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Sic carcaça
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| Lugar de origem | China |
| Marca | zmsh |
| Número do modelo | HPSI |
Hardness9.4 o carboneto de silicone transparente incolor da pureza alta 4H-SEMI lustrou sic a bolacha para a aplicação ótica do transmitância alto
| Propriedade | 4H-SiC, único cristal | 6H-SiC, único cristal |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm da refração |
nenhuns = 2,61 ne = 2,66 |
nenhuns = 2,60 ne = 2,65 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| Condutibilidade térmica (Semi-isolar) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Faixa-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo elétrico da divisão | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocidade de tração da saturação | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Propriedades físicas & eletrônicas do comparado sic a GaAa e a si
Energia larga Bandgap (eV)
4H-SiC: 3,26 6H-SiC: 3,03 GaAs: Si 1,43: 1,12
Os dispositivos eletrónicos formaram em sic podem operar-se extremamente em altas temperaturas sem sofrimento dos efeitos intrínsecos da condução devido ao bandgap largo da energia. Também, esta propriedade reserva sic emitir-se e detectar a luz curto do comprimento de onda que faz a fabricação de diodos luminescentes azuis e dos fotodetector UV cegos quase solares possíveis.
Campo elétrico da divisão alta [V/cm (para uma operação de 1000 V)]
4H-SiC: 2,2 x 106* 6H-SiC: 2,4 x 106* GaAs: si 3 x 105: 2,5 x 105
Sic pode suportar um inclinação da tensão (ou o campo elétrico) sobre oito vezes maior do que do que o si ou o GaAs sem submeter-se à divisão de avalancha. Este campo elétrico da divisão alta permite a fabricação de dispositivos muito de alta tensão, de alta potência tais como diodos, de transitors do poder, de tiristores e de proteções contra sobrecarga do poder, assim como de dispositivos da micro-ondas do poder superior. Adicionalmente, permite que os dispositivos sejam colocados muito perto junto, fornecendo a densidade de embalagem alta do dispositivo para circuitos integrados.
Condutibilidade térmica alta (W/cm · K @ RT)
4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0,5 si: 1,5
É sic um condutor térmico excelente. O calor fluirá mais prontamente completamente sic do que outros materiais do semicondutor. De fato, na temperatura ambiente, tem sic uma condutibilidade térmica mais alta do que todo o metal. Esta propriedade permite sic dispositivos de operar-se extremamente a níveis do poder superior e de dissipar ainda as grandes quantidades de calor adicional geradas.
Velocidade de tração saturada alta do elétron [cm/sec (@ V/cm do ≥ 2 x 105 de E)]
4H-SiC: 2,0 x 107 6H-SiC: 2,0 x 107 GaAs: si 1,0 x 107: 1,0 x 107
Sic os dispositivos podem operar-se em altas frequências (RF e micro-ondas) devido à velocidade de tração saturada alta do elétron de sic.
Aplicações
Depósito do nitreto de *III-V Dispositivos *Optoelectronic
Dispositivos do *High-Power * dispositivos de alta temperatura
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2" |
3" |
4" |
6" |
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Polytype |
4H/6H |
4H |
4H |
4H |
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Diâmetro |
50.80mm±0.38mm |
76.2mm±0.38mm |
100.0mm±0.5mm |
150.0mm±0.2mm |
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