Detalhes dos produtos

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Diâmetro 50.8mm bolacha do arsenieto de gálio de 2 polegadas para a carcaça do semicondutor

Nome da marca:	zmsh
Número do modelo:	GaAs-001
MOQ:	5pcs
preço:	by case
Tempo de entrega:	1-4weeks

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Certificação:

Materiais:

Carcaças do único cristal do GaAs

indústria:

bolacha do semicondutor

Aplicação:

carcaça do semicondutor, microplaqueta conduzida, janela de vidro ótica, carcaças do dispositivo

Método:

VFG

Tamanho:

terra comum 2-6inch

Detalhes da embalagem:

casstle 25pcs no quarto desinfetado de 100 categorias

Habilidade da fonte:

1000pcs/month

Destacar:

bolacha do gaas

bolacha do arsenieto do índio

Descrição do produto

carcaças de 2inch GaAs, bolacha do GaAs para conduzido, bolachas de cristal de arsenieto de gálio, bolacha do GaAs do entorpecente de Si/Zn (composto de A dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto do bandgap de III-V com uma estrutura de cristal de blenda de zinco)

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Aplicação:

1. Usado principalmente na eletrônica, ligas de baixa temperatura, arsenieto de gálio.

2. O composto químico preliminar do gálio na eletrônica, é usado em circuitos da micro-ondas, em circuitos de alta velocidade do interruptor, e nos circuitos infravermelhos.

3. O nitreto do gálio e o nitreto do gálio do índio, porque os usos do semicondutor, produzem diodos luminescentes azuis e violetas (LEDs) e lasers do diodo.

Diâmetro 50.8mm bolacha do arsenieto de gálio de 2 polegadas para a carcaça do semicondutor 0

Especificação

Parâmetro	Valores garantidos/reais		UOM
Método do crescimento:	VGF
Tipo da conduta:	S-I-N
Entorpecente:	Undoped
Diâmetro:	50.8± 0,1		milímetro
Orientação:	± 0,5⁰ (de 100)
Do lugar/comprimento:	± 0,5⁰ de EJ [0-1-1]/16±1
SE lugar/comprimento:	± 0,5⁰ de EJ [0-1 1]/7±1
Resistividade:	Minuto: 1,0 E8	Máximo: 2,2 E8	Ω·cm
Mobilidade:	>2000		cm2/v.s
EPD:	<1500		/ cm2
Espessura:	350± 20		µm
Arredondamento da borda:	0,25		mmR
Marcação do laser:	N/A
TTV/TIR:	Máximo: 10		µm
CURVA:	Máximo: 10		µm
Urdidura:	Máximo: 10		µm
Contagem de Partical:	<50/wafer(paraapartícula >0.3um)
Parte dianteira de superfície do revestimento:	Lustrado
Revestimento de superfície – traseiro:	Gravado
Epi-pronto:	Sim

Parâmetro	As exigências de cliente		Valores garantidos/reais		UOM
Método do crescimento:	VGF		VGF
Tipo da conduta:	S-C-P		S-C-P
Entorpecente:	GaAs-Zn		GaAs-Zn
Diâmetro:	50.8± 0,4		50.8± 0,4		milímetro
Orientação:	± 0,5⁰ (de 100)		± 0,5⁰ (de 100)
Do lugar/comprimento:	± 0,5⁰ de EJ [0-1-1]/16±1		± 0,5⁰ de EJ [0-1-1]/16±1
SE lugar/comprimento:	± 0,5⁰ de EJ [0-1 1]/7±1		± 0,5⁰ de EJ [0-1 1]/7±1
Lingote centímetro cúbico:	Minuto: 1 E19	Máximo: 5 E19	Minuto: 1,4 E19	Máximo: 1,9 E19	/cm ³
Resistividade:	Minuto: N/A	Máximo: N/A	Minuto: N/A	Máximo: N/A	Ω·cm
Mobilidade:	Minuto: N/A	Máximo: N/A	Minuto: N/A	Máximo: N/A	cm2/v.s
EPD:	Máximo: 5000		Minuto: 600	Máximo: 700	/ cm2
Espessura:	350±25		350±25		µm
Parte dianteira de superfície do revestimento:	Lustrado		Lustrado
Revestimento de superfície – traseiro:	Gravado		Gravado
Epi-pronto:	Sim		Sim

Diâmetro 50.8mm bolacha do arsenieto de gálio de 2 polegadas para a carcaça do semicondutor 1

FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a lente da bola, a lente de powell e a lente do colimador:
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
(2) para os produtos do fora-padrão, a entrega é as 2 ou 6 semanas de trabalho depois que você coloca a ordem.

Q: Como pagar?
T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, segurança segura do pagamento e do comércio em e etc….

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-20pcs.
Depende da quantidade e das técnicas

Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.

Empacotamento – Logistcs
Worldhawk refere-se a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.

De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!

Diâmetro 50.8mm bolacha do arsenieto de gálio de 2 polegadas para a carcaça do semicondutor 2

Etiquetas:

Bolacha do nitreto do gálio

Bolacha da safira

Sic carcaça

Safira Windows ótico

Bolacha de silicone de IC

Safira sintética Rod

Placa de quartzo fundido

Peças da safira

Pedra preciosa sintética

Equipamento do semicondutor

Bolacha LiNbO3

Bolacha do GaAs

Bolacha do fosforeto de índio

carcaça cerâmica

Envoltório do laboratório

Bolacha do nitreto do gálio

Bolacha da safira

Sic carcaça

Safira Windows ótico

Bolacha de silicone de IC

Safira sintética Rod

Placa de quartzo fundido

Peças da safira

Pedra preciosa sintética

Equipamento do semicondutor

Bolacha LiNbO3

Bolacha do GaAs

Bolacha do fosforeto de índio

carcaça cerâmica

Envoltório do laboratório

Detalhes dos produtos

Diâmetro 50.8mm bolacha do arsenieto de gálio de 2 polegadas para a carcaça do semicondutor

bolacha do gaas

bolacha do arsenieto do índio

Sim

Sim

Sim

bolacha do arsenieto do índio

bolacha do gaas

carcaça laalo3

GaAs Laser Epitaxial Wafer Gallium Arsenide Wafer VCSEL/PD Wafer Expitaxial para detecção inteligente

GaP Wafers semi-isolados P Tipo N Tipo 400um 500um Verde LED Vermelho Verde Emissão de luz