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O que é uma bolacha de SiC? O que é um semicondutor de SiC? Qual a diferença entre uma bolacha de SiC e uma de SiC?

2024-08-28
Latest company news about O que é uma bolacha de SiC? O que é um semicondutor de SiC? Qual a diferença entre uma bolacha de SiC e uma de SiC?

 

À medida que a demanda por eletrônicos de alta eficiência, alta potência e alta temperatura continua a crescer,A indústria de semicondutores está a olhar para além dos materiais tradicionais como o silício (Si) para satisfazer estas necessidadesUm dos materiais mais promissores que levam a esta inovação é o carburo de silício (SiC).como os semicondutores de SiC diferem dos tradicionais à base de silício, e as vantagens significativas que oferecem.

 


 

O que é uma Wafer SiC?

 

sic wafer

 

Uma bolacha de SiC é uma fatia fina de carburo de silício, um composto feito de átomos de silício e carbono.tornando-o um material ideal para uma variedade de aplicações eletrônicasAo contrário das tradicionais bolinhas de silício,Wafers de SiCsão concebidos para lidar com condições de alta potência, alta temperatura e alta frequência.que estão a ganhar rapidamente popularidade na electrónica de potência e noutras aplicações de alto desempenho.

 

 



 

 


O que é um semicondutor SiC?

Um semicondutor SiC é um componente eletrônico fabricado usando o carburo de silício como material de base.

 

Os semicondutores são essenciais na eletrônica moderna, pois permitem o controle e manipulação de correntes elétricas.Alta condutividade térmicaEstas características tornam os semicondutores SiC ideais para utilização em dispositivos de potência, tais como transistores de potência, diodos e MOSFETs, onde a eficiência,confiabilidade, e o desempenho são críticos.

 


 

Qual é a diferença entre Wafers Si e SiC?

 

What is the Difference Between Si and SiC Wafers?

 

Enquanto as placas de silício (Si) têm sido a espinha dorsal da indústria de semicondutores há décadas, as placas de carburo de silício (SiC) estão rapidamente se tornando uma mudança de jogo para certas aplicações.Aqui está uma comparação pormenorizada dos dois:

 

1.Propriedades materiais:

 

  • Silício (Si): O silício é um material semicondutor amplamente utilizado devido à sua abundante disponibilidade, tecnologia de fabricação madura e boas propriedades elétricas.12 eV) limita o seu desempenho em aplicações de alta temperatura e alta tensão.
  • Carbono de silício (SiC): O SiC tem uma banda muito mais larga (cerca de 3,26 eV), o que lhe permite operar a temperaturas e tensões muito mais elevadas do que o silício.Isso torna o SiC uma escolha superior para aplicações que exigem conversão de energia e dissipação de calor eficientes.

 

2.Conductividade térmica:

 

  • Silício (Si): A condutividade térmica do silício é moderada, o que pode conduzir a superaquecimento em aplicações de alta potência, a menos que sejam utilizados sistemas de arrefecimento extensivos.
  • Carbono de silício (SiC)O SiC tem quase três vezes a condutividade térmica do silício, o que significa que pode dissipar o calor de forma muito mais eficaz.tornar os dispositivos SiC mais compactos e confiáveis em condições extremas.

 

3.Força de ruptura do campo elétrico:

 

  • Silício (Si): O campo elétrico de quebra do silício é menor, o que limita sua capacidade de lidar com operações de alta tensão sem risco de quebra.
  • Carbono de silício (SiC): A resistência de quebra do campo elétrico do SiC é cerca de dez vezes maior do que a do silício. Isso permite que os dispositivos baseados em SiC lidem com tensões muito mais altas, o que é crucial para a eletrônica de potência.

 

4.Eficiência e perdas de energia:

 

  • Silício (Si): Embora os dispositivos de silício sejam eficientes em condições normais, o seu desempenho diminui significativamente em condições de alta frequência, alta tensão e alta temperatura,levando a um aumento das perdas de potência.
  • Carbono de silício (SiC): Os semicondutores de SiC mantêm uma elevada eficiência em uma gama mais ampla de condições, particularmente em aplicações de alta frequência e alta potência.Isto traduz-se em perdas de energia mais baixas e melhor desempenho geral do sistema.

 

 

Características Orifícios de Si (sílico) Wafers de carburo de silício
Energia de Bandgap 1.12 eV 3.26 eV
Conductividade térmica ~ 150 W/mK ~ 490 W/mK
Força de ruptura do campo elétrico ~ 0,3 MV/cm ~ 3 MV/cm
Temperatura máxima de funcionamento Até 150°C Até 600°C
Eficiência energética Eficiência mais baixa a alta potência e temperatura Maior eficiência em alta potência e temperatura
Custo de fabrico Menor custo devido à tecnologia madura Custo mais elevado devido a um processo de fabrico mais complexo
Aplicações Eletrónica geral, circuitos integrados, microchips Eletrónica de potência, aplicações de alta frequência e de alta temperatura
Dureza do material Menos duro, mais propenso ao desgaste Muito duro, resistente ao desgaste e aos danos químicos
Dissipação de calor Moderado, requer sistemas de arrefecimento para alta potência Alto, reduz a necessidade de arrefecimento extensivo

 

 


 

O futuro da tecnologia de semicondutores

 

A transição do silício para o carburo de silício não é apenas uma melhoria incremental, é um salto significativo para a indústria de semicondutores.energia renovável, e a automação industrial exigem eletrónica mais robusta e eficiente, as vantagens do SiC estão a tornar-se cada vez mais claras.

 

Por exemplo, na indústria automóvel,A ascensão dos veículos elétricos (VE) criou uma demanda por eletrônicos de potência mais eficientes que podem lidar com os requisitos de alta potência dos motores e sistemas de carregamento de VEOs semicondutores de SiC estão agora a ser integrados em inversores e carregadores para melhorar a eficiência e reduzir as perdas de energia, ampliando finalmente a gama de veículos elétricos.

Da mesma forma, em aplicações de energia renovável, como inversores solares e turbinas eólicas, os dispositivos SiC estão a ajudar a aumentar a eficiência de conversão de energia, a reduzir as necessidades de arrefecimento,e reduzir os custos globais do sistemaIsto não só torna a energia renovável mais viável, mas também mais rentável.

 

 


 

Conclusão

O surgimento de wafers e semicondutores de SiC marca uma nova era na eletrônica, onde maior eficiência, desempenho e durabilidade são primordiais.e à medida que os custos de produção de materiais SiC diminuem, podemos esperar ver uma adopção ainda mais generalizada desta tecnologia em vários sectores.

O carburo de silício está pronto para revolucionar a indústria de semicondutores, fornecendo soluções para desafios que o silício tradicional simplesmente não pode enfrentar.Com as suas propriedades superiores e base de aplicação crescenteO SiC representa o futuro da electrónica de alto desempenho.

 


 

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O carburo de silício (SiC) inicialmente encontrou uso industrial como material abrasivo e mais tarde ganhou importância na tecnologia LED.suas propriedades físicas excepcionais levaram à sua ampla adoção em várias aplicações de semicondutores em todas as indústriasCom a aproximação das limitações da Lei de Moore, muitas empresas de semicondutores estão a recorrer ao SiC como o material do futuro devido às suas características de desempenho excepcionais.

 

 

 

sic wafer