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JFET de cristal lubrificado personalizado IGBT 4 H-N Sic Substrates

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JFET de cristal lubrificado personalizado IGBT 4 H-N Sic Substrates

Customized Doped Crystal JFET IGBT 4H-N Sic Substrates
Customized Doped Crystal JFET IGBT 4H-N Sic Substrates Customized Doped Crystal JFET IGBT 4H-N Sic Substrates Customized Doped Crystal JFET IGBT 4H-N Sic Substrates Customized Doped Crystal JFET IGBT 4H-N Sic Substrates

Imagem Grande :  JFET de cristal lubrificado personalizado IGBT 4 H-N Sic Substrates

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: zmkj
Número do modelo: 6h-n, 4h-semi

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: by required
Detalhes da embalagem: Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de únicos recipientes
Tempo de entrega: 10-20days
Habilidade da fonte: 100pcs/months
Descrição de produto detalhada
Material: sic cristal Indústria: bolacha de semicondutor
Aplicação: semicondutor, conduzido, dispositivo, eletrônica de poder, 5G Cor: azul, verde, branco
Tipo: 4H, 6H, LUBRIFICOU, nenhuma pureza lubrificada, alta
Realçar:

4H-N Sic Substrates

,

JFET Sic Semiconductor Wafer

,

Doped IGBT Sic Substrates

tipo da produção da categoria do MANEQUIM da categoria carcaças de 4inch dia100m 4H-N sic, carcaças do carboneto de silicone para o dispositivo de semicondutor,

4h-semi 4h-N personalizou bolachas quadradas da forma sic

 

 

Áreas de aplicação

 

1 diodo de alta frequência e do poder superior dos dispositivos eletrónicos de Schottky,

 

    JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET

 

2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)

 

Advantagement

• Baixa má combinação da estrutura
• Condutibilidade térmica alta
• Consumo da baixa potência
• Características transientes excelentes
• Diferença de faixa alta

 

 

Carborundum sic de cristal da bolacha da carcaça do carboneto de silicone

PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE

 
Nome do produto: Carcaça de cristal do carboneto de silicone (sic)
Descrição do produto: 2-6inch
Parâmetros técnicos:
Estrutura de pilha Sextavado
Entrelace constante = uns 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioridades ABCACB (6H)
Método do crescimento MOCVD
Sentido Linha central de crescimento ou (° 0001) 3,5 parcial
Polonês Lustro da superfície do si
Bandgap eV 2,93 (indireto)
Tipo da condutibilidade N ou seimi, pureza alta
Resistividade 0,076 ohm-cm
Permitividade e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Condutibilidade térmica @ 300K 5 com o cm. K
Dureza 9,2 Mohs
Especificações: 6H N-tipo N-tipo de 4H queisola dia2 “x0.33mm, dia2” x0.43mm, dia2 ' x1mmt, lance de 10x10mm, de 10x5mm o único ou o lance dobro, Ra <10a>
Empacotamento padrão: saco 1000 quarto desinfetado, 100 limpo ou único empacotamento da caixa

 

2. as carcaças fazem sob medida do padrão

especificação da carcaça do carboneto de silicone de 4 polegadas de diâmetro (sic)

Categoria Categoria zero de MPD Categoria da produção Categoria da pesquisa Categoria do manequim
Diâmetro 100,0 mm±0.5 milímetro
Espessura 350 μm±25μm (a espessura 200-500um igualmente é aprovada)
Orientação da bolacha Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI na linha central: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
Densidade de Micropipe cm2 ≤1 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤50
Resistividade 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Plano preliminar e comprimento {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 milímetro
Comprimento liso secundário 18.0mm±2.0 milímetro
Orientação lisa secundária Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal
Exclusão da borda 3 milímetros
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤40μm
Aspereza Ra≤1 polonês nanômetro, CMP Ra≤0.5 nanômetro
Quebras pela luz da alta intensidade Nenhum 1 reservado, ≤2 milímetro ≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm
Encantar placas pela luz da alta intensidade Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤3%
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade Nenhum Área cumulativa ≤2% Área cumulativa ≤5%
Riscos pela luz da alta intensidade 3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer
microplaqueta da borda Nenhum 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um 5 reservados, ≤1 milímetro cada um
Contaminação pela luz da alta intensidade Nenhum

Sic bolacha & lingotes 2-6inch e o outro tamanho personalizado   igualmente pode ser fornecido.

 

 

3.Pictures de produtos da entrega antes

JFET de cristal lubrificado personalizado IGBT 4 H-N Sic Substrates 0JFET de cristal lubrificado personalizado IGBT 4 H-N Sic Substrates 1

JFET de cristal lubrificado personalizado IGBT 4 H-N Sic Substrates 2JFET de cristal lubrificado personalizado IGBT 4 H-N Sic Substrates 3

 

JFET de cristal lubrificado personalizado IGBT 4 H-N Sic Substrates 4

FAQ

Q: Que são seus produtos principais?

: bolachas de semicondutor e lente ótica, espelhos, janelas, filtros, prismas

Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?

: No prazo de entrega geral é aproximadamente um mês para o estoque produzido feito sob encomenda de optics.except uns ou algum sistema ótico especial.

Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?

: Nós podemos fornecer amostras grátis se nós temos os sistemas óticos conservados em estoque como seu pedido, quando as amostras produzidas feitas sob encomenda não estiverem livres.

Q: Que é seu MOQ?

MOQ é 10pcs para a maioria da bolacha ou da lente, quando MOQ poderia ser somente uma parte se você precisa um elemento na dimensão grande.

Q: Que é seus termos de pagamento?

T/T, L/C, VISTO, Paypal, Alipay ou negociação.

 

 

 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Wang

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