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Bolacha do carboneto de silicone da pureza alta, 6 polegadas 4H - semi sic carcaça do carboneto de silicone

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Bolacha do carboneto de silicone da pureza alta, 6 polegadas 4H - semi sic carcaça do carboneto de silicone

China Bolacha do carboneto de silicone da pureza alta, 6 polegadas 4H - semi sic carcaça do carboneto de silicone fornecedor
Bolacha do carboneto de silicone da pureza alta, 6 polegadas 4H - semi sic carcaça do carboneto de silicone fornecedor Bolacha do carboneto de silicone da pureza alta, 6 polegadas 4H - semi sic carcaça do carboneto de silicone fornecedor

Imagem Grande :  Bolacha do carboneto de silicone da pureza alta, 6 polegadas 4H - semi sic carcaça do carboneto de silicone

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Número do modelo: SIC 6inch

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: pelo caso personalizado
Tempo de entrega: 15days dentro
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Descrição de produto detalhada
indústria: carcaça do semicondutor Materiais: sic cristal
Aplicação: 5G, material do dispositivo, MOCVD, eletrônica de poder Tipo: 4H-N, semi, nenhum lubrificado
cor: verde, azul, branco Hardeness: 9,0 acima

6inch sic carcaças, 4h-n, 4H-SEMI, sic carcaças sic de cristal do semicondutor do bloco sic de cristal dos lingotes do lingote sic, carboneto de silicone da pureza alta

 

 

Sic bolacha

Sic o cristal cutted em fatias, e lustrando, sic a bolacha vem. Para a especificação e os detalhes, visite por favor abaixo da página.

 

Crescimento sic de cristal

O crescimento de cristal maioria é a técnica para a fabricação de carcaças monocristalinas, fazendo a base para um processamento mais adicional do dispositivo. Para ter uma descoberta sic na tecnologia obviamente nós precisamos a produção sic de carcaça com um process.6H- reprodutível e os cristais 4H- são crescidos sic em uns cadinhos da grafite em altas temperaturas até 2100-2500°C. que a temperatura de funcionamento no cadinho é fornecida pelo aquecimento indutivo (RF) ou resistive. O crescimento ocorre sic em sementes finas. A fonte representa sic a carga policristalina do pó. Sic o vapor na câmara de crescimento consiste principalmente em três espécies, a saber, si, Si2C, e SiC2, que são diluídos pelo gás de portador, por exemplo, argônio. Sic a evolução da fonte inclui a variação de tempo da porosidade e do diâmetro do grânulo e o graphitization dos grânulo do pó.

 

Sic bolacha do epi

Nós podemos estruturas epitaxial da qualidade muito elevada do produto do custo-eficaz para finalidades do dispositivo ou de testes. O carboneto que de silicone (sic) a bolacha epitaxial levanta muitas vantagens em comparação com bolachas convencionais do si, nós pode oferecer a camada do epi na escala muito grande de lubrificar a concentração 1E15/cm3 de cm-3 do ponto baixo 1014 a 1019 para mais informação.

 

Estrutura sic de cristal

Sic o cristal tem muitas estruturas de cristal diferentes, que é chamado polytypes. Os polytypes os mais comuns sic presentemente de ser tornado para a eletrônica são os 3C-SiC cúbicos, os 4H-SiC e os 6H-SiC sextavados, e os 15R-SiC romboédricos. Estes polytypes são caracterizados pela sequência de empilhamento das camadas do biatom sic da estrutura

defeitos sic de cristal

A maioria dos defeitos que foram observados dentro sic foram observados igualmente em outros materiais cristalinos. Como as deslocações, as falhas de empilhamento (SFs), os limites (LABs) do baixo ângulo e os gêmeos. Alguns outro aparecem nos materiais que têm a mistura do zing ou a estrutura de Wurtzite, como o IDBs. Micropipes e as inclusões de outras fases aparecem principalmente dentro sic.

 

Aplicação sic de cristal

Muitos pesquisadores conhecem a aplicação do general sic: Depósito do nitreto de III-V; Dispositivos Optoelectronic; Dispositivos de poder superior; Dispositivos de alta temperatura; As poucas pessoas de alta frequência do poder Devices.But conhecem aplicações do detalhe, nós alistam algum detalhe 

aplicação e advantagement materiais

• Baixa má combinação da estrutura
• Condutibilidade térmica alta
• Consumo da baixa potência
• Características transientes excelentes
• Diferença de faixa alta

 

Aplicações:

• Dispositivo da epitaxia de GaN
• Dispositivo Optoelectronic
• Dispositivo de alta frequência
• Dispositivo de poder superior
• Dispositivo de alta temperatura
• Diodos luminescentes

 

 
Propriedade 4H-SiC, único cristal 6H-SiC, único cristal
Parâmetros da estrutura a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilhando a sequência ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidade 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente da expansão 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm da refração

nenhuns = 2,61

ne = 2,66

nenhuns = 2,60

ne = 2,65

Constante dielétrica c~9.66 c~9.66
Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Condutibilidade térmica (Semi-isolamento)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Faixa-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo bonde da divisão 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocidade de tração da saturação 2.0×105m/s 2.0×105m/s
 
 
2. Describtion material do tamanho
 
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3. productes
 
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FAQ

Q: Como sobre o prazo de entrega e a qualidade.
A: Nós temos o sistema de inspeção restrito da qualidade.  e Delivey por DHL, Fedex, EMS pelo seu exige 


Q: São você uma empresa comercial ou uma fábrica?
A: Nós temos uma fábrica do processo da bolacha, que possa reduzir todo o custo que nós podemos controlar. 

Q: Que é seus produtos principais?
A: Há bolacha do saphire, sic, bolacha de quartzo. Nós podemos igualmente produzir a forma especial

 produtos de acordo com seu desenho.

Q: Que é sua vantagem?
A:
1. preço. Nós somos não somente uma empresa comercial, assim que nós podemos obter a maioria de preço competitivo para você e assegurar nosso &price da qualidade de produtos assim como o prazo de entrega.
2. tecnologia. Nossa empresa tem uma experiência de 5 anos em produzir a bolacha & produtos óticos.
3. serviço pós-venda. Nós podemos ser responsáveis para nossa qualidade.

 

Expedição & pacote

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Contacto
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Pessoa de Contato: Wang

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