China SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD notícia da empresa

Resumo       Atributos Chave O kit consiste em um tubo de safira selado externamente e um ou mais tubos capilares internos para isolar os ramos do termopar.     Proteção do Fio do TermoparOs termopares protegidos por safira duram muito mais do que os tubos de cerâmica padrão. Mesmo os tubos de safira de pequeno diâmetro oferecem desempenho robusto em alta temperatura, tornando-os uma solução econômica para:     · Refinarias de petróleo · Unidades de craqueamento · Reatores de combustão · Incineradores · Processamento químico · Fabricação de vidro · Indústria de semicondutores (manuseio de processo limpo)         A sonda foi colocada em uma coroa de forno de vidro a 1500°C por 11 meses. Não houve sinais de desgaste.           Projetos de Termopares de Safira  Diâmetro externo / Diâmetro interno Comprimento máximo   A medição da temperatura em diferentes áreas de profundidade está disponível com o isolamento dos fios do termopar dentro do tubo de proteção de safira com capilares de safira   2,1 / 1,3 mm ± 0,2 mm 1750 mm 4,8 / 3,4 mm ± 0,15 mm 1800 mm 6 / 4 mm ± 0,15 mm 1800 mm 8 / 5 mm ± 0,15 mm 1800 mm 10 / 7 mm ± 0,2 mm 1400 mm 13 / 10 mm ± 0,2 mm 1400 mm   Os tubos de safira são selados continuando o processo de crescimento do cristal. Isso garante a integridade impecável do material e a estrutura perfeita em todo o tubo do termopar.   Os tubos de safira para termopares de alta temperatura oferecem estabilidade térmica, resistência à corrosão e hermeticidade incomparáveis, formando a base da medição de temperatura em ambientes extremos. No entanto, a verdadeira confiabilidade decorre do suporte de serviço completo—A ZMSH não apenas fornece tubos de safira otimizados para cenários, mas também oferece uma estrutura de serviço completa "Requisito-Validação-Entrega-Manutenção": desde diagnósticos operacionais e orientação de dimensionamento personalizado até instalação no local e rastreamento de desempenho a longo prazo. Apoiados por uma equipe técnica, garantimos que cada tubo de safira opere com eficiência máxima em seus sistemas. Escolher os tubos de safira da ZMSH significa selecionar garantia dupla—excelência do material + compromisso de serviço—impulsionando a eficiência de custos e a precisão em aplicações de alta temperatura.   Soluções Personalizadas pela ZMSH Para projetos de tubos de safira ou termopares de alta temperatura sob medida, entre em contato conosco—a ZMSH oferece soluções de engenharia de precisão adaptadas às suas necessidades.  

Compreender a tecnologia de preparação de filmes (MOCVD, sputtering por magnetrão, PECVD)       Este artigo apresentará vários métodos para fabricar filmes finos. No processamento de semicondutores, as técnicas mais frequentemente mencionadas são a litografia e a gravação, seguidas pelo processo de epitaxia (filme).   Por que a tecnologia de filmes finos é necessária na fabricação de chips?   Por exemplo, na vida diária, muitas pessoas gostam de comer panquecas. Se uma panqueca em forma de quadrado não for temperada e assada, não terá sabor e a textura não será boa. Algumas pessoas preferem um sabor salgado, então pincelam uma camada de pasta de feijão na superfície da panqueca. Outras preferem um sabor doce, então pincelam uma camada de açúcar de malte na superfície.   Depois de pincelar o molho, a camada de molho salgado ou doce na superfície da panqueca é como um filme. Sua presença altera o sabor de toda a panqueca, e a própria panqueca é chamada de base.   Claro, durante o processamento do chip, existem muitos tipos de funções para os filmes, e os métodos correspondentes de preparação de filmes também variam. Neste artigo, apresentaremos brevemente vários métodos comuns de preparação de filmes, incluindo MOCVD, sputtering por magnetrão, PECVD, etc...     I. Deposição Química de Vapor Organometálico (MOCVD)     O sistema de crescimento epitaxial MOCVD é um dispositivo altamente complexo e sofisticado, que desempenha um papel crucial na preparação de filmes semicondutores e nanoestruturas de alta qualidade.   O sistema MOCVD consiste em cinco componentes principais, cada um dos quais desempenha funções distintas, mas inter-relacionadas, garantindo coletivamente a eficiência e a segurança do processo de crescimento do material.   1.1 Sistema de Transporte de Gás:A principal responsabilidade deste subsistema é controlar com precisão a entrega de vários reagentes à câmara de reação, incluindo a medição dos reagentes, o tempo e a sequência de sua entrega, bem como a regulação da taxa total de fluxo de gás.   É composto por vários subsistemas, incluindo o subsistema de fornecimento de gás para transportar os reagentes, o subsistema de fornecimento para fornecer fontes organometálicas (MO), o subsistema de fornecimento para fornecer hidretos e a válvula multiplex de crescimento/ventilação para controlar a direção do fluxo de gás. Como mostrado na figura abaixo, é o diagrama esquemático do caminho do gás do sistema de crescimento MOCVD.       Sistema MOCVD de nitreto de grau de pesquisa AIXTRON CCS 3 x 2"       Diagrama esquemático do caminho do gás do sistema MOCVD   1.2 Sistema da Câmara de Reação:Este é o componente principal do sistema MOCVD, responsável pelo processo real de crescimento do material.   Esta seção inclui uma base de grafite para suportar o substrato, um aquecedor para aquecer o substrato, um sensor de temperatura para monitorar a temperatura do ambiente de crescimento, uma janela de detecção óptica e um robô automático de carregamento e descarregamento para manusear o substrato. Este último é usado para automatizar o processo de carregamento e descarregamento, melhorando assim a eficiência da produção. A figura abaixo mostra o diagrama de estado de aquecimento da câmara do reator MOCVD.       Diagrama esquemático do princípio de crescimento na câmara do MOCVD   1.3 Sistema de Controle de Crescimento:Composto por um controlador programável e um computador de controle, é responsável pelo controle e monitoramento precisos de todo o processo de crescimento MOCVD.   O controlador é responsável por coletar, processar e emitir vários sinais, enquanto o computador de controle é responsável por registrar e monitorar cada estágio do crescimento do material, garantindo a estabilidade e a repetibilidade do processo.       1.4 Sistema de Monitoramento In-situ:Consiste em termômetros de radiação infravermelha corrigidos por refletância, equipamentos de monitoramento de refletância e dispositivos de monitoramento de empenamento.   Este sistema pode monitorar os principais parâmetros durante o processo de crescimento do material em tempo real, como a espessura e a uniformidade do filme, bem como a temperatura do substrato. Assim, ele permite ajustes e otimizações imediatas do processo de crescimento.     1.5 Sistema de Tratamento de Gás de Exaustão:Responsável por lidar com as partículas e gases tóxicos gerados durante o processo de reação.   Por meio de métodos como craqueamento ou catálise química, essas substâncias nocivas podem ser efetivamente decompostas e absorvidas, garantindo a segurança do ambiente operacional e a conformidade com os padrões de proteção ambiental.   Além disso, os equipamentos MOCVD são geralmente instalados em salas ultralimpas equipadas com sistemas avançados de alarme de segurança, dispositivos de ventilação eficazes e sistemas rigorosos de controle de temperatura e umidade. Essas instalações auxiliares e medidas de segurança não apenas garantem a segurança dos operadores, mas também aprimoram a estabilidade do processo de crescimento e a qualidade dos produtos finais.   O projeto e a operação do sistema MOCVD refletem os altos padrões de precisão, repetibilidade e segurança exigidos no campo da fabricação de materiais semicondutores. É uma das principais tecnologias para a fabricação de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos de alto desempenho.   O sistema de cabeça de pulverização de acoplamento próximo (Closed-Coupled-Showerhead, CCS) do tipo vertical na câmara do equipamento é usado para cultivar filmes epitaxiais.   Este sistema é projetado com uma estrutura de cabeça de pulverização exclusiva. Sua principal característica reside na capacidade de reduzir efetivamente as pré-reações e obter uma mistura eficiente de gás. Esses gases são injetados na câmara de reação através dos orifícios de pulverização intercalados na cabeça de pulverização, onde se misturam totalmente e, assim, melhoram a uniformidade e a eficiência da reação.   O projeto da estrutura da cabeça de pulverização permite que o gás de reação seja distribuído uniformemente no substrato localizado abaixo dele, garantindo a consistência da concentração do gás de reação em todas as posições no substrato. Isso é crucial para formar um filme epitaxial com espessura uniforme.   Além disso, a rotação do disco de grafite promove ainda mais a uniformidade da camada limite da reação química, permitindo um crescimento mais uniforme do filme epitaxial. Esse mecanismo rotacional, reduzindo a camada limite da fina reação química, ajuda a minimizar as diferenças de concentração local, aprimorando assim a uniformidade geral do crescimento do filme.       (a) A cabeça de pulverização real e sua foto parcialmente ampliada, (b) A intenção da estrutura interna da cabeça de pulverização         II. Sputtering por Magnetrão     O sputtering por magnetrão é uma técnica de deposição física de vapor comumente usada para deposição de filmes finos e revestimento de superfícies.   Ele usa um campo magnético para liberar os átomos ou moléculas de um material alvo da superfície do alvo e, em seguida, forma um filme na superfície do material do substrato.   Esta tecnologia é amplamente aplicada na fabricação de dispositivos semicondutores, revestimentos ópticos, revestimentos cerâmicos e outros campos.       Diagrama esquemático do princípio do sputtering por magnetrão       O princípio do sputtering por magnetrão é o seguinte:   1. Seleção do material alvo:O material alvo é o material que deve ser depositado no material do substrato. Pode ser metais, ligas, óxidos, nitretos, etc. O material alvo é geralmente fixado em um dispositivo chamado pistola alvo.   2. Ambiente de vácuo:O processo de sputtering deve ser realizado em um ambiente de alto vácuo para evitar a interação entre as moléculas de gás e o material alvo. Isso ajuda a garantir a pureza e a uniformidade do filme depositado.   3. Gás ionizado:Durante o processo de sputtering, um gás inerte (como argônio) é geralmente introduzido para ionizá-lo em um plasma. Esses íons, sob a influência de um campo magnético, formam uma nuvem de elétrons, que é chamada de "plasma de nuvem de elétrons".   4. Aplicação de campo magnético:Um campo magnético é aplicado entre o material alvo e o material do substrato. Este campo magnético confina o plasma da nuvem de elétrons à superfície do material alvo, mantendo assim um estado de alta energia.   5. Processo de sputtering:Ao aplicar um plasma de nuvem de elétrons de alta energia, os átomos ou moléculas do material alvo são atingidos, sendo assim liberados. Esses átomos ou moléculas liberados se depositarão na forma de vapor na superfície do material do substrato, formando um filme.     