Semi - carcaça de isolamento do carboneto de silicone, sic pureza alta da bolacha 4H

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Aplicações das carcaças e das bolachas sic de cristal

Os crytsals do carboneto de silicone (sic) têm propriedades físicas e eletrônicas originais. Os dispositivos baseados do carboneto de silicone foram para breve comprimento de onda usado optoelectronic, de alta temperatura, applciations resistentes da radiação. Os dispositivos eletrónicos de alta potência e de alta frequência feitos com sic são superiores ao si e aos dispositivos baseados GaAs. São abaixo algumas aplicações populares sic de carcaças.

Dispositivos de alta temperatura

Porque tem sic uma condutibilidade térmica alta, dissipa sic o calor mais rapidamente do que outros materiais do semicondutor. Isto permite sic dispositivos de ser operado extremamente a níveis do poder superior e ainda dissipa as grandes quantidades de calor adicional geradas dos dispositivos.

Dispositivos de poder de alta frequência

a eletrônica SIC-baseada da micro-ondas é usada para comunicações sem fio e o radar.

Depósito do nitreto de III-V

Camadas epitaxial de GaN, de AlxGa1-xN e de InyGa1-yN sic na carcaça ou na carcaça da safira.

A epitaxia do nitreto do gálio em moldes é usada sic para fabricar os diodos luminescentes azuis (diodo emissor de luz azul) e e fotodetector UV cegos quase solares

Dispositivos Optoelectronic

Os dispositivos sic baseados têm a baixa má combinação da estrutura com camadas epitaxial do Iii-nitreto. Têm a condutibilidade térmica alta e podem ser usados para a monitoração de processos da combustão e para todos os tipos de Uv-detecção.

os dispositivos de semicondutor SIC-baseados podem trabalhar sob ambientes muito hostis, tais como a alta temperatura, o poder superior, e condições altas da radiação.

Dispositivos de poder superior

Tem sic as seguintes propriedades:

Campo bonde alto da divisão de Bandgap da energia larga

Condutibilidade térmica alta alta de velocidade de tração da saturação

É usado sic para a fabricação de dispositivos muito de alta tensão e de alta potência tais como diodos, transitors do poder, e dispositivos da micro-ondas do poder superior. Comparado aos Si-dispositivos convencionais, os dispositivos de poder SIC-baseados têm tensões mais rápidas da velocidade de interruptor umas mais altas, umas mais baixas resistências parasíticas, tamanho menor, menos exigido refrigerando devido à capacidade de alta temperatura.

Tem sic uma condutibilidade térmica mais alta do que o significado do GaAs ou do si que sic os dispositivos podem teoricamente operar em densidades de poder mais alto do que o GaAs ou o si. Uma condutibilidade térmica mais alta combinada com o bandgap largo e o campo crítico alto dão sic a semicondutores uma vantagem quando o poder superior é uma característica desejável chave do dispositivo.

Atualmente o carboneto de silicone (sic) é amplamente utilizado para o poder superior MMIC

aplicações. É usado sic igualmente como uma carcaça para o crescimento epitaxial de GaN para mesmo dispositivos de um poder mais alto MMIC

2. tamanho das carcaças do padrão

3. Imagens