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| Lugar de origem | porcelana |
| Marca | zmkj |
| Número do modelo | pureza alta 4h-semi un-lubrificado |
Bolachas DSP da pureza alta HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm sic
ZMSH oferece sic a bolacha e a epitaxia: Sic a bolacha é o material largo do semicondutor do bandgap da terceira geração com desempenho excelente. Tem as vantagens do bandgap largo, da condutibilidade térmica alta, do campo elétrico da divisão alta, da alta temperatura intrínseca, da resistência de radiação, da boa estabilidade química e da taxa alta da tração da saturação do elétron. Sic a bolacha tem igualmente grandes perspectivas da aplicação no espaço aéreo, no trânsito do trilho, na produção de eletricidade fotovoltaico, na transmissão de energia, em veículos novos da energia e em outros campos, e trará mudanças revolucionárias à tecnologia da eletrônica de poder. A cara do si ou a cara de C são CMP como a categoria epi-pronta, embalada pelo gás do nitrogênio, cada bolacha estão em um recipiente da bolacha, abaixo sala de classe 100 limpa.
sic as bolachas Epi-prontas têm o tipo de N ou Semi-isolando, seu polytype é 4H ou 6H em categorias de qualidade diferentes, densidade de Micropipe (MPD): Livre, <5>
2. as carcaças fazem sob medida do padrão
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especificação da carcaça do carboneto de silicone de 4 polegadas de diâmetro (sic) |
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| Categoria | Categoria zero de MPD | Categoria da produção | Categoria da pesquisa | Categoria do manequim | |||||
| Diâmetro | 76,2 mm±0.3 milímetro ou 100±0.5mm; | ||||||||
| Espessura | 500±25um | ||||||||
| Orientação da bolacha | 0° fora (0001) da linha central | ||||||||
| Densidade de Micropipe | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤50 | |||||
| Resistividade | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | ||||||||
| Plano preliminar e comprimento | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 milímetro | ||||||||
| Comprimento liso secundário | 18.0mm±2.0 milímetro | ||||||||
| Orientação lisa secundária | Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal | ||||||||
| Exclusão da borda | 3 milímetros | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polonês nanômetro, CMP Ra≤0.5 nanômetro | ||||||||
| Quebras pela luz da alta intensidade | Nenhum | 1 reservado, ≤2 milímetro | ≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm | ||||||
| Encantar placas pela luz da alta intensidade | Área cumulativa ≤1% | Área cumulativa ≤1% | Área cumulativa ≤3% | ||||||
| Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade | Nenhum | Área cumulativa ≤2% | Área cumulativa ≤5% | ||||||
Sic bolacha & lingotes 2-6inch e o outro tamanho personalizado igualmente pode ser fornecido.
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