As vantagens do sputtering por magnetrão incluem:   1. Uniformidade do filme depositado:O campo magnético pode ajudar a controlar a transmissão de íons, obtendo assim uma deposição uniforme do filme, garantindo que a espessura e as propriedades do filme permaneçam consistentes em toda a superfície do substrato.   2. Preparação de ligas e compostos complexos:O sputtering por magnetrão pode ser usado para fabricar filmes de ligas e compostos complexos, o que pode ser mais difícil de obter por meio de outras técnicas de deposição.   3. Controlabilidade e modificabilidade:Ao ajustar parâmetros como a composição do material alvo, a pressão do gás e a taxa de deposição, as propriedades do filme, incluindo espessura, composição e microestrutura, podem ser precisamente controladas.   4. Filmes de alta qualidade:O sputtering por magnetrão pode tipicamente produzir filmes de alta qualidade, densos e uniformes, com excelente adesão e propriedades mecânicas.   5. Multifuncionalidade:É aplicável a vários tipos de materiais, incluindo metais, óxidos, nitretos, etc. Portanto, tem amplas aplicações em diferentes campos.   6. Deposição em baixa temperatura:Comparado com outras técnicas, o sputtering por magnetrão pode ser realizado em baixas temperaturas ou mesmo em temperatura ambiente, tornando-o adequado para aplicações em que o material do substrato é sensível à temperatura.   No geral, o sputtering por magnetrão é uma tecnologia de fabricação de filmes finos altamente controlável e flexível, aplicável a uma ampla gama de campos de aplicação, de dispositivos eletrônicos a revestimentos ópticos, etc.     III. Deposição Química de Vapor Aprimorada por Plasma     A tecnologia de Deposição Química de Vapor Aprimorada por Plasma (PECVD) é amplamente utilizada na preparação de vários filmes (como silício, nitreto de silício e dióxido de silício, etc.).   O diagrama estrutural do sistema PECVD é mostrado na figura a seguir.       Diagrama esquemático da estrutura do sistema de deposição química de vapor aprimorada por plasma   O princípio básico é o seguinte: Substâncias gasosas contendo os componentes do filme são introduzidas na câmara de deposição. Usando descarga de plasma, as substâncias gasosas sofrem reações químicas para gerar plasma. Quando este plasma é depositado no substrato, um material de filme é cultivado.   Os métodos para iniciar a descarga de brilho incluem: excitação por radiofrequência, excitação por alta tensão de corrente contínua, excitação por pulso e excitação por micro-ondas.   A espessura e a composição dos filmes preparados por PECVD exibem excelente uniformidade. Além disso, os filmes depositados por este método têm forte adesão e podem atingir altas taxas de deposição em temperaturas de deposição relativamente baixas.   De modo geral, o crescimento de filmes finos envolve principalmente os três processos a seguir:   O primeiro passo é que o gás reativo, sob a excitação do campo eletromagnético, sofre uma descarga de brilho para gerar plasma.   Durante este processo, os elétrons colidem com o gás reativo, iniciando uma reação primária, que leva à decomposição do gás reativo e à geração de íons e grupos reativos.   O segundo passo é que os vários produtos gerados a partir da reação primária se movem em direção ao substrato, enquanto vários grupos ativos e íons sofrem reações secundárias para formar produtos secundários.   O terceiro passo envolve a adsorção de vários produtos primários e secundários na superfície do substrato e sua subsequente reação com a superfície. Concomitantemente, há a liberação de substâncias moleculares gasosas.       IV. Técnicas de Caracterização de Filmes Finos     4.1 Difração de Raios X (DRX)   DRX (Difração de Raios X) é uma técnica comumente usada para analisar estruturas cristalinas.   Ele revela informações como os parâmetros da rede, a estrutura cristalina e a orientação cristalina do material, medindo os padrões de difração de raios X na estrutura cristalina dentro do material.   A DRX é amplamente utilizada em vários campos, como ciência dos materiais, física do estado sólido, química e geologia.       Diagrama esquemático do princípio de teste de DRX   Princípio de funcionamento: O princípio básico da DRX é baseado na lei de Bragg. Ou seja, quando um feixe incidente é irradiado em uma amostra cristalina, se a rede atômica ou iônica no cristal estiver em um arranjo específico, os raios X serão difratados. O ângulo e a intensidade da difração podem fornecer informações sobre a estrutura do cristal.       Difratômetro de raios X Bruker D8 Discover   Composição do instrumento: Um instrumento DRX típico consiste nos seguintes componentes:   1. Fonte de raios X: Um dispositivo que emite raios X, geralmente usando alvos de tungstênio ou cobre para gerar raios X.   2. Plataforma de amostra: Uma plataforma para colocar amostras, que pode ser girada para ajustar o ângulo das amostras.   3. Detector de raios X: Usado para medir a intensidade e o ângulo da luz de difração.   4. Sistema de Controle e Análise: Isso inclui o sistema de software para controlar a fonte de raios X, aquisição de dados, análise e interpretação.     Campos de aplicação: A DRX tem aplicações importantes em muitos campos, incluindo, mas não se limitando a:   1. Pesquisa cristalográfica: Usado para analisar a estrutura cristalina de cristais, determinar os parâmetros da rede e a orientação cristalina.   2. Caracterização de materiais: Analisar informações como a estrutura cristalina, composição de fase e defeitos cristalinos do material.   3. Análise química: Identificar as estruturas cristalinas de compostos inorgânicos e orgânicos e estudar as interações entre as moléculas.   4. Análise de filmes: Isso é usado para estudar a estrutura cristalina, espessura e correspondência de rede do filme.   5. Mineralogia e Geologia: Usado para identificar os tipos e conteúdos de minerais e estudar a composição de amostras geológicas.   6. Pesquisa de medicamentos: Analisar a estrutura cristalina de um medicamento é útil para entender suas propriedades e interações.   No geral, a DRX é uma técnica analítica poderosa que permite que cientistas e engenheiros obtenham uma compreensão profunda da estrutura cristalina e das propriedades dos materiais, promovendo assim a pesquisa e as aplicações em ciência dos materiais e campos relacionados.       Foto do difratômetro DRX       4.2 Microscópio Eletrônico de Varredura (MEV)   O microscópio eletrônico de varredura (MEV) é um tipo de microscópio comumente usado. Ele usa um feixe de elétrons em vez de um feixe de luz para iluminar a amostra, permitindo a observação de alta resolução da superfície e da morfologia.   O MEV é amplamente utilizado em campos como ciência dos materiais, biologia e geologia.     O princípio básico de funcionamento do MEV é o seguinte:   O MEV usa uma pistola de elétrons para gerar um feixe de elétrons. Esta pistola de elétrons é semelhante à encontrada em um tubo de elétrons (CRT), gerando elétrons de alta energia. O feixe de elétrons passa por um sistema de colimação, que consiste em uma série de lentes eletrônicas, para focar e alinhar o feixe de elétrons, garantindo a estabilidade e o foco do feixe. Sob o controle da bobina de varredura, o feixe de elétrons varre a superfície da amostra.   A posição do feixe de elétrons pode ser precisamente controlada, gerando assim pixels de varredura na amostra.   A amostra é colocada na platina do MEV. A amostra precisa ser condutora porque no MEV, o feixe de elétrons precisa interagir com a superfície da amostra para gerar elétrons secundários, etc. Quando feixes de elétrons de alta energia atingem a superfície da amostra, eles interagem com os átomos e moléculas na amostra. Essas interações causam a dispersão, fuga e excitação de elétrons, gerando vários sinais. A detecção MEV analisa os vários sinais gerados a partir da superfície da amostra, incluindo principalmente elétrons secundários (SE) e elétrons retroespalhados (BSE).   Esses sinais fornecem informações sobre a morfologia da superfície, estrutura e composição da amostra. Ao controlar a posição de varredura do feixe de elétrons na amostra, o MEV pode obter as informações de pixel da superfície da amostra. Essas informações são processadas e exibidas por um computador, gerando imagens de alta resolução da superfície da amostra.       Imagem física do MEV       4.3 Microscópio de Força Atômica (MFA)   O Microscópio de Força Atômica (MFA) é uma técnica microscópica de alta resolução, usada principalmente para observar as características de amostras em escala atômica e nanométrica. Seu princípio de funcionamento é baseado na interação entre a sonda e a superfície da amostra. Ao medir as mudanças de posição da sonda, ele pode obter a topografia e as informações topológicas da superfície da amostra.   No MFA, uma sonda muito fina, geralmente feita de silício ou outros materiais com uma ponta em nanoescala, é usada. A sonda é conectada à cabeça de varredura por meio de um cantilever ou um dispositivo piezoelétrico, com a ponta da sonda próxima à superfície da amostra. Quando a sonda está próxima da superfície da amostra, ocorrem interações entre os átomos e moléculas da amostra e a sonda, incluindo forças eletrostáticas, forças de van der Waals e interações de ligação química, etc. O movimento do cantilever ou dispositivo piezoelétrico é controlado para manter uma certa força entre a ponta da sonda e a superfície da amostra.   O MFA emprega um sistema de feedback para manter uma força constante entre a sonda e a amostra. Quando a altura ou posição da sonda muda, o sistema de feedback ajusta automaticamente a posição do cantilever para manter a força constante. A sonda e a amostra se movem em relação um ao outro, geralmente em uma grade bidimensional, formando uma varredura. Em cada ponto de varredura, a irregularidade da superfície da amostra faz com que a posição da ponta da sonda mude. Ao medir a mudança de posição da sonda, as informações topológicas da superfície da amostra podem ser obtidas. Finalmente, os dados coletados são processados para gerar uma imagem topológica de alta resolução da superfície da amostra.   O MFA tem amplas aplicações em vários campos. É usado em áreas como ciência dos materiais, biologia e nanotecnologia, ajudando os pesquisadores a obter uma compreensão mais profunda da morfologia e estrutura da superfície dos materiais e até mesmo permitindo a manipulação de estruturas em nanoescala.   As vantagens do MFA incluem alta resolução, não destrutividade e múltiplos modos de trabalho, tornando-o uma ferramenta poderosa para observar e pesquisar em nanoescala.       Imagem física do MFA       Diagrama esquemático do princípio de medição e modo de trabalho da microscopia de força atômica       Conclusão     A ZMSH é especializada em tecnologias avançadas de deposição de filmes finos, incluindo MOCVD, Sputtering por Magnetrão e PECVD, oferecendo desenvolvimento de processos sob medida para aplicações de semicondutores, optoeletrônica e revestimento funcional. Nossos serviços abrangem design de sistema personalizado, otimização de parâmetros e crescimento de filmes de alta pureza, juntamente com a venda de equipamentos de deposição de precisão para atender às necessidades de P&D e produção industrial.       Aqui estão os produtos SiC recomendados pela ZMSH:                 * Entre em contato conosco para quaisquer preocupações com direitos autorais, e nós as abordaremos prontamente.      

