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Bolacha do GaAs
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| Lugar de origem | China |
| Marca | zmsh |
| Certificação | no |
| Número do modelo | GaAs-4inch |
carcaças de 4inch GaAs, bolacha do GaAs para conduzido, bolachas de cristal de arsenieto de gálio, bolacha do GaAs do entorpecente de Si/Zn
(Composto de A dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto do bandgap de III-V com uma estrutura de cristal de blenda de zinco)
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Sobre o cristal do GaAs
| Nome do produto: | Carcaça do cristal de (GaAs) do arsenieto de gálio | ||||||||||||
| Parâmetros técnicos: |
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| Especificações: |
Orientação geral: <100>: <110>: <111>: Tamanho padrão: Ø3 “x 0.5mm; Ø2” x 0.5mm; Ø4 “x 0.5mm; Nota: de acordo com as exigências e o tamanho de clientes do sentido correspondente. |
Aplicação:
1. Usado principalmente na eletrônica, ligas de baixa temperatura, arsenieto de gálio.
2. O composto químico preliminar do gálio na eletrônica, é usado em circuitos da micro-ondas, em circuitos de alta velocidade do interruptor, e nos circuitos infravermelhos.
3. O nitreto do gálio e o nitreto do gálio do índio, porque os usos do semicondutor, produzem diodos luminescentes azuis e violetas (LEDs) e lasers do diodo.
Especificação
Bolachas do GaAs para aplicações do diodo emissor de luz
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da condução | SC/n-type | SC/p-type com o narcótico do Zn disponível |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | Zn disponível |
| Bolacha Diamter | 2, 3 & 4 polegadas | Lingote ou como-corte disponível |
| Orientação de cristal | (100) 20/60/150 fora de (110) | O outro misorientation disponível |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade | 1500~3000cm2/V.sec | |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <5000>2 | |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P | |
| Espessura | 220~450um | |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do LD
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da condução | SC/n-type | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | |
| Bolacha Diamter | 2, 3 & 4 polegadas | Lingote ou como-corte disponível |
| Orientação de cristal | (100) 20/60/150 fora de (110) | O outro misorientation disponível |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <500>2 | |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P | |
| Espessura | 220~350um | |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da condução | Isolamento | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Undoped | |
| Bolacha Diamter | 2, 3 & 4 polegadas | Lingote disponível |
| Orientação de cristal | (100) +/- 0,50 | |
| DE | EJ, E.U. ou entalhe | |
| Concentração de portador | n/a | |
| Resistividade no RT | >1E7 Ohm.cm | |
| Mobilidade | >5000 cm2/V.sec | |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <8000>2 | |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de superfície | P/P | |
| Espessura | 350~675um | |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
FAQ –
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(1) para os produtos padrão tais como a lente da bola, a lente de powell e a lente do colimador:
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(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-20pcs.
Depende da quantidade e das técnicas
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Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.
Empacotamento – Logistcs
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