Tipo posição livre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm

Lugar de origem CHINA
Marca zmkj
Número do modelo GaN-4INCH
Quantidade de ordem mínima 1PC
Preço by case
Detalhes da embalagem única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega 2-4weeks
Termos de pagamento L/C, T/T
Detalhes do produto
Material Único cristal de GaN Método HVPE
Tamanho 4inch Espessura 450um
Indústria LD, conduzido, dispositivo do laser, detector, Cor Branco
Pacote único pacote da caixa da gaveta da bolacha pela condição do vácuo Tipo n-tipo
lubrificação si-lubrificado ou un-lubrificado
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GaN Gallium Nitride Wafer

,

tipo bolacha de n do nitreto do gálio

,

Bolacha de HVPE gaas

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Descrição de produto

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GaN Applications

 

GaN pode ser usado para fazer diversos tipos dos dispositivos; os dispositivos preliminares de GaN são diodos emissores de luz, diodos láser, eletrônica de poder, e dispositivos RF.

GaN é ideal para o diodo emissor de luz devido ao bandgap direto do eV 3,4 que está no espectro UV próximo. GaN pode ser ligado com a pensão e o AlN, que têm bandgaps de 0,7 eV e de eV 6,2, respectivamente. Consequentemente, este os sistemas materiais podem teoricamente medir um grande espectro de energia para o dispositivo luminescente. Na prática real, a eficiência é a mais alta para dispositivos e diminuições azuis de InGaN para o índice alto InGaN do índio ou para emissores de AlGaN. O espectro UV e azul próximo é ótimo para fazer os emissores brancos com fósforos, e esta tecnologia foi responsável para os ganhos notáveis da eficiência na iluminação desde os anos 90 em que os diodos emissores de luz começaram a substituir fontes luminosas tradicionais.

 

Os diodos láser, geralmente com emissão azul, podem ser feitos usando GaN. Estes dispositivos são usados para as exposições e a alguma especialidade biomedicáveis, o corte, e aplicações científicas. Os diodos láser podem igualmente ser usados fazendo os dispositivos luminescentes brancos com fósforos. Comparado ao diodo emissor de luz, a luz branca do diodo láser pode conseguir uma densidade de poder superior mesma e um directionality alto.

 

Para a eletrônica de poder, os dispositivos GaN-baseados podem conseguir velocidades de comutação, a densidade de poder superior, e perdas de baixa energia altas tendo por resultado uns produtos de conversão mais eficientes, menores, e mais claros do poder. Há uns pedidos numerosos para a eletrônica de poder GaN-baseada que inclui veículos elétricos, inversores solares e das energias eólicas, controladores industriais do motor, centros de dados, e produtos eletrónicos de consumo.

 

os dispositivos RF GaN-baseados possuem muitas das mesmas vantagens da eletrônica de poder de GaN, e adicionalmente podem alcançar uma frequência mais alta do que semicondutores tradicionais. Os dispositivos RF são usados para o aquecimento, o radar, e telecomunicações industriais. GaN é especialmente vantajoso para a densidade de poder superior como para estações base celulares.

 

Tecnologia de HVPE

A epitaxia da fase de vapor do hidruro (HVPE) é um processo que possa produzir único GaN de cristal. É usada para o crescimento de carcaças de GaN devido à taxa de elevado crescimento e de alta qualidade que pode ser alcançada. Neste processo, o gás do HCl é reagido com o metal líquido do gálio, que forma o gás de GaCl. Então o GaCl reage com o °C 1.000 do gás do ₃ do NH aproximadamente para formar o cristal contínuo de GaN. Eta Research desenvolveu nosso próprio equipamento de HVPE com o objetivo para custar eficazmente a escala a produção de bolachas de GaN.

 

Presentemente, a grande maioria de dispositivos GaN-baseados usa carcaças estrangeiras tais como o ₃ e o si do ₂ O do Al. Embora as carcaças estrangeiras sejam boas para algumas aplicações, o material dissimilar faz com que os defeitos estejam colocados nas camadas do dispositivo de GaN enquanto o material é depositado. Os defeitos podem reduzir o desempenho.

 

As carcaças de GaN, especialmente com baixa densidade do defeito, oferecem a melhor escolha para o depósito de camadas do dispositivo de GaN. O uso de carcaças de GaN melhorará a eficiência, a densidade de poder, e o outro medidor do desempenho de dispositivos de GaN.

 

Especificações:

 
Artigo GaN-FS-n
Dimensões ± 1mm de Ф 100mm
Marco Defect Density Um nível ≤ 2 cm2
Nível de B > 2 cm2
Espessura 450 µm do ± 25
Orientação ± 0.5° da C-linha central (0001)
Plano da orientação ± 0.5° (de 1-100), 32,0 ± 1.0mm
Plano secundário da orientação ± 3° (de 11-20), ± 18,0 1.0mm
TTV (variação total da espessura) µm ≤30
CURVA µm ≤30
Tipo da condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0="">
Densidade de deslocação Menos do que os cm2 5x106
Área de superfície útil > 90%
Polonês

Front Surface: Ra < 0="">

Superfície traseira: Terra fina

Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

Tipo posição livre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm 0Tipo posição livre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm 1

 

 

2. Nossa visão da empresa

nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia da aplicação para a indústria.

GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da micro-ondas da confiança, brilho alto e eficiência elevada, diodo emissor de luz de poupança de energia.

 

 

 

- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
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Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.

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100%T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança de comércio.

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Nós podemos fornecer o relatório de ROHS e alcançar relatórios para nossos produtos.