O carburo de silício ilumina óculos AR, abrindo instantaneamente um mundo ilimitado de visão     Na atual era tecnológica em rápida evolução, a tecnologia de RA está gradualmente se tornando uma nova geração de ferramentas de produtividade que mudam nosso estilo de vida. AR é a abreviação de Realidade Aumentada.Os óculos de realidade aumentada permitem ao usuário sobrepor cenas virtuais ao mundo real e alcançar a integração e interação de elementos virtuais e reais através de sensores e computação..   Imagina um dia que pudesses, como o Homem de Ferro num filme de ficção científica, usar óculos elegantes e elegantes,e instantaneamente ser capaz de ver todos os tipos de informações relevantes sem qualquer obstrução para a sua visão.     Use carburo de silício para fazer as lentes     O carburo de silício (SiC) é realmente um tipo de material semicondutor.Foi incluída nas "100 melhores palavras científicas de 2023" divulgadas pelo Departamento de Publicidade da Associação Chinesa de Ciência e Tecnologia.. Tradicionalmente, tem sido utilizado como matéria-prima industrial em domínios como materiais refratários e matérias-primas metalúrgicas.   A micro-nano-óptica é uma disciplina emergente que manipula fenômenos ópticos em escala microscópica. Para atender às demandas da indústria e promover a implementação dos resultados da investigação científica, concentramos-nos na investigação e desenvolvimento de produtos como os guias de ondas ópticos difractivos AR,elementos ópticos difractivos, e dispositivos ópticos de metamateriais. O avanço tecnológico de 0 para 1 em modelos de nanoimpressão de ponta na China preencheu a lacuna na cadeia industrial de RA doméstica.   Combinando a força da tecnologia óptica micro-nano com as propriedades perfeitas do material,Estes óculos AR de carburo de silício ultrafinos foram criados e saíram do laboratório para entrar na visão do público..   À primeira vista, este par de óculos não parece diferente dos comuns. Mas, depois de usá-los, parece que são muito mais finos e leves do que os óculos comuns normalmente usados.             Mais claro e mais claro     Este par de óculos faz com que a ficção científica se torne realidade.     Um cenário de aplicação vívido: "Ponha os óculos de RA e os outros podem apenas vê-lo sentado.Quando olhas para as pessoas à tua volta, os seus nomes e informações aparecerão perto das suas cabeças, permitindo-lhe dizer adeus a enfrentar a cegueira para sempre. Usando estes óculos, você pode reconhecer todos e também todas as plantas e flores".   Imagine um par de óculos AR com lentes de apenas 5,4 gramas e uma espessura de apenas 0,55 milímetros. Ao contrário das lentes de vidro tradicionais de múltiplas camadas com alto índice de refração, graças ao índice de refração ultra-alto do material de carburo de silício,Esta nova tecnologia pode completar tarefas de exibição a cores completas com apenas uma única camada de guia de ondasIsto não só reduz significativamente o peso das lentes, mas também comprime ainda mais o volume através da tecnologia de embalagem ultrafina, fazendo com que o usuário dificilmente sinta a sua presença.   Depois de usar estes óculos de RA, vai sentir como se tivesse entrado num mundo completamente novo, porque podem sobrepor imagens virtuais claras e extensas sobre o ambiente real,É como mudar de uma pequena janela para uma grande porta.. O guia de onda de carburo de silício de uma única camada pode, teoricamente, suportar imagens a cores de 80 graus,Excedendo em muito o ângulo máximo de 40 graus do campo de visão em cores que o vidro tradicional de alto índice de refração pode fornecer. Um campo de visão maior significa uma melhor imersão e experiência, sejam as cenas fantásticas de um jogo ou a visualização de dados no trabalho, trará uma festa visual sem precedentes.             Em relação à preocupação de muitas pessoas sobre o fenômeno do "padrão arco-íris", desta vez apresentamos a solução. O padrão do arco-íris ocorre porque a luz ambiente que passa pela superfície do guia de ondas sofre efeito de difração, criando um efeito semelhante ao arco-íris. Com o projeto preciso da estrutura do guia de ondas, este problema foi completamente eliminado, apresentando aos utilizadores uma imagem limpa e clara. Ao mesmo tempo, aproveitando a excelente condutividade térmica do material de carburo de silício, este par de óculos utiliza de forma inovadora as lentes para dissipação de calor,Melhoria significativa da eficiência da dissipação de calor, fazendo com que a exibição a cores em quadros completos deixe de ser uma expectativa irrealista.   Entretanto, ao contrário dos modelos anteriores que requeriam múltiplas camadas de guias de onda para conseguir efeitos a cores,Estes óculos AR de carburo de silício só precisam de um guia de ondas para apresentar uma rica variedade de conteúdoAlém disso, elimina de forma inovadora a necessidade de um vidro de cobertura. Isto simplifica significativamente o processo de produção e permite que mais pessoas desfrutem da conveniência proporcionada por esta tecnologia de ponta.   À medida que mais e mais soluções inovadoras parecidas continuam a surgir, podemos prever que, num futuro próximo, a tecnologia de RA será verdadeiramente integrada na vida diária,inaugurando uma nova era cheia de possibilidades ilimitadas. Seja na educação, na saúde, no entretenimento ou nos campos industriais, os óculos AR se tornarão a ponte que liga o mundo digital e o mundo real.   Em relação aos óculos AR de carburo de silício, tem mais alguma pergunta?   P1: Quais são as diferenças entre os óculos AR de carburo de silício lançados desta vez e o Apple Vision Pro?   A1: Vision Pro é um produto de realidade mista (MR) que combina VR e AR. É relativamente volumoso. Devido à sua dependência de câmeras para importar imagens externas, pode causar distorção ou tontura. Em contraste, os óculos AR são projetados com lentes transparentes, apresentando principalmente o mundo real e adicionando elementos virtuais apenas quando necessário,reduzir a sensação de tontura e procurar uma experiência de uso mais leve e confortável.     P2: As pessoas com miopia podem usar óculos AR? As lentes de carburo de silício podem ser compatíveis com funções de RA e correção de miopia?   R2: Existem várias maneiras de corrigir a miopia, tais como colocar a lente perto da lente míope ou usar novas tecnologias, como lentes de Fresnel. O nosso objectivo final no futuro é personalizar soluções com base nas necessidades individuais.   P3: O material SiC (carbono de silício) é caro? As pessoas podem comprar óculos feitos com este material?   R3: Embora o preço atual das lentes de carburo de silício seja relativamente alto, por exemplo, uma lente de quatro polegadas que usamos para fazer as lentes custa cerca de dois a três mil yuans,e uma lente de seis polegadas custa cerca de três a quatro mil yuans. Contudo, à medida que a tecnologia se torna mais madura e a produção em larga escala é alcançada, espera-se que o preço das lentes de carburo de silício diminua significativamente no futuro.   Por exemplo, atualmente usamos luzes LED. O substrato usado nas lâmpadas LED é safira.Mas o preço atual caiu de vários milhares de yuans por peça para apenas algumas dezenas de yuans.. Se os nossos óculos AR de carburo de silício puderem ser amplamente adotados, com uma produção anual de várias centenas de milhares ou vários milhões de peças,Acredito que o preço também cairá de vários milhares de yuans para várias centenas de yuans., e talvez um dia possa chegar a apenas algumas dezenas de yuans.     Conclusão   Como inovadora no campo dos dispositivos fotônicos de carburo de silício, a ZMSH é especializada em P&D e produção em massa de superlentes 4H-SiC e tecnologias de guia de onda AR.Aproveitamento de processos de litografia de nanoimpressão desenvolvidos internamente e capacidades de processamento a nível de wafer, fornecemos lentes AR de carburo de silício com alta condutividade térmica (120 W/m·K), perfis ultrafinos (0,55 mm) e desempenho de exibição de arco-íris zero,com um diâmetro superior a 30 mm,Apoiamos a personalização de processos completos, desde a seleção de materiais (por exemplo, wafers de SiC de 6 polegadas) até o design óptico e através da tecnologia de embalagem a nível de wafer,Conseguimos uma melhoria de 100x no desempenho de dissipação de calorEm colaboração com fabricantes líderes como a Tianke Heada, impulsionamos a produção em massa de substratos de grande porte de 8 polegadas, ajudando os clientes a reduzir os custos de material em 40%.     Substrato de SiC do ZMSH de tipo 4H-semi       * Por favor, entre em contato conosco para quaisquer dúvidas sobre direitos autorais, e nós os resolveremos prontamente.      

