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4 H - dureza sic SEMI lustrada da polegada 9,0 da bolacha 6 para o material do dispositivo

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4 H - dureza sic SEMI lustrada da polegada 9,0 da bolacha 6 para o material do dispositivo

China 4 H - dureza sic SEMI lustrada da polegada 9,0 da bolacha 6 para o material do dispositivo fornecedor
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Imagem Grande :  4 H - dureza sic SEMI lustrada da polegada 9,0 da bolacha 6 para o material do dispositivo

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Número do modelo: sic-6inch 4h-n

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: pelo caso personalizado
Tempo de entrega: 15days dentro
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Descrição de produto detalhada
indústria: carcaça do semicondutor Materiais: sic cristal
Aplicação: 5G, material do dispositivo, MOCVD, eletrônica de poder Tipo: 4H-N, semi, nenhum lubrificado
cor: verde, azul, branco Hardeness: 9,0 acima

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1. Descrição
Propriedade 4H-SiC, único cristal 6H-SiC, único cristal
Parâmetros da estrutura a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilhando a sequência ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidade 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente da expansão 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm da refração

nenhuns = 2,61

ne = 2,66

nenhuns = 2,60

ne = 2,65

Constante dielétrica c~9.66 c~9.66
Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Condutibilidade térmica (Semi-isolar)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Faixa-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo bonde da divisão 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocidade de tração da saturação 2.0×105m/s 2.0×105m/s
 
2. Describtion material do tamanho
especificação da carcaça do carboneto de silicone de 6 polegadas de diâmetro (sic)
           
Categoria Categoria de Z Categoria de P Categoria de R Categoria de D
       
MPD ZERO Produção Categoria da pesquisa Categoria do manequim
       
 Diâmetro 150mm±0.5 milímetro
Espessura 350 μm±25μm ou 500±25um ou pelo tamanho personalizado
 Orientação da bolacha Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N
 Densidade de Micropipe ≤1cm-2 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤50
Resistividade 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI >1E5 Ω·cm
 Plano preliminar {10-10} ±5.0°
 Comprimento liso preliminar 47.5mm±2.5 milímetro
 Exclusão da borda 3mm
 TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
 Aspereza Ra≤1 polonês nanômetro
CMP Ra≤0.5 nanômetro
  Nenhum Nenhum 1 reservado, ≤1 milímetro
Quebras pela luz da alta intensidade
 
Encantar placas pela luz da alta intensidade Area≤ cumulativo 1% Area≤ cumulativo 1% Area≤ cumulativo 3%
  Nenhum Area≤ cumulativo 2% Area≤5% cumulativo
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade
 
  3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 8 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer
Riscos pela luz da alta intensidade
 
Microplaqueta da borda Nenhum 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um 5 reservados, ≤1 milímetro cada um
 Contaminação pela luz da alta intensidade Nenhum
 
3. produtos
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FAQ:

Q: Que é a maneira de transporte e de custo?

A: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.

(2) é muito bem se você tem sua própria conta expressa, se não, nós poderíamos o ajudar aos enviar e

O frete é de acordo com o pagamento real.

 

Q: Como pagar?

A: Depósito de T/T 100% antes da entrega.

 

Q: Que é seu MOQ?

A: (1) para o inventário, o MOQ é 1pcs. se 2-5pcs ele é melhor.

(2) para produtos comuns personalizados, o MOQ é 10pcs acima.

 

Q: Que é o prazo de entrega?

A: (1) para os produtos padrão

Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.

Para produtos personalizados: a entrega é 2 -4 semanas depois que você pede o contato.

 

Q: Você tem produtos padrão?

A: Nossos produtos padrão no estoque. como como as carcaças 4inch 0.35mm.

 

 
Thanks~~~
 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Wang

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