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Carcaça de Zno, carcaça do cristal do óxido de zinco da bolacha do arsenieto de gálio
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Carcaça de Zno, carcaça do cristal do óxido de zinco da bolacha do arsenieto de gálio

Lugar de origem China
Marca zmsh
Certificação no
Número do modelo ZnO
Detalhes do produto
Materiais:
Carcaças do único cristal de ZnO
indústria:
bolacha do semicondutor
Aplicação:
carcaça do semicondutor, microplaqueta conduzida, janela de vidro ótica, carcaças do dispositivo
Método:
VFG
Tamanho:
10x10mm
Espessura:
0,5 mm
Realçar: 

bolacha do gaas

,

carcaça laalo3

Descrição do produto

Carcaças de ZnO, bolacha quadrada pequena do óxido de zinco de 10X10mm, carcaças em orientações diferentes, único cristal de 5x5mm ZnO de ZnO

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O óxido de zinco (ZnO) pode ser crescido como um semicondutor do único cristal com propriedades muito interessantes.

O bandgap está na escala de 3,4 eV que faz atrativo para muitas das aplicações azuis e violetas

na ótica electrónica assim como em dispositivos UV. Está disponível nos volumes, nas bolachas de até 2 polegadas,

qual lhe dá uma vantagem principal sobre o nitreto do gálio e os outros nitretos do grupo III.
     ZnO igualmente tem o potencial transformar-se o material da carcaça da escolha para GaN. Como GaN tem uma estrutura de wurtzite, com as constantes da estrutura combinadas proximamente a GaN (a=3.249, c=5.205). ZnO é exatamente

a estrutura combinou a InGaN com um 22% no índice. Talvez mais importante ainda é um material complacente macio

isso é acreditado a provavelmente e pode pegar o esforço da estrutura de preferência à camada crescente de GaN.

Sofre do inconveniente que separa na amônia em temperaturas acima de 600°C. com seu bandgap largo, óxido de zinco poderia provar muito útil em aplicações óticas assim como muito eletrônica de alta velocidade.

ZnO pode igualmente ser usado como uma carcaça para o crescimento epitaxial.

 

Aplicação:

Descrição de cristal do substrateProduct do óxido de zinco (ZnO): A carcaça de cristal do óxido de zinco (ZnO) é amplamente utilizada dentro

Carcaça epitaxial de GaN (diodo emissor de luz azul), dispositivos de conexão da faixa larga e outros campos. Parâmetros técnicos

Carcaça de Zno, carcaça do cristal do óxido de zinco da bolacha do arsenieto de gálio 0

Propriedades gerais

Pureza WT % > 99,99
Impureza: WT % Magnésio: <>
  Fe: < 0="">
Estrutura de cristal Sextavado: å do a= 3,252, c = å 5,207
Método do crescimento Hidrotermal
Dureza escala de 4 moh
Densidade 5,7 g/cm3
Ponto do derretimento OC 1975
Calor específico 0,125 cal/gm
Constante termoelétrico 1200 milivolts/@ 300aprovados OC
Condutibilidade térmica 0,006 cal/cm/está bem
Expansão térmica 2,90 x 10-6/oK
Escala de transmissão 0.4 - 0,6 m > 50% em 2 milímetros
Densidade de deslocação <0001> plano <100>2
 

Especificações para a bolacha

Orientação <0001> <11-20>, <10-10>± 0,5o ou orientação feita sob encomenda
Superfície lustrada EPI lustrado em um lado ou em dois lados, Ra < 5="">
Tamanho padrão 5 x 5 milímetros, 10x10 milímetro, 20x20 milímetro e 25x25 milímetro
Espessura 0,35 milímetros, 0,5 milímetros e 1,0 milímetros

 

Carcaça de Zno, carcaça do cristal do óxido de zinco da bolacha do arsenieto de gálio 1Carcaça de Zno, carcaça do cristal do óxido de zinco da bolacha do arsenieto de gálio 2

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Worldhawk refere-se a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.

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