Haste de laser de rubi sintético – Uma pedra angular da inovação a laser       Os lasers são agora ferramentas fundamentais em vários setores — da saúde e comunicações à automação industrial e descoberta científica. Entre todos os tipos de laser desenvolvidos nas últimas décadas, o laser de rubi ocupa uma posição marcante na história, sendo o primeiro sistema laser demonstrado com sucesso. No seu cerne está a haste de laser de rubi sintético, um meio de ganho de estado sólido que permite a geração de luz vermelha coerente e poderosa. Este artigo aprofunda-se na ciência por trás das hastes de laser de rubi, sua estrutura, princípios de operação e sua importância duradoura na tecnologia laser.   1. O que é uma haste de laser de rubi? Uma haste de laser de rubi é um cristal cilíndrico feito de rubi sintético, que é essencialmente óxido de alumínio (Al₂O₃) dopado com uma pequena concentração de íons de cromo (Cr³⁺). Embora o Al₂O₃ puro seja transparente, a adição de cromo dá ao rubi sua tonalidade vermelha ou rosa distinta e, mais importante, cria os centros ativos necessários para a ação do laser. Em um sistema laser, o meio ativo é o material responsável pela amplificação da luz através do processo de emissão estimulada. Em lasers de rubi, a haste de rubi sintético funciona como este meio ativo, absorvendo energia e convertendo-a em luz vermelha intensa e coerente. 2. Estrutura física da haste de laser de rubi As hastes de laser de rubi são tipicamente fabricadas em formatos cilíndricos, com diâmetros variando de alguns milímetros até 10 mm e comprimentos entre 30 a 150 mm, dependendo dos requisitos da aplicação. Esta geometria otimiza a reflexão interna da luz e o ganho dentro da cavidade do laser.   A concentração de dopagem de íons Cr³⁺ é geralmente em torno de 0,05%, um nível cuidadosamente calibrado que equilibra a eficiência de absorção e a emissão de luz. Os átomos de cromo são introduzidos durante o crescimento do cristal, substituindo alguns átomos de alumínio na rede de safira para formar os centros de laser. 3. Princípio de funcionamento da haste de laser de rubi 3.1 Excitação de íons de cromo O laser de rubi é um laser de estado sólido bombeado por lâmpada flash. Quando a luz de alta energia de uma lâmpada flash de xenônio irradia a haste de rubi, os íons Cr³⁺ absorvem fótons, particularmente nas regiões verde e azul do espectro visível. Este processo de excitação eleva os elétrons a níveis de energia mais altos. 3.2 Estado metaestável e inversão de população Após a excitação, os elétrons nos íons Cr³⁺ caem para um estado metaestável, onde podem permanecer por microssegundos sem perder energia. Este atraso permite o acúmulo de uma inversão de população — uma condição em que mais elétrons ocupam o estado excitado do que o estado fundamental. Este é um pré-requisito para que a emissão estimulada ocorra. 3.3  Emissão estimulada e saída do laser Quando um fóton do comprimento de onda correto (694,3 nm, vermelho profundo) interage com um íon Cr³⁺ excitado, ele aciona a emissão de um segundo fóton em fase e direção perfeitas — luz coerente. Esta reação em cadeia de geração de fótons é o que produz o poderoso feixe de laser. 3.4 Ressonador óptico e amplificação A haste de rubi é colocada entre dois espelhos formando uma cavidade óptica ressonante. Um espelho é totalmente refletivo e o outro é parcialmente transmissivo. A luz reflete várias vezes através da haste, estimulando emissões adicionais, até que a luz coerente saia como um feixe de laser estreito do acoplador de saída. 4. Papel pioneiro na história do laser O laser de rubi fez história em 1960, quando o físico Theodore Maiman demonstrou pela primeira vez sua operação nos Hughes Research Laboratories. Foi o primeiro dispositivo a transformar o conceito teórico de LASER (Amplificação de Luz por Emissão Estimulada de Radiação) em realidade. Esta descoberta lançou as bases para décadas de inovação óptica e posicionou o laser de rubi como a base de todas as tecnologias laser. 5. Vantagens e desvantagens dos lasers de rubi 5.1 Vantagens i. Design simples Os lasers de rubi são estruturalmente simples, tornando-os acessíveis para educação, prototipagem e pesquisa. ii. Meio de estado sólido durável A haste de rubi sintético é mecanicamente robusta, quimicamente estável e menos sensível às condições ambientais do que os lasers a gás ou corante. iii. Excelente qualidade do feixe Produz um feixe vermelho coerente e bem colimado com alta resolução espacial — ideal para holografia e certas aplicações médicas. iv. Importância histórica Os lasers de rubi representam um marco tecnológico e continuam sendo um símbolo da inovação laser. 6. Aplicações de lasers de rubi Embora superados por tipos de laser modernos como Nd:YAG, fibra ou lasers de diodo, os lasers de rubi ainda são usados em áreas de nicho onde seu comprimento de onda específico e saída pulsada são vantajosos: Holografia A luz vermelha coerente e estável é ideal para gravar padrões de interferência com alta precisão. Dermatologia médica Os lasers de rubi têm sido usados para remoção de tatuagens, tratamento de pigmentação e rejuvenescimento da pele devido aos seus pulsos curtos e de alta energia. Pesquisa em ciência dos materiais Utilizado em estudos envolvendo interação luz-matéria, ruptura induzida por laser e experimentos de aquecimento pulsado. LIDAR e telêmetro iniciais Os pulsos vermelhos de alta energia são eficazes para medir longas distâncias e detectar superfícies com precisão. Conclusão A haste de laser de rubi sintético continua sendo um componente icônico na história da tecnologia laser. Ao aproveitar a dinâmica de energia da safira dopada com cromo, ele permitiu a primeira demonstração bem-sucedida de amplificação de luz coerente. Embora as tecnologias mais recentes tenham tomado seu lugar nas aplicações convencionais, a influência do laser de rubi persiste tanto na herança científica quanto em casos de uso especializados. Ele serve não apenas como uma ferramenta funcional, mas também como um símbolo de engenhosidade científica e o início da era do laser.

Observações sobre lasers de alta energia e componentes ópticos SiC   Por que carburo de silício para óptica a laser de alta energia?   Os cristais de carburo de silício (SiC) podem suportar temperaturas de até1600 °C, possuem uma elevada dureza, apresentam uma deformação mínima a altas temperaturas e oferecem uma excelente transparêncialuz vermelha visível a infravermelhoEstas propriedades tornam o SiC ummaterial idealparaModulos a laser de alta potência,Reflectores ópticos,Óptica de colimação, ejanelas de transmissão.     Mudança no cenário do projeto de lasers de alta energia   No passado, a maioria dos sistemas de laser de alta potência baseava-se emLaser de fibras de pulso ultracurtoouLaser de focagem baseado em refletores em larga escalaNo entanto, estas configurações sofreram frequentemente dedireccionalidade limitada do feixe,densidade energética, ecarga térmica.   Tendências recentes na procura de desenvolvimento de sistemas a laser: Maiores saídas de energia Propagação do feixe de longo alcance Divergência e colimação de feixe mais estreitas Modulos ópticos leves e compactos   A óptica baseada no SiC está agora a ganhar força como solução para estas necessidades em evolução, possibilitadas pelos recentes progressos naCriação de cristais e fabricação de ultra-precisãoTecnologias.     Óptica SiC: da teoria à aplicação   Com o amadurecimento do processamento de componentes de SiC e mesmoÓptica de cristal de diamanteO futuro parece promissor para osimplantação em escala industrial.     Intersecção com a óptica de RA e os desafios da nanoestrutura Os desafios de microfabricação na óptica a laser SiC são notavelmente semelhantes aos daGuias de ondas AR baseadas em SiC:       Está tudo ligado.Wafers de SiC de 4 / 6 / 8 polegadascom:   Criaranti-reflexo (AR)nanoestruturas MelhoriaEficiência de transmissão ou reflexo PadronizaçãoEstruturas de grelha de sub-longos de onda Periodicidade de 100-500 nm Precisão de profundidade em escala nanométrica   Não são tarefas fáceis, sobretudo num material comoduro e quimicamente inertecomo SiC.   Paisagem global da investigação Instituições comoUniversidade Westlake,Harvard, e outros começaram a explorar este campo.     Um dos maiores obstáculos?Mesmo que oWafers de SiCsão acessíveis,Como é que se gravam nanoestruturas periódicas sub-micrônicas?Em um material tão duro sem destruí-lo?     Retorno: Gravar SiCHá uma década. Há mais de uma décadaa)Wafer de SiC de 4 polegadasCusto superior10, 000 RMBMas adivinha, funcionou.     ConseguimosEstruturas anti-refletoras (AR) de sub-longitude de ondaem SiC que reduziram a reflectância superficial em mais de30%¢ sem utilizar qualquer ferramenta de fotolitografia.

