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Molde das carcaças do nitreto do gálio de GaN da bolacha do diodo emissor de luz da estrutura de cristal do Wurtzite

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Molde das carcaças do nitreto do gálio de GaN da bolacha do diodo emissor de luz da estrutura de cristal do Wurtzite

China Molde das carcaças do nitreto do gálio de GaN da bolacha do diodo emissor de luz da estrutura de cristal do Wurtzite fornecedor
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Imagem Grande :  Molde das carcaças do nitreto do gálio de GaN da bolacha do diodo emissor de luz da estrutura de cristal do Wurtzite

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: zmkj
Número do modelo: GaN-moldes

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 5pc
Preço: by case
Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Termos de pagamento: L / C, T / T
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Descrição de produto detalhada
Materiais: Epi de GaN no portador da safira Método: HVPE
Tamanho: 2inch Espessura: 430um
indústria: LD, conduzido, dispositivo do laser, detector, superfície: único lado lustrado

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Especificações de GaN/características especiais:

  1. O nitreto do gálio (GaN) é um material feito muito duro que tenha um wurtzite a estrutura de cristal e é provavelmente o material o mais importante do semicondutor como o material da terceira geração semi.
  2.  Pode ser usado para emitir-se a luz brilhante sob a forma dos diodos luminescentes (diodo emissor de luz) e dos diodos láser, assim como ser o material chave para a alta frequência da próxima geração, transistor de poder superior capazes do funcionamento em altas temperaturas.
  3. GaN baseou a bolacha epitaxial (safira, sic) que as bolachas Epitaxial são crescidas pelo método do MBE ou do MOCVD, a uma camada ou as estruturas da multi-camada em carcaças da safira, diâmetro até 4 polegadas.

Tampa proibida da largura de banda do Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão) (luminescente e absorção) o ultravioleta,

a luz visível e infrared.GaN podem ser usados em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, detecção alta-tensão

e imagem latente, exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

 Molde das carcaças do nitreto do gálio de GaN da bolacha do diodo emissor de luz da estrutura de cristal do Wurtzite
 
Especificações:
 

2" moldes de GaN

 

 Artigo

 

GaN-T-N  

GaN-T-S

Dimensões

Ф 2"

 Espessura

15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40

30 μm, μm 90

 Orientação

± 1° da C-linha central (0001)

Tipo da condução

N-tipo

Semi-isolamento

 Resistividade (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

 Densidade de deslocação

Menos do que os cm2 1x108

Estrutura da carcaça

 
GaN grosso na safira 430um ou 330um (0001)

 

 Área de superfície útil

> 90%

Polonês

Padrão: Opção de SSP: DSP

 Pacote

Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de 25pcs ou de únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

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- FAQ –
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(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF pela CORRENTE DE RELÓGIO.
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(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
Q: Como pagar?
100%T/T adiantado, Paypal, união ocidental, MoneyGram,


 

etiqueta:

carcaça gan,

molde gan

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