Casa
>
PRODUTOS
>
Sic carcaça
>
|
| Lugar de origem | China |
| Marca | zmkj |
| Número do modelo | 4inch--N, 4H-semi |
tipo da produção da categoria do MANEQUIM da categoria carcaças de 4inch dia100m 4H-N sic, carcaças do carboneto de silicone para o dispositivo de semicondutor,
Áreas de aplicação
1 diodo de alta frequência e do poder superior dos dispositivos eletrónicos de Schottky,
JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET
2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)
Advantagement
• Baixa má combinação da estrutura
• Condutibilidade térmica alta
• Consumo da baixa potência
• Características transientes excelentes
• Diferença de faixa alta
Carborundum sic de cristal da bolacha da carcaça do carboneto de silicone
PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
| Nome do produto: | Carcaça de cristal do carboneto de silicone (sic) | ||||||||||||||||||||||||
| Descrição do produto: | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
| Parâmetros técnicos: |
|
||||||||||||||||||||||||
| Especificações: | 6H N-tipo N-tipo de 4H queisola dia2 “x0.33mm, dia2” x0.43mm, dia2 ' x1mmt, lance de 10x10mm, de 10x5mm o único ou o lance dobro, Ra <10a> | ||||||||||||||||||||||||
| Empacotamento padrão: | saco 1000 quarto desinfetado, 100 limpo ou único empacotamento da caixa |
2. as carcaças fazem sob medida do padrão
|
especificação da carcaça do carboneto de silicone de 4 polegadas de diâmetro (sic) |
|||||||||
| Categoria | Categoria zero de MPD | Categoria da produção | Categoria da pesquisa | Categoria do manequim | |||||
| Diâmetro | 100,0 mm±0.5 milímetro | ||||||||
| Espessura | 350 μm±25μm (a espessura 200-500um igualmente é aprovada) | ||||||||
| Orientação da bolacha | Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI na linha central: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | ||||||||
| Densidade de Micropipe | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤50 | |||||
| Resistividade | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
| Plano preliminar e comprimento | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 milímetro | ||||||||
| Comprimento liso secundário | 18.0mm±2.0 milímetro | ||||||||
| Orientação lisa secundária | Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal | ||||||||
| Exclusão da borda | 3 milímetros | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polonês nanômetro, CMP Ra≤0.5 nanômetro | ||||||||
| Quebras pela luz da alta intensidade | Nenhum | 1 reservado, ≤2 milímetro | ≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm | ||||||
| Encantar placas pela luz da alta intensidade | Área cumulativa ≤1% | Área cumulativa ≤1% | Área cumulativa ≤3% | ||||||
| Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade | Nenhum | Área cumulativa ≤2% | Área cumulativa ≤5% | ||||||
| Riscos pela luz da alta intensidade | 3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer | 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer | 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer | ||||||
| microplaqueta da borda | Nenhum | 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um | 5 reservados, ≤1 milímetro cada um | ||||||
| Contaminação pela luz da alta intensidade | Nenhum | ||||||||
Sic bolacha & lingotes 2-6inch e o outro tamanho personalizado igualmente pode ser fornecido.
3.Pictures de produtos da entrega antes
Entrega & pacote
Contacte-nos a qualquer hora