Uma Introdução às Técnicas de Deposição por Epitaxia na Fabricação de Semicondutores   No processamento de semicondutores, fotolitografiaespécies primáriasataque químico são frequentemente as etapas mais comumente discutidas. Mas, logo ao lado delas, está outra categoria crucial: deposição por epitaxiarevestimentos ópticos   Por que esses processos de deposição são essenciais na fabricação de chips? Aqui está uma analogia: imagine um pão achatado simples e quadrado. Sem nenhuma cobertura, é insípido e sem graça. Algumas pessoas preferem colocar manteiga de amendoim na superfície; outras preferem doce e espalham xarope. Esses revestimentos mudam drasticamente o sabor e o caráter do pão achatado. Nesta analogia, o pão achatado representa o , que são então depositados em um , e o revestimento representa uma camada funcional. Assim como coberturas diferentes criam sabores diferentes, filmes depositados diferentes conferem propriedades elétricas ou ópticas totalmente diferentes à pastilha base.   Na fabricação de semicondutores, uma ampla gama de camadas funcionais é depositada em pastilhas para construir dispositivos. Cada tipo de camada requer um método de deposição específico. Neste artigo, apresentamos brevemente várias técnicas de deposição amplamente utilizadas, incluindo: MOCVD (Deposição Química de Vapor Metal-Orgânica) . PECVD (Deposição Química de Vapor Aprimorada por Plasma)     1. Deposição Química de Vapor Metal-Orgânica (MOCVD)   MOCVD é uma técnica crítica para a deposição de camadas de semicondutores epitaxiais de alta qualidade. Esses filmes monocristalinos servem como as camadas ativas em LEDs, lasers e outros dispositivos de alto desempenho.       Um sistema MOCVD padrão consiste em cinco subsistemas principais, cada um desempenhando um papel essencial e coordenado para garantir a segurança, precisão e reprodutibilidade do processo de crescimento: (1) Sistema de Fornecimento de Gás Este subsistema controla com precisão o fluxo, o tempo e a proporção de vários gases de processo introduzidos no reator. Inclui:Linhas de gás de transporte (comumente N₂ ou H₂)Linhas de fornecimento de precursores metal-orgânicos, muitas vezes por meio de borbulhadores ou vaporizadoresFontes de gás hidreto (por exemplo, NH₃, AsH₃, PH₃)Coletores de comutação de gás             para controlar os caminhos de crescimento/purga (2) Sistema do Reator Aplicação de Campo MagnéticoUm susceptor de grafite revestido com SiC Aplicação de Campo MagnéticoUm sistema de aquecimento (por exemplo, aquecedores RF ou resistivos) para controlar a temperatura do substratoSensores de temperatura (termopares ou pirômetros IR)Visores ópticos para diagnósticos in-situSistemas automatizados de manuseio de pastilhas     para carregamento/descarregamento eficiente do substrato(3) Sistema de Controle de Processo Todo o processo de crescimento é gerenciado por uma combinação de: Controladores lógicos programáveis (CLPs) Controladores de fluxo de massa (CFMs) Aplicação de Campo MagnéticoUm computador host para gerenciamento de receitas e monitoramento em tempo real   Esses sistemas garantem o controle preciso da temperatura, taxas de fluxo e tempo em cada estágio do processo. (4) Sistema de Monitoramento In-Situ Para manter a qualidade e consistência do filme, ferramentas de monitoramento em tempo real são integradas, como:Sistemas de reflectometria reduz a variação da camada limite, melhorando ainda mais a espessura da camada epitaxial e a taxa de crescimentoSensores de curvatura da pastilha para detectar tensão ou curvaturaPirômetros infravermelhos com compensação de refletividade para medição precisa da temperatura   Essas ferramentas permitem ajustes imediatos do processo, melhorando a uniformidade e a qualidade do material. (5) Sistema de Abatimento de Exaustão Subprodutos tóxicos e pirofóricos gerados durante o processo — como arsina ou fosfina — devem ser neutralizados. O sistema de exaustão normalmente inclui: Lavadores-queimadores Oxidantes térmicos Lavadores químicos     Estes garantem a conformidade com os padrões de segurança e ambientais.   Configuração do Reator Close-Coupled Showerhead (CCS)Muitos sistemas MOCVD avançados adotam um design Close-Coupled Showerhead (CCS) , especialmente para epitaxia baseada em GaN. Nesta configuração, uma placa de chuveiro injeta gases do grupo III e do grupo V separadamente, mas muito próximos do substrato rotativo.Isso minimiza reações parasitárias na fase gasosa e aumenta a eficiência de utilização do precursor. A curta distância entre a placa de chuveiro e a pastilha garante uma distribuição uniforme do gás em toda a superfície da pastilha. Enquanto isso, a rotação do susceptor reduz a variação da camada limite, melhorando ainda mais a uniformidade da espessura da camada epitaxial         .   Magnetron SputteringMagnetron sputtering é uma técnica amplamente utilizada de deposição física de vapor (PVD) para fabricar camadas funcionais e revestimentos de superfície. Ele emprega um campo magnético para aumentar a ejeção de átomos ou moléculas de um material alvo, que são então depositados em um substrato             para formar um filme fino. Este método é amplamente aplicado na fabricação de dispositivos semicondutores, revestimentos ópticos, filmes cerâmicos e muito mais.   Princípio de Funcionamento do Magnetron Sputtering Seleção do Material AlvoO alvo é o material de origem a ser depositado no substrato. Pode ser um fotovoltaica, fotovoltaica, fotovoltaica, nitreto ou outro composto. O alvo é montado em um dispositivo conhecido como revestimentos ópticos   . Ambiente de VácuoO processo de sputtering é conduzido em condições de alto vácuo para minimizar interações indesejadas entre os gases do processo e contaminantes ambientais. Isso garante a espécies primárias e uniformidade   do filme depositado. Geração de PlasmaUm gás inerte, tipicamente argônio (Ar), é introduzido na câmara e ionizado para formar um plasma. Este plasma consiste em espécies primárias e elétrons livres   , que são essenciais para iniciar o processo de sputtering. Aplicação de Campo MagnéticoUm campo magnético é aplicado perto da superfície do alvo. Este campo magnético prende os elétrons perto do alvo, aumentando o comprimento de seu caminho e aumentando a eficiência de ionização — levando a uma região de plasma denso conhecida como revestimentos ópticos   . Processo de SputteringOs íons Ar⁺ são acelerados em direção à superfície do alvo com polarização negativa, bombardeando-a e desalojando átomos do alvo por meio da transferência de momento. Esses átomos ou aglomerados ejetados viajam então pela câmara e se condensam no substrato, formando uma revestimentos ópticos     Deposição Química de Vapor Aprimorada por Plasma (PECVD) Deposição Química de Vapor Aprimorada por Plasma (PECVD)Deposição Química de Vapor Aprimorada por Plasma (PECVD) é uma técnica amplamente utilizada para depositar uma variedade de filmes finos funcionais, como fotovoltaica, MEMS e dióxido de silício (SiO₂)   . Um diagrama esquemático de um sistema PECVD típico é mostrado abaixo. Princípio de FuncionamentoEm PECVD, precursores gasosos contendo os elementos de filme desejados são introduzidos em uma câmara de deposição a vácuo. Uma descarga luminosa é gerada usando uma fonte de energia externa, que excita os gases em um estado de plasma. As espécies reativas no plasma sofrem reações químicas, levando à formação de um filme sólido na revestimentos ópticos . A excitação do plasma pode ser alcançada usando diferentes fontes de energia, incluindo:Excitação por radiofrequência (RF) , Excitação por alta tensão de corrente contínua (CC) Excitação pulsada Excitação por micro-ondasPECVD permite o crescimento de filmes com excelente uniformidade em espessura e composição. Além disso, esta técnica fornece forte adesão do filme e suporta altas taxas de deposição em temperaturas de substrato relativamente baixas     , tornando-a adequada para aplicações sensíveis à temperatura. Mecanismo de Deposição   O processo de formação de filme PECVD normalmente envolve três etapas principais:Etapa 1: Geração de Plasma Sob a influência de um campo eletromagnético, uma descarga luminosa é iniciada, formando um plasma. Elétrons de alta energia colidem com as moléculas de gás precursoras, iniciando reações primárias que quebram os gases em fotovoltaica, MEMS e revestimentos ópticos   .Etapa 2: Transporte e Reações Secundárias Os produtos da reação primária migram para o substrato. Durante este transporte, reações secundárias   ocorrem entre as espécies ativas, gerando intermediários adicionais ou compostos formadores de filme.Etapa 3: Reação de Superfície e Crescimento do Filme Ao atingir a superfície do substrato, tanto as espécies primárias quanto as secundárias são adsorvidas e reagem quimicamente com a superfície, formando um filme sólido. Simultaneamente, subprodutos voláteis   da reação são liberados na fase gasosa e bombeados para fora da câmara.Este processo de várias etapas permite o controle preciso sobre as propriedades do filme, como fotovoltaica, fotovoltaica, MEMS e uniformidade — tornando o PECVD uma tecnologia crítica na fotovoltaica, fotovoltaica, MEMS e revestimentos ópticos    

