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Bolacha do fosforeto de índio
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| Lugar de origem | CHINA |
| Marca | zmkj |
| Número do modelo | InP-3INCH |
bolacha deisolamento para o diodo láser do LD, bolacha do InP do fosforeto de índio 4inch de semicondutor, bolacha do InP 3inch, únicas carcaças de cristal para a aplicação do LD, bolacha do InP de wafer2inch 3inch 4inch de semicondutor, bolacha do InP, única bolacha de cristal
O InP introduz
| Único cristal do InP | |
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o crescimento (método alterado de Czochralski) é usado para puxar um único cristal com partir encapsulant do líquido bórico do óxido de uma semente. O entorpecente (Fe, S, Sn ou Zn) é adicionado ao cadinho junto com o polycrystal. A alta pressão é aplicada dentro da câmara para impedir a decomposição da empresa do índio Phosphide.he desenvolveu um processo para render a pureza inteiramente stoechiometric, alta e o baixo cristal do inP da densidade de deslocação único. a uma tecnologia térmica do defletor em relação a um numérico modelagem de condições térmicas do crescimento. o tCZ é um eficaz na redução de custos tecnologia madura com reprodutibilidade de alta qualidade do boule ao boule |
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Especificação
O Fe lubrificou o InP
Especificações deisolamento do InP
| Método do crescimento | VGF |
| Entorpecente | Ferro (FE) |
| Forma da bolacha | Círculo (diâmetro: 2", 3", E 4") |
| Orientação de superfície | (100) ±0.5° |
Orientações do *Other talvez disponíveis mediante solicitação
| Resistividade (Ω.cm) | ≥0.5 × 107 |
| Mobilidade (cm2/V.S) | ≥ 1.000 |
| Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2) | 1,500-5,000 |
| Diâmetro da bolacha (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| URDIDURA (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| DE/SE (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Nota: Outras especificações talvez disponíveis mediante solicitação
n- e p-tipo InP
especificações decondução do InP
| Método do crescimento | VGF |
| Entorpecente | n-tipo: S, Sn E Undoped; p-tipo: Zn |
| Forma da bolacha | Círculo (diâmetro: 2", 3", E 4") |
| Orientação de superfície | (100) ±0.5° |
Orientações do *Other talvez disponíveis mediante solicitação
| Entorpecente | S & Sn (n-tipo) | Undoped (n-tipo) | Zn (p-tipo) |
| Concentração de portador (cm-3) | (0.8-8) × 1018 | × 1015 (de 1-10) | (0.8-8) ×1018 |
| Mobilidade (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | × 103 (de 3-5) | 50-100 |
| Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2) | 100-5,000 | ≤ 5000 | ≤ 500 |
| Diâmetro da bolacha (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| URDIDURA (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| DE/SE (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Nota: Outras especificações talvez disponíveis mediante solicitação
| Processamento da bolacha do InP | |
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| Cada lingote é cortado nas bolachas que são dobradas, lustrado e na superfície preparada para a epitaxia. O processo total é detalhado abaixo. | |
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| Especificação e identificação lisas | A orientação é indicada nas bolachas por dois planos (por muito tempo lisos para a orientação, o plano pequeno para a identificação). O padrão de E.J. (entre a Europa e o Japão) é usado geralmente. A configuração lisa alternativa (E.U.) é usada na maior parte para Ø 4" bolachas. |
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| Orientação do boule | As bolachas exatas (100) ou misoriented são oferecidas. |
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| Precisão da orientação de DE | Em resposta às necessidades da indústria optoelectronic, nós bolachas das ofertas com precisão excelente do da orientação: < 0=""> |
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| Perfil da borda | Há duas especs. comuns: borda química que processa ou que processa mecânico da borda (com um moedor da borda). |
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| Polonês | As bolachas são lustradas por meio de um processo produto-mecânico tendo por resultado uma superfície plana, dano-livre. nós fornecemos bolachas lustradas e único-lado lustradas do dobro-lado (com verso dobrado e gravado). |
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| Preparação de superfície e empacotamento finais | As bolachas atravessam muitas etapas químicas remover o óxido produzido durante o lustro e criar uma superfície limpa com a camada estável e uniforme do óxido que estão pronta para o crescimento epitaxial - superfície epiready e que reduz elementos de traço a extremamente - baixos níveis. Após a inspeção final, as bolachas são empacotadas em uma maneira que mantenha a limpeza de superfície. As instruções específicas para a remoção do óxido estão disponíveis para todos os tipos das tecnologias epitaxial (MOCVD, MBE). |
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| Banco de dados | Como parte de nosso programa estatístico da gestão qualidade controle de processos/total, o banco de dados extensivo que grava as propriedades elétricas e mecânicas para cada lingote assim como análise de cristal do qualidade e a de superfície das bolachas está disponível. Em cada fase de fabricação, o produto é inspecionado antes de passar à fase seguinte para manter um nível elevado de consistência da qualidade da bolacha à bolacha e do boule ao boule. |
Pacote & entrega
FAQ:
Q: Que é seus MOQ e prazo de entrega?
: (1) para o inventário, o MOQ é 5 PCes.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 10-30 PCes acima.
(3) para produtos personalizados, o prazo de entrega em 10days, tamanho custiomzed para 2-3weeks
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