4inch SSP Sapphire Wafer Quartz Glass Thickness 0.1mm 0.15mm 0.2mm

espessura 0.1mm do vidro de quartzo da bolacha da safira de 4inch SSP 0.15mm 0.2mm

vidro de quartzo da bolacha da safira da espessura de 4inch 100um 200um 300um

o lado simples ou duplo do C-plano de 4inch Sapphire Wafer lustrou o único cristal Al2O3

plano único Crystal Sapphire Wafer de 4inch Dia100mm A

linha central único Crystal Sapphire Wafer Sapphire Substrates de 2inch Dia50mm C
 8inch diâmetro 159mm único Crystal Sapphire Wafer For Epi - portador pronto
a bolacha da safira da R-linha central do c-plano de 4inch/5inch/6inch/6.125inch/8inch (1-102) (10-10), carcaças da safira de dia200mm, bolacha lustrada para epi-pronto conduzido, carcaças da safira da C-linha central 2-6inch lado dobro da safira, lente Al2O3 ótica de cristal, lado dobro lustrou a superfície 8" de SSP o C-plano de Sapphire Carrier Wafer (0001) com melhor preço, 8inch diâmetro 159mm único Crystal Sapphire Wafer For Epi - portador pronto

Características da carcaça da safira de ZMSH

 
Especificações de Sapphire Wafer, 4 polegadas, C-plano (0001), categoria principal

Propriedades elétricas da safira
Resistividade, ohm x cm no °C 200-500: 1011 - 1016
Constante dielétrica: 10,0
Força dielétrica, V/cm: 4 x 105
Tangente da perda: 1 x 10-4

 

Aplicação

Algumas propriedades chaves de bolachas da safira incluem suas condutibilidade térmica alta, força mecânica alta, resistência excelente do produto químico e do risco, e transparência nas regiões visíveis e próximo-infravermelhas do espectro. Estas propriedades fazem bolachas da safira bem-seriram para uma vasta gama de aplicações em ambientes ásperos, tais como a alta temperatura, a alta pressão, e circunstâncias corrosivas.

Que é a aspereza da carcaça da safira?
Nossas carcaças ‘padrão’ da safira foram lustradas a uma qualidade de superfície de 60/40 deescavação, têm uma aspereza do RMS de ~0,3 nanômetro, e são apropriadas para a maioria de aplicações (incluindo a espectroscopia ou o depósito de fita fina).

Processo de produção

1. Crescimento de cristal: a safira do Único-cristal é crescida tipicamente de utilização o método de Verneuil ou o método de Kyropoulos. No método de Verneuil, um formulário pulverizado do óxido de alumínio (Al2O3) é derretido usando uma chama de alta temperatura e permitido então refrigerar e solidificar em um único cristal. No método de Kyropoulos, um cristal de semente é mergulhado em um banho de Al2O3 derretido e retirado lentamente ao girar, permitindo que o cristal cresça do derretimento.

2. Corte e dar forma: Uma vez que o cristal foi crescido, está cortado em bolachas usando uma serra do diamante ou um laser. As bolachas então são dadas forma e lustradas à espessura desejada e ao revestimento de superfície.

3. Limpeza: As bolachas da safira são limpadas usando uma combinação de métodos mecânicos, químicos, e ultrassônicos para remover todos os contaminadores de superfície e para preparar a superfície para mais ulterior transformação.

4. Lubrificação: Em alguns casos, os entorpecentes podem ser adicionados às bolachas da safira para alterar suas propriedades elétricas ou óticas. Isto é feito tipicamente usando métodos da implantação ou da difusão de íon.

5. Gravura a água-forte: As bolachas da safira podem ser gravadas usando uma variedade de processos químicos ou plasma-baseados para criar testes padrões ou características na superfície. Isto é de uso geral na fabricação de dispositivos microeletrónicos.

6. Metrologia: As bolachas da safira são sujeitadas então às várias técnicas da metrologia para medir sua espessura, nivelamento, aspereza de superfície, e outras propriedades. Isto é importante assegurar-se de que as bolachas encontrem as especificações exigidas para a aplicação pretendida.

7. Empacotamento: O passo final no processo de produção é empacotar as bolachas da safira para a expedição aos clientes. Isto envolve tipicamente colocar as bolachas em uns recipientes protetores para impedir dano durante o transporte e o armazenamento.

Embalagem de bolachas da safira

 
 
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