2" InSb-Te EPI Substratos Semicondutores de banda estreita Substratos Hall Componentes

2 ¢ InSb-Te EPI Substratos Intervalo de banda estreita Semicondutores Substratos Hall Componentes

Descrição do InSb-Te:

Antimoneto de ínio (InSb), como uma espécie de material de semicondutor composto binário do grupo III-V, tem sido objecto de investigação no domínio dasemicondutoresA InSb é um dos materiais mais importantes do mundo desde a sua descoberta, com propriedades físicas e químicas estáveis e excelente compatibilidade de processo.espaço de banda estreita, uma massa efectiva de elétrons muito pequena e uma mobilidade de elétrons muito elevada, especialmente notável é que pertence à absorção intrínseca na faixa espectral de3-5 μm, com quase 100% de eficiência quântica, tornando-se o material preferido para a preparação de ondas médiasDetectores de infravermelhos, e as perspectivas de aplicação e a procura comercial são enormes.e a estrutura da camada de elétrons de valência também está próxima uma da outra. o átomo é dopado como um substituto para substituir o carbono no cristal e desempenha o papel de doador.CZ-pullO método pode ser utilizado para preparar materiais de corpo insb com uma certa concentração de te doping e a adição de te pode alterar o tipo condutor dos cristais insb,e também teve um impacto importante nas propriedades elétricas e ópticas dos materiaisOs estudos relevantes lançaram as bases experimentais para o crescimento espacial deTe dopado InSb.

Características do InSb-Te:

Parâmetros técnicos do InSb-Te:

Aplicações do InSb-Te:

1Dispositivos electrónicos de alta velocidade: os cristais InSb dopados com telúrio também têm potencial em dispositivos electrónicos de alta velocidade.

2Dispositivos de estrutura quântica: Os cristais InSb dopados com Te podem ser utilizados para preparar dispositivos de estrutura quântica, tais como

Poços quânticos e dispositivos de pontos quânticos.

3Dispositivos optoelectrónicos: Os cristais InSb dopados com Te podem ser utilizados para preparar vários dispositivos optoelectrónicos, tais como

Outros aparelhos e aparelhos de televisão

4Detector infravermelho: Os cristais InSb dopados com Te podem ser utilizados para preparar detectores infravermelhos de alto desempenho.

A dopagem com telúrio pode aumentar a concentração e a mobilidade dos portadores.

5• Laser infravermelhos: Os cristais InSb dopados com Te têm também potencial de aplicação no campo dos lasers infravermelhos.

A estrutura de banda dos cristais INSB pode realizar o trabalho dos lasers infravermelhos.

Outro produto relacionado com o InSb-Te:

Substrato SIC:

Perguntas frequentes:

P: Qual é a marca deTe-InSb?

A: O nome da marcaTe-InSbé ZMSH.

Q: O que é a certificação deTe-InSb?

A: A certificação deTe-InSbé ROHS.

P: Onde é o local de origem deTe-InSb?

A: O local de origemTe-InSbé a CHINA.

Q: Qual é o MOQ deTe-InSb numa só vez?

A: O MOQ deTe-InSbSão 25 peças de cada vez.