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Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros

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Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros

China Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros fornecedor
Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros fornecedor Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros fornecedor

Imagem Grande :  Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Número do modelo: GaN-001

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Termos de pagamento: L/C, T/T
Habilidade da fonte: 10pcs/month
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Descrição de produto detalhada
Materiais: Único cristal de GaN indústria: Bolacha de semicondutor, diodo emissor de luz
Aplicação: dispositivo de semicondutor, bolacha do LD, bolacha do diodo emissor de luz, detector do explorador, Tipo: Molde de HVPE
Personalizado: APROVAÇÃO Tamanho: 10X10,5X5,20X20,30X30, DIA45MM,

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Sobre a característica de GaN introduza

 O aumento da procura para capacidades demanipulação de alta velocidade, de alta temperatura e altas tem a reconsideração da indústria do semicondutor do madethe a escolha de materiais usados como semicondutores. Por exemplo,                      

enquanto os vários dispositivos de computação mais rápidos e menores se levantam, o uso do silicone está fazendo difícil sustentar a lei de Moore. Mas igualmente na bolacha de eletrônica de poder, assim que de semicondutor de GaN é crescido para fora para a necessidade.              

 Devido a suas tensão de divisão original das características (atual máximo alto, alto, e frequência de comutação alta), nitreto GaN do gálio é o material original da escolha para resolver problemas de energia do futuro.   GaN baseou sistemas tem a eficiência de poder mais alto, as perdas de poder assim da diminuição, comutam em uma frequência mais alta, assim reduzindo o tamanho e o peso.    

                                                                                                                                                                           

   A tecnologia de GaN é usada em aplicações de alta potência numerosas tais como fontes industriais, do consumidor e do servidor de alimentação, movimentação solar, da C.A. e inversores de UPS, e carros híbridos e bondes. Além disso,                       

GaN é serido idealmente para aplicações do RF tais como estações base, radares e a televisão por cabo celulares                             

infraestrutura nos trabalhos em rede, setores do espaço aéreo e da defesa, agradecimentos a sua força alta da divisão, figura de baixo nível de ruído e linearidades altas.

 

 

 

Especificações para carcaças de GaN

 

 

2" carcaças de GaN  
Artigo GaN-FS-n GaN-FS-SI
Dimensões ± 1mm de Ф 50.8mm
Densidade do defeito de Marco Um nível ≤ 2 cm-2
Nível de B > 2 cm-2
Espessura 330 µm do ± 25
Orientação ± 0.5° da C-linha central (0001)
Orientação lisa ± 0.5° (de 1-100), ± 16,0 1.0mm
Orientação secundária lisa ± 3° (de 11-20), 8,0 ± 1.0mm
TTV (variação total da espessura) µm ≤15
CURVA µm ≤20
Tipo da condução N-tipo Semi-isolamento
Resistividade (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Densidade de deslocação Menos do que 5x106 cm-2
Área de superfície útil > 90%
Polonês Superfície dianteira: Ra < 0="">
Superfície traseira: Terra fina
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

P-GaN na safira

Crescimento MOCVD/HVPE
Condutibilidade Tipo de P
Entorpecente Magnésio
Concentração > 5E17 cm-3
Espessura 1 ~ 5 um
Resistividade < 0="">
Carcaça Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" bolacha da safira

Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros

Aplicações

  1. - Vários diodos emissores de luz: diodo emissor de luz branco, diodo emissor de luz violeta, diodo emissor de luz ultravioleta, diodo emissor de luz azul
  2. - Detecção ambiental
  3. Carcaças para o crescimento epitaxial por MOCVD etc.
  4. - Diodos láser: LD violeta, LD verde para projetores ultra pequenos.
  5. - Dispositivos eletrónicos do poder
  6. - Dispositivos eletrónicos de alta frequência
  7. Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.
  8. Armazenamento da data
  9. iluminação Energia-eficiente
  10. Dispositivos eletrónicos de grande eficacia
  11. Tecnologia nova do hidrogênio do solor da energia
  12. Faixa do terahertz da fonte luminosa

Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros

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etiqueta:

molde gan,

molde do aln

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Pessoa de Contato: Wang

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