A "força do núcleo" dos equipamentos de semicondutores - componentes de carburo de silício       O carburo de silício (SiC) é um excelente material cerâmico estrutural.possuem características tais como alta densidade, alta condutividade térmica, alta resistência à dobra e grande módulo elástico.Podem adaptar-se aos ambientes de reação agressivos de forte corrosão e temperaturas ultra-altas em processos de fabricação, tais como epitaxia de waferPor conseguinte, são amplamente utilizados nos principais equipamentos de semicondutores, tais como equipamento de crescimento epitaxial, equipamento de gravação, equipamento de oxidação/difusão/requeijão, etc.   De acordo com a estrutura cristalina, o carburo de silício tem muitas formas cristalinas.Entre eles, 3C-SiC também é comumente referido como β-SiC. Uma aplicação importante do β-SiC é como um filme e revestimento material.             De acordo com o processo de preparação, os componentes do carburo de silício podem ser classificados em carburo de silício de deposição química por vapor (CVD SiC), carburo de silício de sinterização por reação,Sinterização por recristalização de carburo de silício, pressão atmosférica de sinterização de carburo de silício, prensagem a quente de sinterização de carburo de silício, e prensagem isostática a quente de sinterização de carburo de silício, etc.             Entre os vários métodos de preparação de materiais de carburo de silício, o método de deposição química por vapor produz produtos de elevada uniformidade e pureza,e este método também tem forte controle de processoOs materiais de carburo de silício CVD são particularmente adequados para utilização na indústria de semicondutores devido à sua combinação única de excelentes propriedades térmicas, eléctricas e químicas.       Tamanho do mercado dos componentes de carburo de silício   01Componentes de carburo de silício CVD   Os componentes de carburo de silício CVD são amplamente utilizados em equipamentos de gravação, equipamentos MOCVD, equipamentos epitaxiais SiC e equipamentos de tratamento térmico rápido, entre outros.   Equipamento de gravação:O maior segmento de mercado para componentes de carburo de silício CVD é o equipamento de gravação..Devido à baixa reatividade e condutividade do carburo de silício CVD em relação aos gases de gravação que contêm cloro e flúor,torna-o um material ideal para componentes como anéis de foco em equipamentos de gravação por plasma.       Anel de foco de carburo de silício       Revestimento de base de grafite:A deposição de vapor químico a baixa pressão (CVD) é atualmente o processo mais eficaz para preparar revestimentos densos de SiC. O revestimento CVD-SiC tem as vantagens de espessura e uniformidade controláveis.Os substratos de grafite revestidos com SiC são frequentemente utilizados como componentes em equipamentos de deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD) para suportar e aquecer substratos de cristal único, e são os principais componentes dos equipamentos MOCVD.       02 Reacção de sinterização de componentes de carburo de silício   Os materiais de SiC submetidos a sinterização por reação (infiltração por fusão por reação ou ligação por reação) podem ter uma taxa de encolhimento da linha de sinterização controlada abaixo de 1%.a temperatura de sinterização é relativamente baixa, o que reduz significativamente as necessidades de controlo de deformações e de equipamento de sinterização.e tem sido amplamente aplicado nos campos da fabricação de estruturas ópticas e de precisão.   Para determinados componentes ópticos de alto desempenho utilizados nos principais equipamentos de fabrico de circuitos integrados, existem requisitos rigorosos para a preparação do material.Usando o método de sinterização reativa do substrato de carburo de silício combinado com deposição química de vapor de carburo de silício (CVDSiC) camada de filme para fabricar reflectores de alto desempenho, através da otimização dos principais parâmetros do processo, tais como os tipos de precursores, temperatura de deposição, pressão de deposição, proporção de gás de reação, campo de fluxo de gás e campo de temperatura,podem ser preparadas camadas de filme SiC CVD de grande área e uniformes, permitindo que a precisão da superfície do espelho se aproxime dos indicadores de desempenho de produtos similares do estrangeiro.       Espelhos ópticos de carburo de silício para máquinas de litografia       Os especialistas da Academia Chinesa de Ciência e Tecnologia de Materiais de Construção desenvolveram com sucesso uma tecnologia de preparação proprietária, permitindo a produção dede forma complexa, espelhos quadrados de cerâmica de carburo de silício para litografia e outros componentes ópticos estruturais e funcionais.       O desempenho do carburo de silício sinterizado por reação desenvolvido pela Academia Chinesa de Ciência e Tecnologia dos Materiais de Construção é comparável ao dos produtos similares de empresas estrangeiras.         Atualmente, as empresas que lideram a investigação e a aplicação de componentes cerâmicos de precisão para o equipamento central de circuitos integrados no estrangeiro incluem a Kyocera do Japão,CoorsTek dos Estados UnidosEntre estes, a Kyocera e a CoorsTek detêm 70% da parte de mercado dos componentes cerâmicos de alta precisão utilizados em equipamentos de núcleo de circuitos integrados.Na China, há o Instituto Nacional de Pesquisa de Construção da China, Ningbo Volkerkunst, etc.O nosso país começou relativamente tarde na investigação sobre a tecnologia de preparação e promoção da aplicação de componentes de carburo de silício de precisão para equipamentos de circuito integrado, e continua a ter uma diferença em relação às empresas líderes internacionais.       Como pioneira na fabricação de componentes avançados de carburo de silício, a ZMSH estabeleceu-se como um fornecedor de soluções abrangentes para produtos de SiC de precisão,oferecendo capacidades de ponta a ponta, desde peças mecânicas de SiC personalizadas até substratos de alto desempenho e componentes cerâmicosAproveitando as tecnologias de sinterização sem pressão e de usinagem CNC,fornecemos soluções de SiC sob medida com condutividade térmica excepcional (170-230 W/m·K) e resistência mecânica (resistência flexural ≥400MPa), servindo aplicações exigentes em equipamentos de semicondutores, sistemas de alimentação de veículos elétricos e gestão térmica aeroespacial. Our vertically integrated production covers the entire value chain - from high-purity SiC powder synthesis to complex near-net-shape ceramic component fabrication - enabling precise customization of dimensional tolerances (up to ±5μm) and surface finishes (Ra≤0.1μm) para projetos padrão e específicos de aplicação. Os substratos de SiC de 6 polegadas / 8 polegadas da empresa qualificados para automóveis apresentam as melhores densidades de microtubos (< 1 cm−2) e controle de TTV (< 10 μm),Enquanto nossos produtos cerâmicos de SiC ligados por reação demonstram resistência à corrosão superior em ambientes químicos extremosCom capacidades internas que abrangem revestimento CVD, usinagem a laser e testes não destrutivos, a ZMSH fornece suporte técnico completo desde o desenvolvimento de protótipos até a produção em volume,Ajudar os clientes a superar os desafios de materiais em altas temperaturas, condições operacionais de alta potência e desgaste.       O seguinte é:Placas de bandeja de cerâmica de SiCde ZMSH:             * Por favor, entre em contato conosco para quaisquer dúvidas sobre direitos autorais, e nós os resolveremos prontamente.                    

