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2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector

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2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector

China 2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector fornecedor
2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector fornecedor 2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector fornecedor

Imagem Grande :  2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Número do modelo: 2inch-6h

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 2PCS
Preço: 200usd/pcs by FOB
Detalhes da embalagem: em umas gavetas de únicos recipientes da bolacha
Tempo de entrega: Dentro 15days
Habilidade da fonte: 1000pcs
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Descrição de produto detalhada
Materiais: cristal sic único indústria: bolacha de semicondutor,
Aplicações: dispositivo, bolacha epi-pronta, 5G, eletrônica de poder, detector, cor: verde, azul, branco
Personalizado: APROVAÇÃO Tipo: 6H-N

bolacha de 2inch 6H-Semi sic, carcaças sic sic personalizadas, bolachas de 2inch 6H-N, lingotes sic de cristal, bolacha do carboneto de silicone

 

Sobre de silicone do carboneto o cristal sic
  1.    Advantagement
  2. • Baixa má combinação da estrutura
  3. • Condutibilidade térmica alta
  4. • Consumo da baixa potência
  5. • Características transientes excelentes
  6. • Diferença de faixa alta

 

Áreas de aplicação

  • 1 diodo de Schottky dos dispositivos eletrónicos da alta frequência e do poder superior, JFET, BJT, PiN,
  •     diodos, IGBT, MOSFET
  • 2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic) 

PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE

 

Propriedade 4H-SiC, único cristal 6H-SiC, único cristal
Parâmetros da estrutura a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilhando a sequência ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidade 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente da expansão 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm da refração

nenhuns = 2,61

ne = 2,66

nenhuns = 2,60

ne = 2,65

Constante dielétrica c~9.66 c~9.66
Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Condutibilidade térmica (Semi-isolamento)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Faixa-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo bonde da divisão 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocidade de tração da saturação 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

Especs. do padrão.

 

especificação da carcaça do carboneto de silicone do diâmetro 2inch (sic)  
Categoria Categoria zero de MPD Categoria da produção Categoria da pesquisa Categoria do manequim  
 
Diâmetro 50,8 mm±0.2mm  
 
Espessura 330 μm±25μm ou 430±25um  
 
Orientação da bolacha Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI na linha central: <0001>±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Densidade de Micropipe cm2 ≤0 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤100  
 
Resistividade 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm  
 
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm  
 
Plano preliminar {10-10} ±5.0°  
 
Comprimento liso preliminar 18,5 mm±2.0 milímetro  
 
Comprimento liso secundário 10.0mm±2.0 milímetro  
 
Orientação lisa secundária Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal  
 
Exclusão da borda 1 milímetro  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Aspereza Ra≤1 polonês nanômetro  
 
CMP Ra≤0.5 nanômetro  
 
Quebras pela luz da alta intensidade Nenhum 1 reservado, ≤2 milímetro ≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm  
 
 
Encantar placas pela luz da alta intensidade Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤3%  
 
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade Nenhum Área cumulativa ≤2% Área cumulativa ≤5%  
 
 
Riscos pela luz da alta intensidade 3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer  
 
 
microplaqueta da borda Nenhum 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um 5 reservados, ≤1 milímetro cada um  
 

 

 

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A lata de ZMKJ fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida na polegada do diâmetro 2-6, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

 

Embalagem e entrega

 

>Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.

De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente! Quase por única gavetas da bolacha ou gaveta 25pcs no quarto desinfetado de 100 categorias.

 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Wang

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