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Bolacha cristalizada do nitreto do gálio de HVPE GaN para o dispositivo do laser
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Bolacha cristalizada do nitreto do gálio de HVPE GaN para o dispositivo do laser

Lugar de origem CHINA
Marca zmkj
Número do modelo GaN-2INCH
Detalhes do produto
Material:
Único cristal de GaN
Método:
HVPE
Tamanho:
2inch
Espessura:
330um
Indústria:
LD, conduzido, dispositivo do laser, detector,
Cor:
Branco
Pacote:
único pacote da caixa da gaveta da bolacha pela condição do vácuo
Realçar: 

Bolacha do nitreto do gálio de HVPE

,

bolacha do nitreto do gálio de GaN

,

bolacha gan de HVPE

Descrição do produto

carcaças autônomas de 2inch GaN, bolacha para o LD, bolacha semiconducting de GaN do nitreto do gálio para conduzido, molde de GaN, carcaças de 10x10mm GaN, bolacha nativa de GaN,

 

  1. Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)

A largura de banda proibida (luminescente e absorção) cobre a luz e o infravermelho ultravioletas, visíveis.

Bolacha cristalizada do nitreto do gálio de HVPE GaN para o dispositivo do laser 0Bolacha cristalizada do nitreto do gálio de HVPE GaN para o dispositivo do laser 1

 

 

GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,

Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

Bolacha cristalizada do nitreto do gálio de HVPE GaN para o dispositivo do laser 2

 

Especificações:

Artigo GaN-FS-n
Dimensões ± 1mm de Ф 50.8mm
Marco Defect Density Um nível ≤ 2 cm2
Nível de B > 2 cm2
Espessura 300 µm do ± 25
Orientação ± 0.5° da C-linha central (0001)
Plano da orientação ± 0.5° (de 1-100), ± 16,0 1.0mm
Plano secundário da orientação ± 3° (de 11-20), 8,0 ± 1.0mm
TTV (variação total da espessura) µm ≤15
CURVA µm ≤20
Tipo da condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0="">
Densidade de deslocação Menos do que os cm2 5x106
Área de superfície útil > 90%
Polonês

Front Surface: Ra < 0="">

Superfície traseira: Terra fina

Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

 

2. Nossa visão da empresa

nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia da aplicação para a indústria.

GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da micro-ondas da confiança, brilho alto e eficiência elevada, diodo emissor de luz de poupança de energia.

 

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- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.

Q: Como pagar?
100%T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança de comércio.

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 1pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e das técnicas.

Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de ROHS e alcançar relatórios para nossos produtos.

 

 

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