Estrutura Básica das Camadas Epitaxiais de LEDs baseados em GaN 01 Introdução A estrutura da camada epitaxial dos LEDs baseados em nitreto de gálio (GaN) é o determinante central do desempenho do dispositivo, exigindo uma consideração cuidadosa da qualidade do material, eficiência de injeção de portadores, eficiência luminosa e gerenciamento térmico. Com as crescentes demandas do mercado por maior eficiência, rendimento e produtividade, a tecnologia epitaxial continua a avançar. Embora os principais fabricantes adotem estruturas fundamentais semelhantes, os principais diferenciadores residem em otimizações sutis que refletem as capacidades de P&D. Abaixo está uma visão geral da estrutura epitaxial de LED GaN mais comum.       02 Visão Geral da Estrutura Epitaxial Crescido sequencialmente no substrato, as camadas epitaxiais normalmente incluem: 1. Camada tampão 2. Camada de GaN não dopada (camada opcional de AlGaN tipo n) 3. Camada de GaN tipo n 4. Camada de GaN tipo n levemente dopada 5. Camada de alívio de tensão 6. Camada de poço quântico múltiplo (MQW) 7. Camada de bloqueio de elétrons (EBL) de AlGaN 8. Camada de GaN tipo p de baixa temperatura 9. Camada de GaN tipo p de alta temperatura 10. Camada de contato superficial       Estruturas Epitaxiais Comuns de LED GaN       Funções Detalhadas das Camadas   1）Camada Tampão Crescida a 500–800°C usando materiais binários (GaN/AlN) ou ternários (AlGaN). Finalidade: Mitiga a incompatibilidade de rede entre o substrato (por exemplo, safira) e as epilayeres para reduzir defeitos. Tendência da indústria: A maioria dos fabricantes agora pré-deposita AlN via sputtering PVD antes do crescimento MOCVD para aumentar a produtividade.   2）Camada de GaN não dopada Crescimento em duas etapas: ilhas iniciais de GaN 3D, seguido por planarização de GaN 2D em alta temperatura. Resultado: Fornece superfícies atomicamente lisas para camadas subsequentes.   3）Camada de GaN tipo n Dopado com Si (8×10¹⁸–2×10¹⁹ cm⁻³) para fornecimento de elétrons. Opção avançada: Alguns projetos inserem uma camada intermediária n-AlGaN para filtrar as discordâncias de rosca.             4）Camada de GaN tipo n levemente dopada Menor dopagem (1×10¹⁸–2×10¹⁸ cm⁻³) cria uma região de alta resistência de propagação de corrente. Benefícios: Melhora as características de tensão e a uniformidade da luminescência.   5）Camada de Alívio de Tensão Camada de transição baseada em InGaN com composição de In graduada (entre os níveis de GaN e MQW). Variantes de design: Super-redes ou estruturas de poço raso para acomodar gradualmente a tensão da rede.   6）MQW (Poço Quântico Múltiplo)   Pilhas periódicas de InGaN/GaN (por exemplo, 5–15 pares) para recombinação radiativa. Otimização: Barreiras de GaN dopadas com Si reduzem a tensão de operação e aumentam o brilho. últimas notícias da empresa sobre Estrutura Básica das Camadas Epitaxiais de LEDs baseados em GaN 2   7）Camada de Bloqueio de Elétrons (EBL) de AlGaN Barreira de alta banda proibida para confinar elétrons dentro dos MQWs, aumentando a eficiência de recombinação.             8）Camada de GaN tipo p de baixa temperatura Camada dopada com Mg cultivada ligeiramente acima da temperatura do MQW para: Melhorar a injeção de buracos Proteger os MQWs de danos subsequentes em alta temperatura   9）Camada de GaN tipo p de alta temperatura Crescida a ~950°C para: Fornecer buracos Planarizar os V-pits propagando-se dos MQWs Reduzir as correntes de fuga   10）Camada de Contato Superficial GaN fortemente dopado com Mg para formação de contato ôhmico com eletrodos de metal, minimizando a tensão de operação.   03 Conclusão A estrutura epitaxial de LED GaN exemplifica a sinergia entre a ciência dos materiais e a física dos dispositivos, onde cada camada impacta criticamente o desempenho eletro-óptico. Os avanços futuros se concentrarão na engenharia de defeitos, gerenciamento de polarização e novas técnicas de dopagem para ultrapassar os limites de eficiência e possibilitar aplicações emergentes.     Como pioneira em tecnologia epitaxial de LED de nitreto de gálio (GaN), a ZMSH foi pioneira em soluções epitaxiais avançadas de GaN-on-safira e GaN-on-SiC, aproveitando sistemas MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) proprietários e gerenciamento térmico de precisão para fornecer wafers de LED de alto desempenho com densidades de defeito abaixo de 10⁶ cm⁻² e controle de espessura uniforme dentro de ±1,5%. Nossos substratos personalizáveis — incluindo GaN-on-safira, safira azul, carboneto de silício e substratos compósitos de metal — permitem soluções sob medida para LEDs de ultra-alto brilho, telas micro-LED, iluminação automotiva e aplicações UV-C. Ao integrar a otimização de processos orientada por IA e o recozimento a laser pulsado ultrarrápido, alcançamos 95% de confiabilidade, suportada por certificações de nível automotivo (AEC-Q101) e escalabilidade de produção em massa para retroiluminação 5G, ótica AR/VR e dispositivos IoT industriais.     O seguinte é o substrato GaN e a bolacha de safira da ZMSH:             * Entre em contato conosco para quaisquer preocupações com direitos autorais, e nós as abordaremos prontamente.            

   Safira ∙ Não há nome errado aqui!         Os entusiastas de relógios certamente estão familiarizados com o termo "cristal de safira," como a grande maioria dos modelos de relógios conhecidos, com exceção de peças inspiradas em vintage, quase universalmente têm este material nas suas especificações.Isto levanta três questões-chave:     1O safiro é valioso? 2O vidro de um relógio de cristal de safira é mesmo feito de safira? 3Porquê usar safira?       Na realidade, o safiro usado na relojoaria não é o mesmo que a pedra preciosa natural no sentido tradicional.que é um safiro sintético composto principalmente por óxido de alumínio (Al2O3)Como não são adicionados corantes, a safira sintética é incolor.         Do ponto de vista químico e estrutural, não há diferença entre safira natural e sintética.   A razão pela qual as principais marcas de relógios favorecem unanimemente o cristal de safira para óculos de relógio não é apenas porque soa premium, mas principalmente devido às suas propriedades excepcionais:       - Dureza: O safiro sintético é igual ao safiro natural em 9 na escala de Mohs, em segundo lugar apenas para o diamante, tornando-o altamente resistente a arranhões (ao contrário do acrílico, que pode ser facilmente arranhado).   - Durabilidade: Resiste à corrosão, ao calor e é altamente condutor térmico.   - Claridade óptica: O cristal de safira oferece uma transparência excepcional, tornando-o sem dúvida o material perfeito para a relojoaria moderna.         A utilização do cristal de safira na relojoaria começou na década de 1960 e rapidamente se difundiu.É praticamente a única escolha na relojoaria de ponta..       Então, em 2011, o safiro mais uma vez tornou-se uma sensação na indústria relojoeira de luxo quando a RICHARD MILLE revelou o RM 056,com uma caixa de safira totalmente transparente, uma inovação sem precedentes na relojoaria de ponta.Muitas marcas logo perceberam que o safiro não era só para cristais de relógio, podia também ser usado para caixas, e parecia impressionante.           Em apenas alguns anos, as caixas de safira tornaram-se uma tendência, evoluindo de transparência clara para cores vibrantes, resultando em desenhos cada vez mais diversos.relógios com caixa de safira passados de edições limitadas para modelos de produção regular, e até colecções de núcleo.   Então hoje, vamos dar uma olhada em alguns dos relógios com caixa de cristal de safira.     Artya     Turbilhão de pureza Este Tourbillon de pureza da relojoeira suíça independente ArtyA apresenta um design altamente esqueletizado e uma caixa de safira transparente,maximizando o impacto visual do tourbillon, tal como o nome sugere.Turbilhão puro.     BELL & Ross     BR-X1 Cronógrafo Tourbillon Sapphire Em 2016, a Bell & Ross lançou seu primeiro relógio de safira, o BR-X1 Chronograph Tourbillon Sapphire, limitado a apenas 5 peças e com um preço de mais de € 400.000.Eles lançaram uma versão esqueletizada ainda mais transparenteEm 2021, eles introduziram o BR 01 Cyber Skull Sapphire, com seu motivo de crânio característico em uma caixa quadrada em negrito.         BLANCPAIN   L-Evolução Estritamente falando, o repetidor de minutos L-Evolution da Blancpain, o Carillon Sapphire, não tem uma caixa totalmente de safira.Mas as suas pontes de safira transparentes e janelas laterais criam um efeito de transparência impressionante, um "meio passo" em caixas de safira.     CHANEL           J12 Raios-X Para o 20o aniversário do J12, a Chanel revelou o J12 X-RAY.Obtenção de uma aparência totalmente transparente e visualmente deslumbrante.             CHOPARD     L.U.C. Full Strike Safira Lançado em 2022, o L.U.C Full Strike Sapphire da Chopard foi o primeiro repetidor de minutos com uma caixa de safira.O relógio também ganhou o Poinçon de Genève (Selo de Genebra), o primeiro relógio não-metálico a fazê-lo.     GIRARD-PERREGAUX     Quasar Em 2019, Girard-Perregaux introduziu seu primeiro relógio com caixa de safira, o Quasar, com seu design icônico "Three Bridges".A coleção Laureato Absolute estreou seu primeiro modelo de safira em 2020, ao lado do Tribute Absoluto do Laureado com uma caixa transparente vermelha, embora não safira, mas um novo material policristalino chamado YAG (granate de ítrium de alumínio).         Grubel Forsey     30° Tourbillon duplo safira O Greubel Forsey's 30° Double Tourbillon Sapphire destaca-se porque tanto a caixa como a coroa são feitas de cristal de safira.Dispõe de quatro barris acoplados em série para 120 horas de reserva de marchaPreço superior a 1 milhão de dólares, limitado a 8 peças.     JACOB & CO.     Astronomia Imparcial Para mostrar plenamente o movimento de enrolamento manual JCAM24, a Jacob & Co. criou o Astronomia Flawless com uma caixa totalmente de safira.     Richard Mille     Como pioneira na fabricação de caixas de safira, a RICHARD MILLE domina o material. quer seja em relógios masculinos ou femininos, quer em relógios complicados, as caixas de safira são uma assinatura.RICHARD MILLE também enfatiza as variações de cores, fazendo com que os seus relógios de safira sejam ultra modernos.       Desde cristais de safira até caixas de safira, este material tornou-se um símbolo da inovação da relojoaria de alta qualidade.

