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a pureza alta 4h-semi de carboneto de silicone da categoria da pesquisa da produção do manequim un-lubrificou sic a bolacha transparente

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Imagem Grande :  a pureza alta 4h-semi de carboneto de silicone da categoria da pesquisa da produção do manequim un-lubrificou sic a bolacha transparente

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: zmkj
Número do modelo: 4inch--pureza semi alta
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: by required
Detalhes da embalagem: Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de únicos recipientes
Tempo de entrega: 15 dias
Habilidade da fonte: 100pcs/months

a pureza alta 4h-semi de carboneto de silicone da categoria da pesquisa da produção do manequim un-lubrificou sic a bolacha transparente

descrição
Material: sic cristal Indústria: bolacha de semicondutor
Aplicação: semicondutor, conduzido, dispositivo, eletrônica de poder, 5G Cor: azul, verde, branco
Tipo: 4H, 6H, LUBRIFICOU, nenhuma pureza lubrificada, alta
Realçar:

carcaça do carboneto de silicone

,

sic carcaça

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Sobre sic o cristal

O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum /k ɑːrbəˈrʌndəm/, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. Ocorre na natureza como o moissanite mineral extremamente raro. O pó sintético do carboneto de silicone foi produzido em massa desde 1893 para o uso como um abrasivo. As grões do carboneto de silicone podem ser ligadas junto aglomerando para formar a cerâmica muito dura que são amplamente utilizadas nas aplicações que exigem a resistência alta, tal como freios do carro, embreagens do carro e placas cerâmicas em vestes à prova de balas. As aplicações eletrônicas do carboneto de silicone tais como diodos luminescentes (LEDs) e detectores em rádios adiantados foram demonstradas primeiramente por volta de 1907. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou em ambos. Os grandes únicos cristais do carboneto de silicone podem ser crescidos pelo método de Lely; podem ser cortados nas gemas conhecidas como o moissanite sintético. O carboneto de silicone com área de superfície alta pode ser produzido de SiO2 contido na planta.

 

Aplicações das carcaças e das bolachas sic de cristal

Os crytsals do carboneto de silicone (sic) têm propriedades físicas e eletrônicas originais. Os dispositivos baseados do carboneto de silicone foram para breve comprimento de onda usado optoelectronic, de alta temperatura, applciations resistentes da radiação. Os dispositivos eletrónicos de alta potência e de alta frequência feitos com sic são superiores ao si e aos dispositivos baseados GaAs. São abaixo algumas aplicações populares sic de carcaças.

 

Depósito do nitreto de III-V

Camadas epitaxial de GaN, de AlxGa1-xN e de InyGa1-yN sic na carcaça ou na carcaça da safira.

A epitaxia do nitreto do gálio em moldes é usada sic para fabricar os diodos luminescentes azuis (diodo emissor de luz azul) e e fotodetector UV cegos quase solares

 

Dispositivos Optoelectronic

Os dispositivos sic baseados têm a baixa má combinação da estrutura com camadas epitaxial do Iii-nitreto. Têm a condutibilidade térmica alta e podem ser usados para a monitoração de processos da combustão e para todos os tipos de Uv-detecção.

os dispositivos de semicondutor SIC-baseados podem trabalhar sob ambientes muito hostis, tais como a alta temperatura, o poder superior, e condições altas da radiação.

 

Dispositivos de poder superior

Tem sic as seguintes propriedades:

Energia larga Bandgap

Campo bonde alto da divisão

Velocidade de tração alta da saturação

Condutibilidade térmica alta

É usado sic para a fabricação de dispositivos muito de alta tensão e de alta potência tais como diodos, transitors do poder, e dispositivos da micro-ondas do poder superior. Comparado aos Si-dispositivos convencionais, os dispositivos de poder SIC-baseados têm tensões mais rápidas da velocidade de interruptor umas mais altas, umas mais baixas resistências parasíticas, tamanho menor, menos exigido refrigerando devido à capacidade de alta temperatura.

Tem sic uma condutibilidade térmica mais alta do que o significado do GaAs ou do si que sic os dispositivos podem teoricamente operar em densidades de poder mais alto do que o GaAs ou o si. Uma condutibilidade térmica mais alta combinada com o bandgap largo e o campo crítico alto dão sic a semicondutores uma vantagem quando o poder superior é uma característica desejável chave do dispositivo.

Atualmente o carboneto de silicone (sic) é amplamente utilizado para o poder superior MMICapplications. É usado sic igualmente como uma carcaça para o crescimento epitaxial de GaN para mesmo dispositivos de um poder mais alto MMIC

 

Dispositivos de alta temperatura

Porque tem sic uma condutibilidade térmica alta, dissipa sic o calor mais rapidamente do que outros materiais do semicondutor. Isto permite sic dispositivos de ser operado extremamente a níveis do poder superior e ainda dissipa as grandes quantidades de calor adicional geradas dos dispositivos.

