Material do semicondutor das bolachas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS Device

1. Comparação de materiais de terceira geração do semicondutor

Sic de cristal é um material de terceira geração do semicondutor, que tenha grandes vantagens nas encenações da baixa potência, da miniaturização, as de alta tensão e as de alta frequência da aplicação. Os materiais de terceira geração do semicondutor são representados pelo carboneto de silicone e pelo nitreto do gálio. Comparado com as duas gerações precedentes de materiais do semicondutor, a vantagem a mais grande está a sua largura faixa-livre larga, que se assegura de que possa penetrar uma força de campo elétrico mais alta e se é apropriada para preparar dispositivos de poder de alta tensão e de alta frequência.

2. Especificação para bolachas de 6inch 4H-N sic. (2inch, 3inch 4inch, sic bolacha 8inch igualmente está disponível)

Categoria		Produção zero de MPD Categoria (categoria de Z)	Categoria da produção padrão (categoria de P)	Categoria do manequim (Categoria de D)
Diâmetro		99,5 mm~100.0 milímetro
Espessura	4H-N	350 μm±20 μm	350 μm±25 μm
	4H-SI	500 μm±20 μm	500 μm±25 μm
Orientação da bolacha		Fora da linha central: 4.0°toward <1120> ±0.5°for 4H-N, na linha central: <0001> ±0.5°for 4H-SI
Densidade de Micropipe	4H-N	≤0.5cm-2	cm2 ≤2	cm2 ≤15
	4H-SI	≤1cm-2	cm2 ≤5	cm2 ≤15
Resistividade do ※	4H-N	0.015~0.025 Ω·cm		0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E9 Ω·cm		≥1E5 Ω·cm
Orientação lisa preliminar		{10-10} ±5.0°
Comprimento liso preliminar		32,5 mm±2.0 milímetro
Comprimento liso secundário		18,0 mm±2.0 milímetro
Orientação lisa secundária		Silicone de face para cima: 90°CW. de ±5.0° liso principal
Exclusão da borda		3 milímetros
LTV/TTV/Bow /Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Aspereza do ※		Ra≤1 polonês nanômetro
		CMP Ra≤0.2 nanômetro		Ra≤0.5 nanômetro
Quebras da borda pela luz da alta intensidade		Nenhum		≤ cumulativo do comprimento 10 milímetros, único length≤2 milímetro
Encantar placas pela luz da alta intensidade		Área cumulativa ≤0.05%		Área cumulativa ≤0.1%
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade		Nenhum		Area≤3% cumulativo
Inclusões visuais do carbono		Área cumulativa ≤0.05%		Área cumulativa ≤3%
Riscos da superfície do silicone pela luz da alta intensidade		Nenhum		Cumulativo len ‘o diâmetro de gth≤1×wafer
Borda Chips High By Intensity Light		Nenhuns permitiram a largura e a profundidade de ≥0.2 milímetro		5 reservados, ≤1 milímetro cada um
Contaminação de superfície do silicone pela alta intensidade		Nenhum
Empacotamento		gaveta da Multi-bolacha ou único recipiente da bolacha

2. Corrente industrial

A corrente sic industrial do carboneto de silicone é dividida na preparação material da carcaça, no crescimento da camada epitaxial, na fabricação do dispositivo e em aplicações a jusante. Os monocristal do carboneto de silicone são preparados geralmente pela transmissão física do vapor (método de PVT), e as folhas epitaxial são geradas então pelo depósito de vapor químico (método do CVD) na carcaça, e os dispositivos relevantes são feitos finalmente. Na corrente industrial sic de dispositivos, devido à dificuldade da tecnologia de fabricação da carcaça, o valor da corrente industrial é concentrado principalmente na relação ascendente da carcaça.