  O corte a laser tornar-se-á a tecnologia dominante para cortar carburo de silício de 8 polegadas no futuro       Q: Quais são as principais tecnologias de processamento de cortes de carburo de silício?   R: A dureza do carburo de silício é a segunda depois da do diamante, e é um material de alta dureza e frágil.O processo de cortar os cristais crescidos em folhas leva muito tempo e é propenso a rachadurasComo o primeiro processo no processamento de cristais únicos de carburo de silício, o desempenho do corte determina os níveis subsequentes de moagem, polir, diluir e outros níveis de processamento.O processo de corte é propenso a causar rachaduras na superfície e no subsuperfício da bolacha, aumentando a taxa de quebra e o custo de fabrico da bolacha.Controlar os danos causados pelas rachaduras na superfície do corte de wafer é de grande importância para promover o desenvolvimento da tecnologia de fabricação de dispositivos de carburo de silícioAs tecnologias de processamento de corte de carburo de silício atualmente relatadas incluem principalmente a consolidação, o corte abrasivo livre, o corte a laser, a separação a frio e o corte por descarga elétrica.Dentre os quais o corte multicâmbrico abrasivo por fio de diamante consolidado é o método mais comumente utilizado para processar cristais únicos de carburo de silícioQuando o tamanho do lingote de cristal atinge 8 polegadas ou mais, os requisitos para o equipamento de corte de fio são muito elevados, o custo também é muito alto e a eficiência é muito baixa.Há uma necessidade urgente de desenvolver novas tecnologias de corte de baixo custo, com baixas perdas e alta eficiência.       Ingota de cristal de SiC da ZMSH       P: Quais são as vantagens da tecnologia de corte a laser em relação à tecnologia tradicional de corte de fios múltiplos? R: No processo tradicional de corte de fio, os lingotes de carburo de silício precisam ser cortados em uma certa direção em folhas finas com espessura de várias centenas de mícrons.Essas folhas são então moídas com fluido de moagem de diamantes para remover marcas de ferramentas e danos de rachaduras subterrâneas da superfície e alcançar a espessura necessáriaApós isso, o polimento CMP é realizado para alcançar a planarização global e, finalmente, as wafers de carburo de silício são limpas.Devido ao facto de o carburo de silício ser um material de alta dureza e quebradiça, é propenso a deformação e rachaduras durante o corte, moagem e polir, o que aumenta a taxa de quebra da bolacha e o custo de fabricação.a rugosidade da superfície e da interface é elevadaAlém disso, o ciclo de processamento de corte de fios múltiplos é longo e o rendimento é baixo.Estima-se que o método tradicional de corte de fios múltiplos tenha uma taxa de utilização global de material de apenas 50%As primeiras estatísticas de produção do estrangeiro mostram que, com uma produção paralela contínua de 24 horas, a perda de corte é de até 75%.Leva cerca de 273 dias para produzir 10São 1000 peças, o que é um tempo relativamente longo. Atualmente, a maioria das empresas nacionais de crescimento de cristais de carburo de silício adota a abordagem de "como aumentar a produção" e aumenta significativamente o número de fornos de crescimento de cristais.quando a tecnologia de crescimento de cristais ainda não está totalmente madura e a taxa de rendimento é relativamente baixaA adopção de equipamentos de corte a laser pode reduzir significativamente as perdas e aumentar a eficiência da produção.tomando como exemplo um único lingote de SiC de 20 mm, 30 wafers 350um podem ser produzidos com uma serra de arame, enquanto mais de 50 wafers podem ser produzidos com tecnologia de corte a laser.devido às melhores características geométricas das wafers produzidas por corte a laserA partir de uma única lingota de 20 mm de SiC podem ser produzidas mais de 80 wafers.A tecnologia tradicional de corte de fios múltiplos tem sido amplamente aplicada em carburo de silício de 6 polegadas e abaixoNo entanto, leva de 10 a 15 dias para cortar o carburo de silício de 8 polegadas, que tem altos requisitos de equipamento, alto custo e baixa eficiência.As vantagens técnicas do corte a laser de grande porte tornam-se aparentes e tornar-se-á a tecnologia dominante para o corte de 8 polegadas no futuroO corte a laser de lingotes de carburo de silício de 8 polegadas pode alcançar um tempo de corte de uma peça inferior a 20 minutos por peça, enquanto a perda de corte de uma peça é controlada dentro de 60um.       Ingota de cristal de SiC da ZMSH     Em geral, em comparação com a tecnologia de corte de fios múltiplos, a tecnologia de corte a laser tem vantagens como alta eficiência e velocidade, alta taxa de corte, baixa perda de material e limpeza. P: Quais são as principais dificuldades na tecnologia de corte a laser de carburo de silício? R: O processo principal da tecnologia de corte a laser de carburo de silício consiste em duas etapas: modificação a laser e separação de wafer. O núcleo da modificação do laser é a forma e otimização do feixe de laser.e velocidade de varredura vai afetar o efeito de ablação de carburo de silício modificação e subsequente separação de waferAs dimensões geométricas da zona de modificação determinam a rugosidade da superfície e a dificuldade de separação subsequente.A alta rugosidade da superfície aumentará a dificuldade de moagem subsequente e aumentará a perda de material. Após a modificação a laser, a separação de wafers depende principalmente da força de cisalhamento para descascar as wafers cortadas dos lingotes, como rachaduras a frio e força de tração mecânica.A pesquisa e desenvolvimento dos fabricantes domésticos usam principalmente transdutores ultrassônicos para separar por vibração, o que pode levar a problemas como a fragmentação e a fragmentação, reduzindo assim o rendimento dos produtos acabados.   As duas etapas acima não deverão representar dificuldades significativas para a maioria das unidades de investigação e desenvolvimento.devido aos diferentes processos e dopagem de lingotes de cristal de vários fabricantes de crescimento de cristalA qualidade dos lingotes de cristal varia muito ou, se a dopagem interna e a tensão de um único lingote de cristal forem desiguais, isso aumentará a dificuldade de cortar o lingote de cristal,aumentar as perdas e reduzir o rendimento dos produtos acabadosA mera identificação através de vários métodos de detecção e, em seguida, a realização de escaneamento laser de zona de corte pode não ter um efeito significativo na melhoria da eficiência e da qualidade da fatia.Como desenvolver métodos e tecnologias inovadores, otimizar os parâmetros do processo de corte,e desenvolver equipamentos de corte a laser e tecnologias com processos universais para lingotes de cristal de diferentes qualidades de diferentes fabricantes é o núcleo da aplicação em larga escala.   P: Além do carburo de silício, a tecnologia de corte a laser pode ser aplicada ao corte de outros materiais semicondutores? R: A tecnologia de corte a laser primitiva foi aplicada em vários campos de materiais.Ele se expandiu para o corte de grandes cristais individuaisAlém do carburo de silício, também pode ser usado para cortar materiais de alta dureza ou frágeis, como materiais de cristal único, como diamante, nitreto de gálio e óxido de gálio.A equipa da Universidade de Nanjing fez muito trabalho preliminar no corte destes vários cristais semicondutores., verificando a viabilidade e as vantagens da tecnologia de corte a laser para cristais únicos de semicondutores.       Wafer Diamond & Wafer GaN da ZMSH       P: Existem atualmente produtos maduros de equipamento de corte a laser no nosso país?   R: O equipamento de corte a laser de carburo de silício de grande porte é considerado pela indústria como o equipamento principal para cortar lingotes de carburo de silício de 8 polegadas no futuro.Os equipamentos de corte a laser de lingotes de carburo de silício de grande porte só podem ser fornecidos pelo JapãoA produção de equipamentos de corte/afinação a laser é muito cara e está sujeita a um embargo contra a China.000 unidades com base no número de unidades de corte de fios e na capacidade prevista de carburo de silícioAtualmente, empresas domésticas como Han's Laser, Delong Laser e Jiangsu General investiram grandes quantidades de dinheiro no desenvolvimento de produtos relacionados,Mas ainda não foi aplicado equipamento comercial doméstico maduro nas linhas de produção.   Já em 2001, the team led by Academician Zhang Rong and Professor Xiu Xiangqian from Nanjing University developed a laser exfoliation technology for gallium nitride substrates with independent intellectual property rightsNo ano passado, aplicámos esta tecnologia ao corte e ao afinação a laser de carburo de silício de grandes dimensões.Concluímos o desenvolvimento de equipamentos de protótipo e pesquisa e desenvolvimento de processos de corte, alcançando o corte e o afinamento de wafers de carburo de silício semi-isolantes de 4-6 polegadas e o corte de lingotes de carburo de silício condutores de 6-8 polegadas.O tempo de corte para o carburo de silício semi-isolante de 6-8 polegadas é de 10-15 minutos por fatia, com uma perda de uma única fatia inferior a 30 μm. O tempo de corte de uma única peça para lingotes de carburo de silício condutores de 6-8 polegadas é de 14 a 20 minutos por peça, com uma perda de uma única peça inferior a 60 um.Estima-se que a taxa de produção possa ser aumentada em mais de 50%Após o corte, moagem e polir, os parâmetros geométricos das bolhas de carburo de silício cumprem as normas nacionais.Os resultados da investigação também mostram que o efeito térmico durante o corte a laser não tem qualquer influência significativa sobre a tensão e os parâmetros geométricos do carburo de silícioUsando este equipamento, também realizámos um estudo de verificação de viabilidade sobre a tecnologia de corte de cristais únicos de diamante, nitreto de gálio e óxido de gálio.     Como líder inovador em tecnologia de processamento de wafer de carburo de silício, a ZMSH assumiu a liderança no domínio da tecnologia principal de corte a laser de carburo de silício de 8 polegadas.Através do seu sistema de modulação laser de alta precisão desenvolvido de forma independente e da tecnologia de gestão térmica inteligente, alcançou com êxito um avanço na indústria, aumentando a velocidade de corte em mais de 50% e reduzindo a perda de material para 100μm.Nossa solução de corte a laser emprega lasers de pulso ultra curto ultravioleta em combinação com um sistema óptico adaptativo, que pode controlar com precisão a profundidade de corte e a zona afetada pelo calor, garantindo que o TTV da wafer seja controlado dentro de 5μm e que a densidade de deslocação seja inferior a 103cm−2,fornecimento de apoio técnico fiável para a produção em massa em larga escala de substratos de carburo de silício de 8 polegadasAtualmente, esta tecnologia passou a verificação de nível automóvel e está a ser aplicada industrialmente nos campos da nova energia e da comunicação 5G.       O seguinte é o tipo de ZMSH SiC 4H-N & SEMI:               * Por favor, entre em contato conosco para quaisquer dúvidas sobre direitos autorais, e nós os resolveremos prontamente.