CVD SiC Epitaxy Wafer 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas espessura de epitaxia 2,5-120 um para energia eletrônica

Descrição do produto

Wafers SiC Epitaxy: são wafers de carburo de silício de cristal único com camadas epitaxial cultivadas em um substrato SiC Epitaxy.São usados como blocos de construção chave em vários dispositivos eletrônicos e optoeletrônicosO SiC é um semicondutor de banda larga com excelente condutividade térmica, alta tensão de quebra e inércia química.

O Wafer Epitaxy SiC pode ter diferentes espessuras de camada epitaxial, variando de alguns nanômetros a vários micrômetros.Wafers de epitaxia de SiC"A espessura pode ser adaptada aos requisitos específicos do dispositivo e às propriedades do material desejadas. E a Wafer Epitaxy SiC pode ser cultivada em várias orientações cristalinas, como 4H-SiC, 6H-SiC ou 3C-SiC.A escolha da orientação do cristal depende das características e desempenho do dispositivo desejado.

As camadas epitaxial em Wafer SiC Epitaxy podem ser dopadas com impurezas específicas para alcançar as propriedades elétricas desejadas.ou mesmo camadas epitaxial semi-isolantesAs bolinhas epitaxais de carburo de silício têm tipicamente um acabamento de superfície de alta qualidade, com baixa rugosidade e baixa densidade de defeito.Isto garante uma boa qualidade de cristal e facilita as etapas subsequentes de processamento do dispositivoOs Wafers Epitaxy.SiC estão disponíveis em vários diâmetros, como 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas ou maiores.

Wafer de Epi SiC

OEpitaxia de SiCprocesso de crescimento permite a deposição controlada de camadas cristalinas de alta qualidade num substrato de carburo de silício,permitindo o desenvolvimento de dispositivos de semicondutores avançados com desempenho e fiabilidade melhorados.

Parâmetros do produto

Método de Crescimento do Produto

Epitaxia de SiCOs wafers são tipicamente cultivados usando o método de deposição química de vapor (CVD).

Preparação: Em primeiro lugar, umaEpitaxia de SiCO substrato, geralmente um substrato de carburo de silício monocristalino, é preparado.Epitaxia de SiCO substrato é submetido a tratamento e limpeza superficiais para garantir uma boa qualidade cristalina e ligação de interface.

Condições de reação: A temperatura, a pressão atmosférica e as taxas de fluxo de gás no reator são controladas com base no tipo desejado e nas propriedades da camada epitaxial a ser cultivada.Estas condições afectam a taxa de crescimento, qualidade cristalina e concentração dopante da camada epitaxal.

Crescimento da camada epitaxial: sob condições de reação controladas, os precursores decompõem-se e formam novas camadas cristalinas na superfície da camada epitaxial.SiCEpitaxiaEstas camadas gradualmente se depositam e acumulam, formando a camada epitaxial desejada.

Controle do crescimento: a espessura e a qualidade cristalina da camada epitaxial podem ser controladas ajustando as condições de reação e o tempo de crescimento.Podem ser realizados múltiplos ciclos de crescimento para criar estruturas compostas ou estruturas epitaxiais multicamadas.

Comparação das vantagens do produto  

SiCEpitaxy Wafers:

• - Não.SiCWafers de epitaxiasão amplamente utilizados em dispositivos eletrônicos de alta potência, como conversores de potência, motores e sistemas eletrônicos de potência.A sua elevada condutividade térmica e a sua elevada tensão de ruptura permitem o funcionamento em condições de alta temperatura e alta tensão.
• SiCWafers de epitaxiasão também utilizados em dispositivos eletrónicos de alta frequência, tais como amplificadores de potência de RF e dispositivos de microondas, uma vez que apresentam baixas perdas e maior eficiência em altas frequências.
• SiCWafers de epitaxiaencontrar aplicações em dispositivos optoelectrónicos, tais como fotodetectores e diodos laser.

- Não.Orifícios epiteliais:

• As wafers Epi Si são usadas principalmente na fabricação de circuitos integrados (ICs), incluindo microprocessadores, dispositivos de memória e sensores.São adequados para aplicações que exigem estruturas de circuitos complexas e baixo consumo de energia.
• Os wafers de epi Si são amplamente utilizados em áreas como comunicações, computação e electrónica de consumo, apoiando a funcionalidade e a perfuração.A utilização de dispositivos eletrónicos modernos.
• Devido às vantagens da matéria de silícioOs wafers de epi Si beneficiam de processos de fabrico, equipamento e abastecimento de material maduros na indústria.

- Não.Em resumo, as águas epi SiC são principalmente utilizadas em aplicações de alta temperatura, alta potência e alta frequência, enquanto os chips epi Si são mais adequados para aplicações de temperatura ambiente e baixa potência,especialmente no fabrico de circuitos integrados e microprocessadores.

Padrão de crescimento do produto

  Quando se trata do método de crescimento do CVD para as placas epitaxiais de SiC. Quando se trata do método de crescimento do CVD (deposição química de vapor) para as placas epitaxiais de SiC,A doença cardiovascular é uma técnica comumente usada para cultivar filmes finos de baixo para cimaO processo de crescimento da CVD envolve a introdução de materiais precursores selecionados numa câmara de reação,onde interagem com os reagentes na superfície do substrato e depositam uma película através de reações químicas.

O método de crescimento CVD para wafers epitaxial de SiC permite a fabricação de filmes de SiC com propriedades e estruturas materiais desejadas.Eletrónica de potênciaO processo de crescimento pode ser controlado com precisão através do ajuste das condições de crescimento e do controlo do processo de crescimento.Incorporação de impurezas, e propriedades de interface das películas de SiC para satisfazer os requisitos de diferentes aplicações.