0,50
DE EJ, E.U. ou entalhe  
Concentração de portador n/a
Resistividade no RT >1E7 Ohm.cm  
Mobilidade >5000 cm2/V.sec
Densidade do poço gravura em àgua forte <8000>2  
Marcação do laser mediante solicitação
Revestimento de superfície P/P  
Espessura 350~675um
Epitaxia pronta Sim
Pacote Única recipiente ou gaveta da bolacha

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FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
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(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a lente da bola, a lente de powell e a lente do colimador:
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
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T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, segurança segura do pagamento e do comércio em e etc….

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(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-20pcs.
Depende da quantidade e das técnicas

Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.

Empacotamento – Logistcs
Worldhawk refere-se a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque. De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!

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Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Mr. Wang

Telefone: +8615801942596

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