2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

1. O nitreto do gálio (GaN) é um material feito muito duro que tenha um wurtzite a estrutura de cristal e é provavelmente o material o mais importante do semicondutor como o material da terceira geração semi.
2.  Pode ser usado para emitir-se a luz brilhante sob a forma dos diodos luminescentes (diodo emissor de luz) e dos diodos láser, assim como ser o material chave para a alta frequência da próxima geração, transistor de poder superior capazes do funcionamento em altas temperaturas.
3. GaN baseou a bolacha epitaxial (safira, sic) que as bolachas Epitaxial são crescidas pelo método do MBE ou do MOCVD, a uma camada ou as estruturas da multi-camada em carcaças da safira, diâmetro até 4 polegadas.

2" moldes de GaN

 

Artigo	GaN-T-N	GaN-T-S
Dimensões	Ф 2"
Espessura	15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40	30 μm, μm 90
Orientação	± 1° da C-linha central (0001)
Tipo da condução	N-tipo	Semi-isolamento
Resistividade (300K)	< 0="">Ω·cm	>106 Ω·cm
Densidade de deslocação	Menos do que os cm2 1x108
Estrutura da carcaça	GaN grosso na safira 430um ou 330um (0001)
Área de superfície útil	> 90%
Polonês	Padrão: Opção de SSP: DSP
Pacote	Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de 25pcs ou de únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

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