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4'' 200nm AlScN em wafers de silício SSP DSP Substratos epitaxial para dispositivos LED
  • 4'' 200nm AlScN em wafers de silício SSP DSP Substratos epitaxial para dispositivos LED
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4'' 200nm AlScN em wafers de silício SSP DSP Substratos epitaxial para dispositivos LED

Lugar de origem China
Marca ZMSH
Certificação ROHS
Número do modelo Modelo AlScN sobre silício
Detalhes do produto
Materiais:
Modelo AlScN sobre silício
Diâmetro:
4''
Espessura:
200Nm
orientação:
111
Poluição:
SSP
tipo da condutibilidade:
N
Resistividade:
1 a 100 ohm.cm
TTV:
≤5μm
curva:
≤10μm
Realçar: 

Dispositivos LED Wafers de silício

,

AlScN sobre wafers de silício

,

Nitreto de escândio de alumínio de 200 nm

Descrição do produto

Modelo AlScN de 4'' 200nm sobre substratos epitaxiais de silício SSP DSP para dispositivos LED

 

Características:

O nitruro de escândio de alumínio (AlScN) no silício refere-se à deposição de um AlScN fino num substrato de silício.Este processo envolve o crescimento de uma camada de material AlScN na superfície de uma bolacha de safira usando técnicas como epitaxia de feixe molecular (MBE) ou deposição de vapor químico metalo-orgânico (MOCVD)O nitruro de escândio de alumínio (AlScN) é um material semicondutor de banda larga composto de alumínio (Al), escândio (Sc) e nitrogênio (N). Devido às suas excelentes propriedades piezoelétricas e acústicas,é um material ideal para dispositivos acústicos de alta frequênciaÉ considerado o substrato mais promissor para filtros SAW/BAW de radiofrequência 5G.

4'' 200nm AlScN em wafers de silício SSP DSP Substratos epitaxial para dispositivos LED 04'' 200nm AlScN em wafers de silício SSP DSP Substratos epitaxial para dispositivos LED 1

 

Especificações:

  • Espessura do substrato: Silício, 525 +/- 30 μm
  • Orientação do substrato: < 111>
  • Diâmetro: 100 mm +/- 0,5 mm
  • Resistência: 1-100 ohm.cm
  • Espessura da camada AlScN: 200 nm
  • Área utilizável: > 90%
  • Variação de espessura total (TTV): ≤ 5 μm
  • Arco/coroa: ≤ 10 μm
  • Roughness da superfície: Ra ≤ 10 nm (área 5 μm x 5 μm)
  • Poluição: SSP é padrão, DSP está disponível mediante pedido.
  • Embalagem: recipientes de wafer personalizados

 

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Wafers de GaN:

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Introdução da empresa:

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD. localiza-se na cidade de Xangai, que é a melhor cidade da China, e nossa fábrica é fundada na cidade de Wuxi em 2014.Especializamo-nos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e componentes de vidro óptico customizados, amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também temos trabalhado em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras., instituições de investigação e empresas, fornecem produtos e serviços personalizados para os seus projectos de I&D. É a nossa visão manter uma boa relação de cooperação com todos os nossos clientes pela nossa boa reputação.

4'' 200nm AlScN em wafers de silício SSP DSP Substratos epitaxial para dispositivos LED 4

 

Perguntas frequentes:

Q: Qual é o seu MOQ?

R: (1) Para inventário, o MOQ é de 1pcs.

(2) Para produtos personalizados, o MOQ é de 5pcs.

 

P: Qual é a forma de envio e custo?

A: ((1) Aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.

(2) Se você tem sua própria conta expressa, é ótimo. Se não, podemos ajudá-lo a enviá-los.

O frete está de acordo com a liquidação real.

 

P: Qual é o prazo de entrega?

Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após a sua encomenda.

Para produtos personalizados: a entrega é de 2 ou 3 semanas após a sua encomenda.

 

P: Tem produtos padrão?

R: Os nossos produtos normais em estoque. como 4 polegadas 0,65mm,0Wafer polido de.5mm.

P: Como pagar?

A: 50% de depósito, deixado antes da entrega T/T,

P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?

R: Sim, podemos personalizar o material, especificações e revestimento óptico para o seu óptico

componentes com base nas suas necessidades.

 

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