 

Dispositivos de poder de alta frequência

a eletrônica SIC-baseada da micro-ondas é usada para comunicações e o rad sem fio

 

2. tamanho das carcaças

4 especificações da carcaça do carboneto de silicone da polegada de diâmetro 4H-semi

PROPRIEDADE DA CARCAÇA

Categoria da produção

Categoria da pesquisa

Categoria do manequim

Diâmetro

100,0 milímetro +0.0/-0.5milímetros

Orientação de superfície

{0001} ±0.2°

Orientação lisa preliminar

<11->20> ̊ do ± 5,0

Orientação lisa secundária

90,0 ̊ CW do ̊ preliminar do ± 5,0, silicone de face para cima

Comprimento liso preliminar

32,5 milímetros ±2.0 milímetro

Comprimento liso secundário

18,0 milímetros ±2.0 milímetro

Borda da bolacha

Chanfradura

Densidade de Micropipe

cm2 de ≤5 micropipes/

cm2do ≤10micropipes/

cm2 de ≤50 micropipes/

Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade

Nenhuns permitiram

áreado ≤10%

Resistividade

≥1E7 Ω·cm

(área 75%) ≥1E7 Ω·cm

Espessura

350,0 μm do μm do ± 25,0 do μm ou 500,0 do ± 25,0 do μm

TTV

10μm

μmdo 15

Curva (valor absoluto)

μmdo 25

μmdo 30

Urdidura

μmdo 45

Revestimento de superfície

Polonês dobro do lado, CMP da cara do si (lustro do produto químico)

Aspereza de superfície

Cara Ra≤0.5 nanômetro do si do CMP

N/A

Quebras pela luz da alta intensidade

Nenhuns permitiram

Microplaquetas/recortes da borda pela iluminação difusa

Nenhuns permitiram

Qty.2<> largura e uma profundidade de 1,0 milímetros

Qty.2<> largura e uma profundidade de 1,0 milímetros

Área útil total

≥90%

≥80%

N/A

 

O outro tamanho 

3 especificações da carcaça do carboneto de silicone da polegada de diâmetro 4H

PROPRIEDADE DA CARCAÇA

Categoria da produção

Categoria da pesquisa

Categoria do manequim

Diâmetro

76,2 milímetros ±0.38 milímetro

Orientação de superfície

{0001} ±0.2°

Orientação lisa preliminar

<11->20> ̊ do ± 5,0

Orientação lisa secundária

90,0 ̊ CW do ̊ preliminar do ± 5,0, silicone de face para cima

Comprimento liso preliminar

22,0 milímetros ±2.0 milímetro

Comprimento liso secundário

11,0 milímetros ±1.5mm

Borda da bolacha

Chanfradura

Densidade de Micropipe

cm2 de ≤5 micropipes/

cm2do ≤10micropipes/

cm2 de ≤50 micropipes/

Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade

Nenhuns permitiram

áreado ≤10%

Resistividade

≥1E7 Ω·cm

(área 75%) ≥1E7 Ω·cm

Espessura

350,0 μm do μm do ± 25,0 do μm ou 500,0 do ± 25,0 do μm

TTV

μm ≤10

μm ≤15

Curva (valor absoluto)

μm ≤15

μm ≤25

Urdidura

μm ≤35

Revestimento de superfície

Polonês dobro do lado, CMP da cara do si (lustro do produto químico)

Aspereza de superfície

Cara Ra≤0.5 nanômetro do si do CMP

N/A

Quebras pela luz da alta intensidade

Nenhuns permitiram

Microplaquetas/recortes da borda pela iluminação difusa

Nenhuns permitiram

Qty.2<> largura e uma profundidade de 1,0 milímetros

Qty.2<> largura e uma profundidade de 1,0 milímetros

Área útil total

>90%

>80%

N/A

o *The outras especificações pode ser personalizado de acordo com as exigências de cliente

 

2 especificações da carcaça do carboneto de silicone da polegada de diâmetro 4H

PROPRIEDADE DA CARCAÇA

Categoria da produção

Categoria da pesquisa

Categoria do manequim

Diâmetro

50,8 milímetros ±0.38 milímetro

Orientação de superfície

{0001} ±0.2°

Orientação lisa preliminar

<11->20> ̊ do ± 5,0

Orientação lisa secundária

90,0 ̊ CW do ̊ preliminar do ± 5,0, silicone de face para cima

Comprimento liso preliminar

16,0 milímetros ±1.65 milímetro

Comprimento liso secundário

8,0 milímetros ±1.65 milímetro

Borda da bolacha

Chanfradura

Densidade de Micropipe

cm2 de ≤5 micropipes/

cm2do ≤10micropipes/

cm2 de ≤50 micropipes/

Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade

Nenhuns permitiram

áreado ≤10%

Resistividade

≥1E7 Ω·cm

(área 75%) ≥1E7 Ω·cm

Espessura

350,0 μm do μm do ± 25,0 do μm ou 500,0 do ± 25,0 do μm

TTV

μm ≤10

μm ≤15

Curva (valor absoluto)

μm ≤10

μm ≤15

Urdidura

μmdo ≤25

Revestimento de superfície

Polonês dobro do lado, CMP da cara do si (lustro do produto químico)

Aspereza de superfície

Cara Ra≤0.5 nanômetro do si do CMP

N/A

Quebras pela luz da alta intensidade

Nenhuns permitiram

Microplaquetas/recortes da borda pela iluminação difusa

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Nenhuns permitiram

Qty.2<> largura e uma profundidade de 1,0 milímetros

Qty.2<> largura e uma profundidade de 1,0 milímetros

Área útil total

≥90%

≥80%

N/A

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FAQ:                                                 

Q: Que é a maneira de transporte e de custo?

A: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.

(2) se você tem sua própria conta expressa, é grande. Se não, nós poderíamos ajudá-lo a enviá-los.

O frete é de acordo com o pagamento real ou pela CORRENTE DE RELÓGIO.

Q: Como pagar?

A: 100%T/T, Paypal,

 

Q: Que é seus MOQ e prazo de entrega?

A: (1) para o inventário, o MOQ é 2pcs em 10days

(2) para produtos personalizados, o MOQ é 10pcs acima de in10-20days.

 

Q: Posso eu personalizar os produtos baseados em minha necessidade?

A: Sim, nós podemos personalizar o material, as especificações e a forma, espessura, tamanho, superfície.

 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Wang

Telefone: +8615801942596

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