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Sic carcaça
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| Lugar de origem | China |
| Marca | ZMSH |
| Certificação | rohs |
| Número do modelo | SIC010 |
Os materiais do carboneto de silicone têm a perspectiva em setores numerosos, por exemplo, trilho de alta velocidade, eletrônica automotivo, grades espertas, inversores fotovoltaicos, centros industriais eletromecânicos, de dados, os bens brancos, os produtos eletrónicos de consumo, a comunicação 5G, as exposições da próxima geração, etc. Do ponto de vista da aplicação, as aplicações de materiais do carboneto de silicone podem ser divididas em três categorias, na baixa tensão, na tensão média, e na alta tensão.
No campo da baixa tensão, as aplicações principais localizam nos produtos eletrónicos de consumo, como PFC e fonte de alimentação. Para dar um exemplo, Xiaomi e Huawei começaram utilizar dispositivos do nitreto do gálio em seus carregadores rápidos.
No campo médio da tensão, as aplicações estão principalmente na eletrônica automotivo, no trânsito do trilho e em umas redes elétricas mais altas da tensão (rede elétrica com tensão sobre 3300V). Tesla era um dos primeiros fabricantes automotivos para adaptar os dispositivos do carboneto de silicone, que usou para seu modelo 3.
Os produtos dos diodos e dos MOSFETs do carboneto de silicone obtiveram tornados muito maduramente e agora são equipados e aplicados nos baixos e campos médios da tensão.
Para o campo de alta tensão, o carboneto de silicone tem suas próprias características eminentes, mesmo que um produto maduro tenha ser lançado ainda. O mundo está agora na fase da pesquisa e de tornar-se para este campo.
A melhor encenação da aplicação do carboneto de silicone é veículos elétricos. O módulo de movimentação elétrico de Toyotas (parte fundamental de veículos elétricos) reduz o tamanho dos dispositivos do carboneto de silicone por 50% ou comparados mais a IGBTs silicone-baseado. Adicionalmente, a densidade de energia do carboneto de silicone é duas vezes tanto quanto aquela de IGBTs silicone-baseado. Isto igualmente atraiu diversos fabricantes para optar para o carboneto de silicone, oferecendo lhes mais espaço caber em outros componentes devido à disposição aperfeiçoada dos componentes.
Há umas vantagens numerosas a usar o carboneto de silicone sobre umas carcaças de silicone mais tradicionais. Uma das vantagens principais é sua dureza, que dá ao material muitas vantagens na alta velocidade, na alta temperatura e/ou em aplicações de alta tensão. As bolachas do carboneto de silicone têm a condutibilidade térmica alta, que os meios eles podem transferir o calor de um ponto a um outro poço, melhorando suas condutibilidade elétrica e finalmente miniaturização.
As carcaças do carboneto de silicone igualmente têm um baixo coeficiente para a expansão térmica, significando que não muda significativamente em tamanho ou não dá forma enquanto se aquece acima ou se esfria para baixo. Têm a capacidade para mudar rapidamente temperaturas sem quebrar ou rachar-se, e são altamente resistentes a choque térmico, dando lhes uma vantagem clara ao fabricar dispositivos. Sobre isto, são uma carcaça muito durável e não reagem com os ácidos, os alcaloides ou os sais derretidos em temperaturas até 800°C.
Sua força em altas temperaturas igualmente permite que as carcaças do carboneto de silicone operem-se com segurança em temperaturas sobre 1600°C, fazendo o apropriado para virtualmente toda a aplicação de alta temperatura. Estas especificações - estrutura de cristal de Polytype, condutibilidade térmica (n-tipo; 0,020 Ω*cm), parâmetros da estrutura, Único-cristal 4H, apoiaram diâmetros, Bandgap, a condutibilidade térmica (HPSI) e a dureza de Mohs - dê a bolachas do carboneto de silicone sua vantagem considerável sobre carcaças de silicone maiorias tradicionais.
4H-SiC* e 6H-SiC ** são ambos material do semicondutor com uma vasta gama de diâmetro, de 50.8mm (2") a 200mm (8inch). O tipo e o entorpecente em cada um deles são N/Nitrogen/intrinsic/HPSI. Para a resistividade, 4H-SiC tem uma escala de .015 - .028 ohm*cm, quando 6H-SiC tiver mais, que é o ohm*cm >1E7. Quanto para a sua espessura total, tenha 250um - 15,000um ou 15mm. Nenhuma matéria que o tipo de sic, o revestimento de superfície aplicado a ambos os tipos é lado simples ou duplo lustrou. A sequência de empilhamento deles é ABCB (4H-SiC*) e ABCACB (6H-SiC **). As constantes dielétricas são 9,6 e 9,66 para 4H-SiC* e 6H-SiC ** respectivamente, quando a mobilidade de elétron de 4H-SiC* for 800 cm2/V*S e aquele de 6H-SiC ** são 400 agradecimentos de cm2/V*S. para suas propriedades comuns, sua densidade são os mesmos que 3,21 · 103 kg/m3.
A carcaça de ZMSH SIC010 sic é uma escolha ideal para microplaquetas feitas sob encomenda do tamanho sic, placas feitas sob encomenda do tamanho, 1x1cm, 0.5x0.5mm a 5x5mm, com alta tensão da divisão de 5,5 MV/cm, nivelamento de superfície excelente de λ/10@632.8nm, boa resistência à tração de >400MPa, carcaça do monocristal sic, certificação de ROHS e preços competitivos. É amplamente utilizada em uma variedade de aplicações, tais como o semicondutor, a eletrônica, o optoelectronic, diodo emissor de luz, etc. Suas propriedades excelentes fazem-lhe a escolha ideal para muitas indústrias.
A carcaça de ZMSH SIC010 sic oferece o desempenho e a confiança superiores, com um preço imbatível. É feita do material de alta qualidade do monocristal sic, e tem o desempenho elétrico e térmico excelente, fazendo lhe uma escolha ideal para várias indústrias. É igualmente RoHS certificou, que assegura a segurança e a confiança. Seu grande tamanho pode ser personalizado para encontrar as necessidades do cliente.
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Marca: ZMSH
Number modelo: SIC010
Lugar de origem: CHINA
Certificação: RoHS
Quantidade de ordem mínima: 10pc
Preço: pelo caso
Detalhes de empacotamento: Caixa plástica de Customzied
Prazo de entrega: Em 30days
Termos do pagamento: T/T
Capacidade da fonte: 1000pc/month
Entorpecente: N/A
Nivelamento de superfície: λ/10@632.8nm
Material: Sic monocristal
Tensão de divisão: 5,5 MV/cm
Força compressiva: >1000MPa
Características: 10x10mm; 5x5mm, da forma placas customzied sic, bolacha de 4h-semi HPSI sic
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