Casa ProdutosBolacha do nitreto do gálio

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

Os melhores produtos
Estou Chat Online Agora

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido
2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido 2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

Imagem Grande :  2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: zmkj
Número do modelo: GaN-moldes
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 5pc
Preço: by case
Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Termos de pagamento: L / C, T / T

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

descrição
Material: Epi de GaN no portador da safira Método: HVPE
Tamanho: 2inch Espessura: 430um
Indústria: LD, conduzido, dispositivo do laser, detector, Superfície: único lado lustrado
Realçar:

carcaça gan

,

molde gan

molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, bolacha do mocvd GaN,

Especificações de GaN/características especiais:

  1. O nitreto do gálio (GaN) é um material feito muito duro que tenha um wurtzite a estrutura de cristal e é provavelmente o material o mais importante do semicondutor como o material da terceira geração semi.
  2.  Pode ser usado para emitir-se a luz brilhante sob a forma dos diodos luminescentes (diodo emissor de luz) e dos diodos láser, assim como ser o material chave para a alta frequência da próxima geração, transistor de poder superior capazes do funcionamento em altas temperaturas.
  3. GaN baseou a bolacha epitaxial (safira, sic) que as bolachas Epitaxial são crescidas pelo método do MBE ou do MOCVD, a uma camada ou as estruturas da multi-camada em carcaças da safira, diâmetro até 4 polegadas.

Tampa proibida da largura de banda do Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão) (luminescente e absorção) o ultravioleta,

a luz visível e infrared.GaN podem ser usados em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, detecção alta-tensão

e imagem latente, exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

 2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido 0
 
Especificações:
 

2" moldes de GaN

 

 Artigo

 

GaN-T-N  

GaN-T-S

Dimensões

Ф 2"

 Espessura

15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40

30 μm, μm 90

 Orientação

± 1° da C-linha central (0001)

Tipo da condução

N-tipo

Semi-isolamento

 Resistividade (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

 Densidade de deslocação

Menos do que os cm2 1x108

Estrutura da carcaça

 
GaN grosso na safira 430um ou 330um (0001)

 

 Área de superfície útil

> 90%

Polonês

Padrão: Opção de SSP: DSP

 Pacote

Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de 25pcs ou de únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido 12inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido 2


2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido 3
- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF pela CORRENTE DE RELÓGIO.
Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
Q: Como pagar?
100%T/T adiantado, Paypal, união ocidental, MoneyGram,


 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Wang

Telefone: +8615801942596

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)