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Espessura de GaN Wafer 350um do nitreto do gálio da exposição da projeção do laser

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Espessura de GaN Wafer 350um do nitreto do gálio da exposição da projeção do laser

Laser Projection Display Gallium Nitride GaN Wafer 350um Thickness
Laser Projection Display Gallium Nitride GaN Wafer 350um Thickness Laser Projection Display Gallium Nitride GaN Wafer 350um Thickness

Imagem Grande :  Espessura de GaN Wafer 350um do nitreto do gálio da exposição da projeção do laser

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: zmkj
Número do modelo: GaN-2INCH

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1PC
Preço: by case
Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Termos de pagamento: L / C, T / T
Descrição de produto detalhada
Material: Único cristal de GaN Método: HVPE
Tamanho: 2inch Espessura: 330um
Indústria: LD, conduzido, dispositivo do laser, detector, Cor: Branco
PACOTE: único pacote da caixa da gaveta da bolacha pela condição do vácuo
Realçar:

gan template

,

aln template

carcaças autônomas de 2inch GaN, bolacha para o LD, bolacha semiconducting de GaN do nitreto do gálio para conduzido, molde de GaN, carcaças de 10x10mm GaN, bolacha nativa de GaN,

 

  1. Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)

Tampa proibida da largura de banda (luminescente e absorção) o ultravioleta, a luz visível e o infravermelho.

Espessura de GaN Wafer 350um do nitreto do gálio da exposição da projeção do laser 0Espessura de GaN Wafer 350um do nitreto do gálio da exposição da projeção do laser 1

 

 

GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,

Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

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Especificações:

Artigo GaN-FS-n
Dimensões ± 1mm de Ф 50.8mm
Densidade do defeito de Marco Um nível ≤ 2 cm-2
Nível de B > 2 cm-2
Espessura 300 µm do ± 25
Orientação ± 0.5° da C-linha central (0001)
Orientação lisa ± 0.5° (de 1-100), ± 16,0 1.0mm
Orientação secundária lisa ± 3° (de 11-20), 8,0 ± 1.0mm
TTV (variação total da espessura) µm ≤15
CURVA µm ≤20
Tipo da condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0="">
Densidade de deslocação Menos do que 5x106 cm-2
Área de superfície útil > 90%
Polonês

Superfície dianteira: Ra < 0="">

Superfície traseira: Terra fina

Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

 

2. Nossa visão da empresa

nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia da aplicação para a indústria.

GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida

e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da micro-ondas da confiança, brilho alto

e eficiência elevada, diodo emissor de luz da economia de energia.

 

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- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.

Q: Como pagar?
100%T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança do comércio.

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 1pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e das técnicas.

Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer relatórios do relatório e do alcance de ROHS para nossos produtos.

 

 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Wang

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