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Sic carcaça
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| Lugar de origem | China |
| Marca | ZMSH |
| Número do modelo | 4H |
Categoria do manequim da categoria da produção da carcaça de 4H-N 4H-SEMI 2inch 3inch 4inch 6Inch sic para dispositivos de alta potência
Carcaças do carboneto de silicone da pureza alta de H, carcaças da pureza alta 4inch sic, carcaças para o semicondutor, carcaças para o semconductor, bolachas de cristal sic únicas do carboneto de silicone 4inch do carboneto de silicone, sic lingotes para a gema
Áreas de aplicação
1 diodo de alta frequência e do poder superior dos dispositivos eletrónicos de Schottky, JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET
2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)
advantagement
• Baixa má combinação da estrutura
• Condutibilidade térmica alta
• Consumo da baixa potência
• Características transientes excelentes
• Diferença de faixa alta
Carborundum sic de cristal da bolacha da carcaça do carboneto de silicone
PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
| Propriedade | 4H-SiC, único cristal | 6H-SiC, único cristal |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm da refração |
nenhuns = 2,61 ne = 2,66 |
nenhuns = 2,60 ne = 2,65 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| Condutibilidade térmica (Semi-isolar) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Faixa-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo elétrico da divisão | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocidade de tração da saturação | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
2. as carcaças fazem sob medida do padrão para 6inch
| 6 especificações da carcaça do carboneto de silicone do &Semi da polegada de diâmetro 4H-N | ||||||||
| PROPRIEDADE DA CARCAÇA | Categoria zero | Categoria da produção | Categoria da pesquisa | Categoria do manequim | ||||
| Diâmetro | 150 mm-0.05 milímetro | |||||||
| Orientação de superfície | fora-linha central: 4°toward <11-20> ± 0.5° para 4H-N
Na linha central: <0001> ±0.5°for 4H-SI |
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| Orientação lisa preliminar |
{10-10} ±5.0° para o entalhe 4H-N/para 4H-Semi |
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| Comprimento liso preliminar | 47,5 milímetros de ± 2,5 milímetros | |||||||
| Espessura 4H-N | STD 350±25um ou 500±25um customzied | |||||||
| Espessura 4H-SEMI | 500±25um STD | |||||||
| Borda da bolacha | Chanfradura | |||||||
| Densidade de Micropipe para 4H-N | <0> | cm2 de ≤2micropipes/ | cm2 de ≤10 micropipes/ |
cm2 de ≤15 micropipes/
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| Densidade de Micropipe para 4H-SEMI | <1 micropipes=""> | cm2 de ≤5micropipes/ | cm2 de ≤10 micropipes/ | cm2 de ≤20 micropipes/ | ||||
| Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade | Nenhuns permitiram | área de ≤10% | ||||||
| Resistividade para 4H-N | 0,015 Ω·cm~0.028 Ω·cm | (área 75%) 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm | ||||||
| Resistividade para 4H-SEMI |
≥1E9 Ω·cm |
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| LTV/TTV/BOW/WARP |
≤3 μm/≤6 μ m/≤30 μm/≤40 μ m |
≤5 μm/≤15 μm/≤40 μm/≤60 μ m |
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Encantar placas pela alta intensidade Ligh |
Área cumulativa ≤0.05% |
Área cumulativa ≤0.1% |
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Contaminação de superfície do silicone pela luz da alta intensidade |
NENHUNS |
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Inclusões visuais do carbono
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Área cumulativa ≤0.05% |
≤ cumulativo3%da área |
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Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade
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NENHUNS |
Area≤3% cumulativo |
Amostra da entrega
Os outros serviços que nós podemos proporcionar
fio-corte da espessura 1.Customized 2. fatia personalizada da microplaqueta do tamanho 3. lente cuotomized da forma
Os outros produtos que similares nós podemos fornecer
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