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Bolacha conduzida UVC do molde de GaN AlN do nitreto do gálio das carcaças 2Inch 4inch na bolacha da safira

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Bolacha conduzida UVC do molde de GaN AlN do nitreto do gálio das carcaças 2Inch 4inch na bolacha da safira

China Bolacha conduzida UVC do molde de GaN AlN do nitreto do gálio das carcaças 2Inch 4inch na bolacha da safira fornecedor
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Imagem Grande :  Bolacha conduzida UVC do molde de GaN AlN do nitreto do gálio das carcaças 2Inch 4inch na bolacha da safira

Detalhes do produto:

Lugar de origem: CHINA
Marca: zmkj
Número do modelo: molde de 2-4inch GaN

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 2pc
Preço: by case
Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 2-4weeks
Termos de pagamento: L/C, T/T
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Descrição de produto detalhada
Material: camada na bolacha da safira método: HVPE
tamanho: 2inch, 4inch thickness: 430+15um or 650um
industry: LD,led,laser device,detector, surface: double or single side polished

 

As carcaças UVC do diodo emissor de luz EPI mergulham a bolacha do molde de AlN do nitreto do gálio 2inch, 4inch na safira ou sic as carcaças,

Bolacha do nitreto do gálio de HVPE, moldes de AlN 

  1. Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)

Tampa proibida da largura de banda (luminescente e absorção) o ultravioleta, a luz visível e o infravermelho.

Produto  Filme do nitreto de alumínio (AlN)
Descrição do produto: AllN Epitxial propôs o método modelo de (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro do saphhire. O filme do nitreto de alumínio é igualmente maneira eficaz na redução de custos de substituir a carcaça do único cristal de nitreto de alumínio. Do ramo do cristal boa vinda sinceramente seu inquérito!
Parâmetros técnicos:
Tamanho ± 2mm de 50mm
Orientação da carcaça da safira ± 1.0deg da c-linha central (0001)
Densidade macro do defeito <5cm-2>
Área de superfície disponível 90%
Tratamento de superfície antes Como crescido Epi-pronto
Recipiente Única microplaqueta

 

Especificações:

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 “x1mm;

Pode ser personalizado de acordo com a orientação e o tamanho especiais da procura dos clientes.

Empacotamento do padrão: saco 1000 quarto desinfetado, 100 limpo ou único empacotamento da caixa
 


Especificações:

  4" moldes de AlN do tamanho 2-4inch aprovação igualmente
Artigo AlN-T
Dimensões Ф 100±0.3mm
Carcaça Safira, sic, GaN
Espessura 1000nm+/- 10% (espessura de AlN)
Orientação ± 1° da C-linha central (0001)
Tipo da condução Semi-isolamento
Densidade de deslocação XRD FWHM de (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM de (10-12) < 1000="" arcsec="">
Área de superfície útil > 80%
Polonês Padrão: SSP
Opção: DSP
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de 25pcs ou de únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio. ou únicas gavetas.

Outro faz sob medida 5x5mm aslike, 10x10mm, 2inch, 3inch igualmente pode ser personalizado. 

 

Bolacha conduzida UVC do molde de GaN AlN do nitreto do gálio das carcaças 2Inch 4inch na bolacha da safira

Aplicação:

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Sobre nossa equipe

    ZMKJ localiza na cidade de Shanghai, que é a melhor cidade de China,

e nossa fábrica é fundada na cidade de Wuxi em 2014, mas no material do semicondutor,

tenha a boa experiência para quase 10years.
   Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais nas bolachas, nas carcaças e no vidro ótico custiomized parts.components amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na ótica electrónica e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D.
     É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossos bons reputatiaons.


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Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Wang

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