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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material estando
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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material estando

Lugar de origem China
Marca zmkj
Número do modelo GaN-não-polar
Detalhes do produto
Material:
Único cristal de GaN
Método:
HVPE
Tamanho:
10x10mm, 5x5mm
Espessura:
350um
Indústria:
LD, conduzido, dispositivo do laser, detector,
Superfície:
cante ou o lado dobro poliseed
Categoria:
para o LD
Tipo:
GaN Substrates autônomo Não-polar
Realçar: 

carcaça gan

,

molde gan

Descrição do produto

Modelo de substratos de GaN de 2 polegadas, wafer de GaN para LED, wafer de nitreto de gálio semicondutor para ld, modelo de GaN, wafer de GaN mocvd, substratos de GaN independentes por tamanho personalizado, wafer de GaN de tamanho pequeno para LED, wafer de nitreto de gálio mocvd 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN wafer, Substratos de GaN autônomos não polares (plano a e plano m)

 

GaN Wafer Característica

produtos Substratos de nitreto de gálio (GaN)
Descrição do produto: O modelo Saphhire GaN é apresentado Método de epitaxia de fase de vapor de hidreto epixial (HVPE).No processo HVPE, o ácido produzido pela reação GaCl, que por sua vez é reagido com amônia para produzir fusão de nitreto de gálio.O modelo epitaxial de GaN é uma maneira econômica de substituir o substrato de cristal único de nitreto de gálio.
Parâmetros técnicos:
Tamanho 2" redondo; 50mm ± 2mm
Posicionamento de produto Eixo C <0001> ± 1,0.
Tipo de condutividade Tipo N & Tipo P
Resistividade R <0,5 Ohm-cm
Tratamento de superfície (face Ga) AS crescido
RMS <1nm
Área de superfície disponível > 90%
Especificações:

 

Filme epitaxial de GaN (plano C), tipo N, 2"* 30 mícrons, safira;

Filme epitaxial de GaN (plano C), tipo N, safira 2"* 5 mícrons;

Filme epitaxial de GaN (Plano R), tipo N, 2"* 5 mícrons de safira;

Filme epitaxial GaN (M Plane), tipo N, 2"* 5 mícrons de safira.

filme de AL2O3 + GaN (Si dopado tipo N);Filme de AL2O3 + GaN (Mg dopado tipo P)

Observação: de acordo com a orientação e tamanho do plugue especial de acordo com a demanda do cliente.

Embalagem padrão: 1000 salas limpas, 100 sacos limpos ou embalagens de caixa única

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material estando 0

Aplicativo

O GaN pode ser usado em muitas áreas, como display LED, detecção e geração de imagens de alta energia,
Exibição de projeção a laser, dispositivo de energia, etc.

  • Exibição de projeção a laser, dispositivo de energia, etc.
  • armazenamento de data
  • Iluminação energeticamente eficiente
  • Visor fla a cores
  • Projeções a Laser
  • Dispositivos eletrônicos de alta eficiência
  • Dispositivos de microondas de alta frequência
  • Detecção e imaginação de alta energia
  • Nova tecnologia de hidrogênio solor de energia
  • Detecção Ambiental e Medicina Biológica
  • Fonte de luz banda terahertz

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material estando 1 
 
Especificações:

 

Especificação do modelo GaN

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Arquivo de especificação GaN independente de 2 a 4 polegadas
Item GaN-FS-CU-C50 GaN-FS-CN-C50 GaN-FS-C-SI-C50
Dimensões e 50,8 mm ± 1 mm
Grossura 350 ± 25h
Área de superfície utilizável > 90%
Orientação Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,35° ± 0,15°
Orientação Plana (1-100) ±0,5°, 16,0 ±1,0 mm
Plano de Orientação Secundária (11-20) ±3°, 8,0 ±1,0 mm
TTV (variação de espessura total) < 15h
ARCO < 20h
Tipo de Condução tipo N tipo N Semi-isolante (dopado com Fe)
Resistividade (3O0K) < 0,1 Q・cm < 0,05 Q・cm >106 Q・cm
Densidade de Deslocamento De 1x105 cm-2 a 3x106 cm-2
polimento Superfície frontal: Ra < 0,2 nm (polido);ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)
Superfície Traseira: 0,5~1,5 pm;opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido)
Pacote Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em recipientes de wafer individuais, sob uma atmosfera de nitrogênio.
 
tamanho Substratos de 4"GaN
Item GaN-FS-N
Dimensões tamanho Ф 100,0 mm ± 0,5 mm
Espessura do Substrato 450 ± 50 µm
Orientação do Substrato Eixo C (0001) em direção ao eixo M 0,55± 0,15°
polonês SSP ou DSP
Método HVPE
ARCO <25UM
TTV <20um
Rugosidade <0,5nm
resistividade 0,05ohm.cm
dopante Si
(002) FWHM&(102) FWHM
<100arco
Quantidade e tamanho máximo de furos
e poços
Grau de produção ≤23@1000 um;Grau de pesquisa ≤68@1000 um
Grau fictício ≤112@1000 um
Área utilizável Nível P>90%;Nível R>80%: Nível D>70% (exclusão de defeitos de borda e macro)

 

  Substratos de GaN autônomos não polares (plano a e plano m)
Item GaN-FS-a GaN-FS-m
Dimensões 5,0 mm × 5,5 mm
5,0 mm × 10,0 mm
5,0 mm × 20,0 mm
Tamanho personalizado
Grossura 330 ± 25 µm
Orientação um plano ± 1° m-plano ± 1°
TTV ≤15 µm
ARCO ≤20 µm
Tipo de Condução tipo N
Resistividade (300K) < 0,5 Ω·cm
Densidade de Deslocamento Menos de 5x106 cm-2
Área de superfície utilizável > 90%
polimento Superfície frontal: Ra < 0,2 nm.Epi-pronto polido
Superfície traseira: terreno fino
Pacote Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em recipientes de wafer individuais, sob uma atmosfera de nitrogênio.

 

 

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2.ZMKJ fornece wafer de GaN para a indústria de microeletrônica e optoeletrônica com diâmetro de 2" a 4".

Wafers epitaxiais de GaN são cultivados pelo método HVPE ou MOCVD, podem ser usados ​​como um substrato ideal e excelente para dispositivos de alta frequência, alta velocidade e alta potência.Atualmente, podemos oferecer wafer epitaxial GaN para pesquisa fundamental e uso de desenvolvimento de produtos de dispositivos, incluindo modelo GaN, AlGaN

e InGaN.Além do wafer padrão baseado em GaN, você pode discutir sua estrutura de camada epi.
 
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